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LQFP塑封电路第二焊线区分层影响因素分析

电镀与精饰 doi:10.3969/j.issn.1001-3849.2012.07.006

讨论了在薄型四方扁平封装技术在封装形式中影响塑封胶材料和第二焊线区之间的分层因素,从封装工艺控制,封装材料的使用及框架设计等诸多影响因素中进行了分析实验.结果显示,虽然封装过程中的工艺参数会影响第二焊线区的分层,但通过选择更合适的塑封胶材料及引线框架,不仅可以消除封装后的分层,还可以显著改善可靠性试验后的分层结果.所有实验结论都是在统计分析软件对实验数据进行统计分析后得出的.

关键词: 薄型四方扁平封装技术 , 第二焊线区分层 , 塑封胶 , 电镀 , 焊线 , 引线框架

锡镀层锡须生长的快速评估计算方法

叶德洪 , 王津生 , 纪翊 , 傅细如

电镀与精饰 doi:10.3969/j.issn.1001-3849.2010.04.002

通过锡须指数的计算及对高低温循环实验条件下锡须生长情况的观察与测量,建立了锡须指数与锡须生长长度之间的关系,使得可以在高低温实验结果出来之前就能借助锡须指数来评估锡须生长的风险,从而使实时评估控制镀锡电镀生产线变为可能.

关键词: 纯锡电镀 , 锡须 , 锡须指数 , 物相分析

屏蔽板补偿作用改进引线框架镀层厚度均匀性

王津生 , 叶德洪 , 孙德义 , 张学雷

电镀与精饰 doi:10.3969/j.issn.1001-3849.2014.07.007

基于统计学理论建立了镀层厚度均匀性评估的方法并分析了电镀工艺中对其产生影响的因素.最终发现,通过调整电镀槽中屏蔽板的上下位置,使引线框架形成上薄下厚和上厚下薄的两种分布的镀层厚度,这两种镀层厚度叠加在一起改善镀层整体的厚度分布,从而提高了新型引线框架表面电镀层厚度的均匀性,同时降低了镀层厚度超出规格限的风险.

关键词: 屏蔽板 , 补偿 , 镀层厚度 , 均匀性 , 引线框架

有机电致发光器件封装技术的研究进展

王宏智 , 王津生 , 陈君 , 姚素薇 , 张卫国

电镀与涂饰 doi:10.3969/j.issn.1004-227X.2007.03.013

有机电致发光器件(OLED)对O2和水汽非常敏感,渗入器件内部的O2和水汽会严重影响器件的发光寿命.因此,OLED器件的封装很重要.介绍了不同衬底或基板OLED封装技术的研究状况,包括以玻璃为基板的封装技术如等离子体化学气相沉积、原子层沉积、化学气相沉积聚合物薄膜和光聚合聚丙烯酸酯薄膜等;以塑料为基板的封装技术通常采用多层或迭层的复合封装技术如有机-无机复合膜和金属-有机复合膜的封装技术等.

关键词: 有机电致发光器件 , 封装技术 , 基板

化学镀Ni-Sn-P合金的研究进展

王宏智 , 彭海波 , 陈君 , 王津生

电镀与涂饰 doi:10.3969/j.issn.1004-227X.2007.06.016

介绍了近年来国内外在化学镀Ni-Sn-P合金镀层方面的研究进展,探讨了镍盐含量、锡盐含量、还原剂含量、络合剂含量、温度和pH等因素对化学镀Ni-Sn-P合金的镀速及镀层质量的影响.分析了镀层的表面形貌、结构及性能,概述了化学镀Ni-Sn-P合金镀层的应用及目前所存在的问题.

关键词: 化学镀 , Ni-Sn-P合金 , 镀速 , 镀层质量

电解去溢料工序参数对IC封装体第二焊线区分层的影响

叶德洪 , 王津生

电镀与精饰 doi:10.3969/j.issn.1001-3849.2013.10.007

IC封装体的内部分层是封装过程中常见的质量问题.讨论了引线框架电镀工艺对IC封装体第二焊线区分层的影响,并确定了电镀工艺的电解去溢料工序是使其分层的主要因素.通过实验分析并验证了电解去溢料工序的电压、电解电极的极性、电解液的类型及其浓度对第二焊线区分层的影响.通过对不同封装体第二焊线区分层程度的比较,认识到电解去溢料对一些大载荷小封装的IC封装体是不适用的,极易引起第二焊线区分层,从而使IC产品存在失效的风险.实验评估的结果为今后的封装体设计及生产工艺提供了可借鉴的经验.

关键词: IC封装 , 第二焊线区分层 , 电镀 , 电解去溢料 , 引线框架

Ni-ZrO2复合镀层的结构表征

王宏智 , 宋振兴 , 彭海波 , 王津生

电镀与精饰 doi:10.3969/j.issn.1001-3849.2007.04.004

采用复合电沉积制备Ni-ZrO2复合层.采用X-射线衍射检测ZrO2的加入对镍镀层结构的影响,如衍射峰的强度、金属电沉积时晶粒的择优取向.测试表明,Ni和ZrO2各自在特定的角度分别出现其独特的衍射特征峰,互不干扰,镀层中ZrO2含量增高,衍射强度变强.ZrO2在镀层的掺杂,镀层的晶粒尺寸由29.29 nm降至21.78 nm,镀层晶粒细化.

关键词: 复合镀层 , 电沉积 , X-射线衍射

叶绿素光敏化降解水中阿特拉津

刘延湘 , 张旭 , 邓凤霞

环境化学 doi:10.7524/j.issn.0254-6108.2015.09.2015032609

为考察阿特拉津在使用过程中的环境行为，实验在模拟太阳光照射下，以叶绿素铜钠盐作为光敏化剂，探讨了阿特拉津光降解的影响因素及降解动力学．结果表明，阿特拉津直接光解较慢，叶绿素铜钠加入可以促进阿特拉津的光降解，具有敏化作用，当阿特拉津初始浓度为2 mg·L－1，加入8 mg·L－1叶绿素铜钠时，阿特拉津的降解率最大，达52．4％．pH影响阿特拉津的光敏化降解，在pH ＝7时降解率较大，且随着光照时间的增加，阿特拉津的降解率也随之提高．阿特拉津的光降解反应符合一级反应动力学，半衰期为174 min．

关键词: 阿特拉津 , 光敏化 , 降解 , 叶绿素