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半导体GaAs—Ga0.65Al0.35As多量子阱的光谱性质及实现激光制冷的可能

张喜田 , 张伟力 , 高红 , 许武 , , 张家骅 , 陈宝玖

人工晶体学报 doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2001.02.010

我们利用光致发光(PL)和激发光谱(PLE)技术研究了GaAs量子阱的光谱性质,在GaAs量子阱的光致发光中观察到上转换发光,首次提出GaAs量子阱结构可能实现激光制冷,探索了GaAs量子阱结构的发光机理。

关键词: 光致发光 , 激发光谱 , 量子阱 , 激光制冷 , 上转换

金红石TiO2基质中[MoO4]2-基团的上转换发光

吴长锋 , , 冠仕 , 赵丹 , 张继森

无机材料学报

在978nm激光二极管的激发下,Mo掺杂的TiO2材料表现出很强的宽带上转换发光,该发光来源于[MoO4]2-基团的激发态3T1,3T2能级到基态1A1能级的电子跃迁,X射线衍射表明样品为金红石单一相,红外吸收光谱证实了[MoO4]2-的存在,由光电子能谱推测体系中还含有低价态的Mo离子,它们提供了上转换得以进行的中间态,高温下的氧化还原处理会改变低价Mo的数量,从而严重影响样品的发光行为。

关键词: 上转换 , TiO2 , [MoO4]2-

金红石TiO2基质中[MoO4]2-基团的上转换发光

吴长锋 , , 冠仕 , 赵丹 , 张继森

无机材料学报 doi:10.3321/j.issn:1000-324X.2003.03.028

在978nm激光二极管的激发下,Mo掺杂的TiO2材料表现出很强的宽带上转换发光,该发光来源于[MoO4]2-基团的激发态3T2,3T2能级到基态1A1能级的电子跃迁.X射线衍射表明样品为金红石单一相,红外吸收光谱证实了[MoO4]2-的存在.由光电子能谱推测体系中还含有低价态的Mo离子,它们提供了上转换得以进行的中间态.高温下的氧化还原处理会改变低价Mo的数量,从而严重影响样品的发光行为.

关键词: 上转换 , TiO2 , [MoO4]2-

奥沙拉钙配合物的合成、结构及表征

唐云志 , 周漫 , 杨燕明 , 王小卫 , 黄帅

人工晶体学报

本文通过CaCl2·2H2O与药物奥沙拉及辅助配体邻菲罗啉在水热条件下得到了一个新的奥沙拉配合物[ Ca(L) (Phen)·4(H2O)]n(H2L=奥沙拉=3,3-azo-bis-6-hydroxybenzoic acid)(1).通过元素分析、红外对配合物进行了表征,并利用X单晶射线衍射仪测定了其结构.结构解析表明,配合物1属三斜晶系,空间群P-1,晶胞参数a=0.8001 (3) nm,b=1.1245(4) nm,c=1.5129(6) nm,α=89.450(6)°,β=86.297(6)°,γ=77.633(6)°,V=1.3268(9) nm3,Z=2,F(000) =636,最终偏差因子(对Ⅰ>2σ(Ⅰ)的衍射点),R1=0.0521,wR2 =0.1538,S=1.045.在该结构中,中心Ca(Ⅱ)离子周围形成了一个稍微扭曲的五角双锥体,分别与一个来自奥沙拉配体的羧基氧原子(单齿)、两个邻菲罗啉中的两个N原子和四个水分子配位.

关键词: 奥沙拉 , 钙配合物 , 晶体结构

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