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新型无机-有机杂化中孔发光材料(Phen)2Eu/MCM-41的合成与表征

刘丰祎 , 符连社 , 林君 , 张洪杰 , , 徐庆红 , 丁红 , 邹永纯

应用化学 doi:10.3969/j.issn.1000-0518.2001.05.021

合成出了担载稀土有机配合物的无机-有机杂化中孔发光材料(Phen)2Eu/MCM-41,用X射线衍射、红外光谱、荧光光谱和紫外-可见漫反射光谱对所得样品进行了表征,并与相应的纯稀土配合物进行了比较.结果表明,所得杂化材料具有典型的中孔材料MCM-41的结构,且经组装后孔结构保持不变,在紫外光照射下,发出稀土离子的特征谱线,但与纯稀土配合物相比,其激发光谱发生蓝移,稀土Eu3+所处的格位对称性降低,荧光寿命延长.另外,对光谱性质进行了讨论.

关键词: 无机-有机杂化 , MCM-41 , 发光材料

发光薄膜的制备及应用

逄茂林 , 林君 , 于敏 , 周永慧 , 韩秀梅 ,

液晶与显示 doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2002.05.010

与传统的发光粉制作的显示屏相比,发光薄膜在对比度、分辨率、热传导、均匀性、与基底的附着性、释气速率等方面都显示出较强的优越性.因此,作为功能材料,发光薄膜在诸如阴极射线管(CRTs)、电致发光显示(ELDs)及场发射显示(FEDs)等平板显示领域中有着广阔的应用前景.发光薄膜的制备方法有许多种,包括溅射法、金属有机物化学汽相沉积法、溶胶-凝胶法、脉冲激光沉积法、喷雾热解法、蒸镀法等.本文系统地对这些发光薄膜的制备方法及其应用情况作以简单的介绍,最后对发光薄膜的发展趋势进行了展望.

关键词: 发光薄膜 , 制备方法 , 应用

杂质离子对Y2O3:Eu3+发光性能的影响

, 苏锵 ,

功能材料

研究了碱金属及碱土金属离子掺杂的荧光体Y2O3:Eu3+0.05,A+0.02(A=Li、Na、K)和Y2O3:Eu3+0.05,B2+0.02(B=Mg、Ca、Sr、Ba)的荧光、余辉发光及热释光特性.余辉光谱数据表明:杂质离子掺杂的荧光体Y 2O3:Eu3+的余辉发射主峰与未掺杂荧光体Y2O3:Eu3+的荧光发射主峰(611nm)一致,为经典Eu3+的5D0-7F2电偶极跃迁;杂质离子的引入明显地延缓了Y2O3:Eu3+的余辉衰减,其中Y2O3:Eu3+,A+(A=Li、Na、K)的余辉衰减趋势几乎完全一致,而Y2O3:Eu3+、B2+(B=Mg、Ca、Sr、Ba)的余辉衰减趋势由慢到快依次为Ca、Sr、Ba、Mg.热释光谱数据显示,杂质离子的掺杂导致基质中电子陷阱能级的生成,这是导致余辉衰减减慢的直接原因.Y2O3:Eu3+,A+的热释峰都位于175℃左右,相应电子陷阱能级深度为0.966eV左右;而Y2O3:Eu3+,B2+的热释峰由高到低分别位于192℃(Ca)、164℃(Sr)、135℃(Ba)、118℃(Mg),电子陷阱能级深度分别为1.003eV(Ca)、0.942eV(Sr)、0.880eV(Ba)、0.843eV(Mg).结合余辉衰减数据,可以看到,Y2O3:Eu3+,A+和Y2O3:Eu3+,B2+的热释光谱与相应荧光体的余辉衰减趋势吻合得十分好,由此可以得出,一定相同的条件下,热释峰值温度越高,杂质陷阱能级越深,相应荧光体的余辉衰减越慢.

关键词: 碱金属和碱土金属离子 , 余辉 , 热释发光 , Y2O3:Eu3+

基于组态的包钢耐火配料系统设计

胡万里

耐火材料 doi:10.3969/j.issn.1001-1935.2010.01.023

介绍了利用组态作为监控,可编程控制器作为下位机,实现了耐火厂散料配料系统的自动化生产,该系统具有手动功能和自动功能,手动功能具有现场手动和上位机手动功能,自动功能具有全自动和半自动功能.该系统可实现配方和配料制度的任意更改,投资低,故障少,自动化程度高.

关键词: 组态 , 配料 , 上位机

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