王生浩
,
张静全
,
王波
,
冯良桓
,
蔡亚平
,
雷智
,
黎兵
,
武莉莉
,
李卫
,
曾广根
,
郑家贵
,
蔡伟
功能材料
采用直流反应磁控溅射法制备了氧化铟锡(ITO)透明导电薄膜,通过四探针、紫外可见分光光度计、X射线衍射(XRD)、霍尔效应仪、扫描电镜(SEM)等对薄膜样品进行了表征,研究了溅射功率和氧分压对ITO薄膜微观结构和光电性能的影响,结果表明:溅射功率对ITO的光电性能影响较小,沉积速率随着溅射功率的增大而加快;随着氧分压的升高,载流子浓度降低,霍尔迁移率先增大后减小,电阻率逐渐增大.在优化的工艺条件下,制备了在可见光区平均透过率达85%、电阻率为1×10-4Ω·cm的光电性能优良的ITO薄膜.
关键词:
氧化铟锡
,
直流磁控溅射
,
电阻率
,
透光率
常岩军
,
矫桂琼
,
张克实
,
王波
复合材料学报
采用声发射平均频率和相对能量以及幅值识别了3D C/SiC复合材料的拉伸损伤模式,探讨了拉伸加卸载过程中材料的费利西蒂(Felicity)效应.通过分析具有不同拉伸性能试样的损伤过程,研究了不同损伤模式的时间分布特征对材料拉伸性能的影响关系.分析结果表明,3D C/SiC复合材料中基本不存在凯瑟(Kaiser)效应,Felicity比随着应力水平的升高而降低,相对应力水平高于65%时出现突降.3D C/SiC复合材料高性能的决定性因素不是声发射波击总数,而是高幅高能量信号发生的时间和次数.在加载前期(应变
关键词:
C/SiC复合材料
,
损伤演化
,
纤维簇断裂
,
声发射
,
Filicity效应
牟晓明
,
王圣来
,
王波
,
许心光
,
孙洵
,
顾庆天
,
李毅平
,
刘冰
,
孙绍涛
,
卢永强
,
孙云
人工晶体学报
Ca2+是KDP原料中一种常见的杂质离子,这种杂质不仅会影响晶体的生长过程,而且会加重晶体的光散射.通过传统降温法和点籽晶快速生长法生长不同Ca2+掺杂浓度的KDP晶体样品,对样品进行激光损伤实验,结果表明,Ca2+的存在降低了KDP晶体的光损伤阈值,其原因主要在于Ca2+掺杂导致晶体内部缺陷增多,内应力增加以及晶体中的散射颗粒密度增大使晶体光吸收加重.
关键词:
Ca2+
,
KDP晶体
,
晶体生长
,
损伤阈值
王波
,
梁晓亮
,
许心光
,
王圣来
,
孙洵
,
顾庆天
,
李毅平
,
房昌水
,
冯彧
,
史崇德
人工晶体学报
本文使用德国MERCK公司生产的KDP原料和自行研制的晶体快速生长装置,采用"点籽晶"快速生长法成功生长出了150 mm级中等口径的KDP单晶,晶体生长速度达到20 mm/d.晶体生长过程中,生长溶液稳定,没有杂晶出现,生长的晶体完好且透明.X射线粉末衍射和摇摆曲线分析表明晶体有着较好的结构完整性;同时,测试了晶体的透过光谱和光损伤阈值,发现快速生长的晶体有着较好的光学性能.
关键词:
KDP单晶
,
"点籽晶"法
,
快速生长
,
光学性能
张建芹
,
王圣来
,
房昌水
,
孙洵
,
顾庆天
,
李毅平
,
王坤鹏
,
王波
,
李云南
,
刘冰
功能材料
SO2-4是KDP原料中一种常见的杂质离子,通过传统降温法和"点籽晶"快速生长法研究了掺杂K2SO4的KDP晶体的生长.实验表明,硫酸根低浓度掺杂时可提高溶液的稳定性,促进晶体的生长,造成柱面扩展;高浓度时溶液稳定性遭到破坏,出现杂晶,晶体生长速度变慢,晶体出现开裂,柱面发生"楔化".
关键词:
硫酸根
,
KDP晶体
,
晶体生长
,
快速生长
王波
,
王圣来
,
房昌水
,
孙洵
,
顾庆天
,
李义平
,
王坤鹏
,
李云南
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2005.02.003
金属离子对KDP晶体的影响是多方面的.本文采用不同的过饱和度,在不同的Fe3+掺杂浓度的生长溶液中生长KDP晶体,定量地研究了Fe3+对KDP晶体生长的影响.实验发现,无论是在高过饱和度还是在低过饱和度下生长KDP晶体,在一定的浓度范围内,Fe3+的掺入既可以增加生长溶液的稳定性,又可以有效抑制晶体柱面的扩展,而且晶体基本不楔化,同时,对晶体光学性能的影响也不大.
关键词:
KDP晶体
,
Fe3+掺杂浓度
,
过饱和度
,
溶液
,
生长习性
严辉
,
谭利文
,
宋雪梅
,
王波
,
陈光华
,
姚振宇
,
刘立明
,
程业浩
材料科学与工程学报
doi:10.3969/j.issn.1673-2812.2000.z2.019
采用分步偏压射频溅射法,通过调整衬底负偏压,在不加热的条件下成功的制备出具有一定结晶取向的sic薄膜,傅立叶红外谱的分析表明,随着衬底偏压的增大,吸收峰位于800cm-1附近Si-C键的数量增大.表明高能氩离子的轰击有利于立方相SiC(β-SiC)的形成.从傅立叶红外光谱SiC特征吸收峰的FWHM表明,采用分步偏压法制备的SiC薄膜,比采用一步偏压法制备的薄膜的质量好.从SEM测试结果表明,SiC薄膜均匀致密,表面比较光滑.同时,在不锈钢衬底上沉积了SiC薄膜,对其防氚性能的测试结果表明氚的渗透率显著下降.
关键词:
分步偏压
,
SiC
,
溅射氚渗透率
王必本
,
张兵
,
郑坤
,
郝伟
,
王国菊
,
王波
,
朱满康
,
严辉
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2004.01.022
利用等离子体增强化学气相沉积系统,用CH4、NH3和H2为反应气体,在沉积有100nm厚Ta过渡层和60nm厚NiFe催化剂层的Si衬底上制备了碳纳米管,并用扫描电子显微镜研究了它们的生长和结构.结果表明当氨气浓度为20%、40%和60%时,碳纳米管的平均长度分别为3.88μm、4.52μm和6.79μm,而其平均直径变化不大,均在240nm左右.最后,分析讨论了氨气浓度对碳纳米管生长和结构的影响.
关键词:
碳纳米管
,
氨气浓度
,
生长速率
孙洵
,
顾庆天
,
王圣来
,
李毅平
,
王坤鹏
,
王波
,
李云南
,
许心光
,
房昌水
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2003.06.001
本文在不同掺杂条件下,采用传统降温法生长了KDP晶体,利用超显微和透射电镜对KDP晶体中的散射颗粒进行了观察,在此基础上对其进行了分类.实验结果表明,不同种类散射颗粒的形成源于溶液中杂质与晶体化学键作用力的不同,造成这一结果的根本原因与KDP晶体的结构特性密切相关.
关键词:
散射颗粒
,
KDP晶体
,
形成机理
邓金祥
,
陈浩
,
陈光华
,
刘钧锴
,
宋雪梅
,
朱秀红
,
王波
,
严辉
功能材料
研究立方氮化硼薄膜表面的性质对于研究立方氮化硼薄膜的成核机理和应用,具有重要的价值.本文用XPS对立方氮化硼薄膜表面进行研究,并对有关问题进行了讨论.XPS分析表明,立方氮化硼薄膜表面除了B、N外,还含有C和O.从XPS谱图计算得到含有立方相的氮化硼薄膜的N/B为0.90,较接近于氮化硼的理想化学配比1:1;不含立方相的氮化硼薄膜的N/B为0.86,离氮化硼的理想化学配比1:1较远.计算表明立方氮化硼薄膜的顶层六角相的厚度约为0.8nm.
关键词:
立方氮化硼薄膜
,
表面
,
X射线光电子能谱
