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高压条件下Pd-Ni合金熔体非晶形成过程及微观结构演化的分子动力学研究

戚力 , 董立峰 , 程华 , 崔占全 , 马明臻 , 景勤 , 李工 , 刘日平 , 胡壮麒

金属学报 doi:10.3321/j.issn:0412-1961.2008.02.020

利用分子动力学模拟方法,模拟了高压对Pd55Ni45合金非晶形成能力及快冷过程中局部结构的影响.在压力作用下,形成非晶的临界冷却速率明显下降.随着压力的增大,在相同的冷却速率下,体系中形成的团簇更多的是理想二十面体结构,不是缺陷二十面体结构.

关键词: 分子动力学模拟 , 高压 , 非晶形成能力 , 团簇 , Pd-Ni熔体

高压条件下Pd--Ni合金熔体非晶形成过程及微观结构演化的分子动力学研究

戚力 , 董立峰 , 程华 , 崔占全 , 马明臻 , 景勤 , 李工

金属学报

利用分子动力学模拟的方法，本文完成了Pd55Ni45合金熔体在高压条件下、快冷过程中，局部结构演化和非晶形成能力的模拟研究。在压力作用下，形成非晶的临界冷却速率明显下降。随着压力的增大，得到的二元Pd55Ni45非晶合金体系的微观结构以理想二十面体为主，而非大多数非晶合金中的缺陷二十面体，这是高压对非晶形成过程影响的一个主要原因。

关键词: 高压 , Glass-forming ability , cluster

第四届“吴仲华奖励基金”评选出获奖者

工程热物理学报

根据《吴仲华奖励基金章程》（吴奖[2008]01号），经各高等院校、中国工程热物理学会和中国科学院工程热物理研究所认真评选和推荐，吴仲华奖励基金理事会评审并确定授予青年学者戴巍、罗坤、唐桂华“吴仲华优秀青年学者奖”，授予程雪涛等10位同学“吴仲华优秀学生奖”。

关键词: 基金 , 奖励 , 评选 , 获奖者 , 中国科学院 , 青年学者 , 物理研究所 , 高等院校

银洞坡金矿尾矿库扩建工程的经济技术分析

程华

黄金 doi:10.3969/j.issn.1001-1277.2002.05.010

根据银洞坡金矿的生产实际需要,指出了影响矿山可持续发展的尾矿堆存问题,通过经济技术比较,确定了解决该问题的最优方案,并提出了尾矿库加高增容的具体措施.

关键词: 尾矿库 , 加高增容 , 经济技术分析

Ni,Fe及Ni-Fe合金阳极在H2SO4溶液中的电化学行为

程华 , 郭红霞 , 汤云晖 , 王群 , 王澈

材料保护

电镀过程中,通常采用镍板和铁板单金属联合阳极,其调整较为繁琐,以镍铁合金作阳极,方便生产,但过去鲜见Ni-Fe合金阳极溶解的电化学行为的报道.利用线性扫描伏安法研究了Ni-Fe合金阳极在0.5 mol/L H2SO4溶液中的阳极电化学行为,考察了不同Cr-浓度对极化曲线的影响.结果表明,Fe对Ni-Fe合金阳极活化溶解区起主要的活化作用,而稳定钝化区主要是由金属Ni的钝化作用引起的;Ni-Fe合金阳极溶解是一种不可逆的电极过程,阳极溶解速度受电化学极化控制;Cl-对Ni-Fe合金阳极具有活化作用,其临界活化浓度为0.1 mol/L.

关键词: Ni-Fe合金阳极 , Ni阳极 , Fe阳极 , 阳极钝化 , H2SO4溶液 , Cl- , 电化学行为

银洞坡金矿西段延深工程技术经济分析

程华

黄金 doi:10.3969/j.issn.1001-1277.2007.03.008

文中根据银洞坡金矿生产和资源现状,提出了西段深部延深工程的备选方案,并通过经济技术比较分析,确定了延深方案.该方案工期短、投资少、见效快,已投入实施.

关键词: 银洞坡金矿 , 延深工程 , 技术经济分析

电沉积Ni-Fe合金工艺及镀层耐蚀性的研究

程华 , 郭红霞 , 王群 , 王澈 , 汤云晖

电镀与精饰 doi:10.3969/j.issn.1001-3849.2011.06.001

采用电沉积的方法制备了Ni-Fe合金镀层,对其微观形貌和结构进行了表征,并采用电化学方法研究了所制备的Ni-Fe合金镀层在不同介质中的腐蚀行为.结果表明:在5%硫酸溶液以及3.5%氯化钠溶液中,w(Fe)为19.23%的Ni-Fe合金镀层耐蚀性最好,在5%氢氧化钠溶液中w(Fe)为28.16%的Ni-Fe合金镀层的耐蚀性最佳.

关键词: Ni-Fe合金镀层 , 电沉积 , 耐蚀性

用等离子体增强化学气相沉积制备微晶硅薄膜

程华 , 张昕 , 张广城 , 刘汝宏 , 吴爱民 , 石南林

材料研究学报

以Ar+SiH4作为反应气体,用电子问旋共振等离子体化学气相沉积(ECR-PECVD)方法制备微晶硅薄膜,研究了微波功率对薄膜中H含量、薄膜的沉积速率、择优取向和结晶度的影响.结果表明,在300℃制备低温微晶硅薄膜,随着微波功率的增大,薄膜的沉积速率先增大后减小,微波功率为600 W时达到最大;而结晶度和薄膜中的H含量则分别呈现单调增大和单调减少的趋势;使用不同的微波功率,薄膜的择优取向均为(111)方向.

关键词: 材料合成与加工工艺 , 微晶硅薄膜 , Ar稀释SiH4 , ECR-PECVD , 微波功率

基片温度对微晶硅薄膜微观结构和光学性能的影响

程华 , 王萍 , 崔岩 , 吴爱民 , 石南林

材料研究学报

以Ar＋SiH_4作为反应气体,采用电子回旋共振等离子体增强化学气相沉积（ECR-PECVD）方法制备微晶硅薄膜,研究了基片温度对薄膜微观结构、吸收系数、光学禁带宽度的影响。结果表明,随着基片温度的升高,薄膜的微观组织逐渐由非晶转化为微晶,薄膜的粗糙度单调增大,而H含量则单调减小。薄膜的光学吸收系数随基片温度的升高而增大,禁带宽度由1.89 eV降低到1.75 eV。

关键词: 材料合成与加工工艺 , 微晶硅薄膜 , ECR , PECVD , 吸收系数 , 光学带隙

放电气体对ECR-PECVD法制备微晶硅薄膜的影响

程华 , 钱永产 , 薛军 , 吴爱民 , 石南林

材料研究学报

用电子回旋共振等离子体增强化学气相沉积(ECR-PECVD)法制备微晶硅薄膜,研究了放电气体对薄膜沉积速率、薄膜中H含量、择优取向和结晶度的影响.结果表明,以Ar作为放电气体时薄膜沉积速率比以H2作为放电气体时高1.5-2倍,但是薄膜的结晶度较低；以Ar作为放电气体时薄膜的H含量比以H2作为放电气体时的薄膜低;放电气体对薄膜的择优取向和晶粒度没有显著的影响.

关键词: 材料合成与加工工艺 , 微晶硅薄膜 , ECR-PECVD , 放电气体