盛海见
,
吴育民
,
文永富
,
李根
,
程灏波
影像科学与光化学
doi:10.7517/j.issn.1674-0475.2017.02.099
针对微结构和微光学元件等微小物体的表面定量检测,本文介绍了一种利用无透镜数字全息的快速、无损的显微成像方法.首先介绍了基于球面波的无透镜数字全息显微成像技术的基本原理,采用CCD作为光电转换器件,基于迈克尔逊干涉光路,设计了无透镜数字全息...
关键词:
无透镜数字全息
,
显微成像
,
光学表面检测
,
MEMS
张峰
,
潘守甫
,
张学军
,
张忠玉
,
郑立功
,
程灏波
,
牛海燕
功能材料
磁流变抛光是近十年来新兴的一种先进光学制造技术.首先简要介绍了磁流变抛光的抛光机理.然后对在磁流变抛光中起重要作用的磁流变抛光液的组成、流变性和稳定性进行了研究.在外加磁场强度高于318kA/m时,磁流变抛光液的剪切应力大于20kPa,该应力足以完成磁流变抛光.最后给出一个磁流变抛光的实例,证明了磁...
关键词:
磁流变抛光
,
磁流变抛光液
,
剪切应力
,
抛光区
,
材料去除率
王英伟
,
程灏波
稀有金属材料与工程
采用顶部籽晶提拉法,生长了Yb:KY(WO4)2新型激光晶体.在900℃经24h烧结合成Yb:KYW多晶粉料,在600℃烧结18～20h合成助溶剂K2W2O7.通过对晶体生长习性的分析,选用b向晶体做籽晶,在相变温度下生长低温相Yb:KYW晶体.经热重-差热分析,确定晶体熔点为1045℃,相变温度为...
关键词:
激光晶体
,
晶体生长
,
顶部籽晶提拉法
王英伟
,
程灏波
,
朱忠丽
,
李建利
,
刘景和
无机材料学报
用顶部籽晶提拉法, 以K2W2O7为助溶剂, 生长Yb:KGd(WO4)2激光晶体. 经热重-差热分析, 确定晶体熔点为1086℃, 相变温度为1021℃. 晶体结构分析确定Yb:KGW(W...
关键词:
晶体生长
,
structure of crystal
,
Raman spectrum
,
IR spectrumk
王英伟
,
程灏波
,
朱忠丽
,
孙晶
,
刘景和
功能材料
通过对K2WO4和K2W2O7两种助溶剂的对比、分析,选择K2W2O7做助溶剂,采用顶部籽晶(TSSG)法生长Yb:KGW晶体.设计了合理的工艺条件:转速:10～15r/min;降温速率:0.05℃/h;生长周期:15d.通过对Yb:KGW晶体粉末样品的X-ray衍射谱与KGW粉末样品的X-ray衍...
关键词:
Yb:KGW激光晶体
,
晶体生长
,
顶部籽晶提拉法
王英伟
,
程灏波
,
朱忠丽
,
李建利
,
刘景和
无机材料学报
doi:10.3321/j.issn:1000-324X.2005.06.003
用顶部籽晶提拉法,以K2W2O7为助溶剂,生长Yb:KGd(WO4)2激光晶体.经热重-差热分析,确定晶体熔点为1086℃,相变温度为1021℃.晶体结构分析确定Yb:KGW(WO4)2晶体由WO6八面体连接而成,WO6八面体是由(WOOW)双氧桥及(WOW)单氧桥构成.晶体粉末样品室温下的红外及拉...
关键词:
晶体生长
,
晶体结构
,
拉曼光谱
,
红外光谱
张巧淞
,
徐春云
,
程灏波
,
TAM Hon Yuen
影像科学与光化学
doi:10.7517/j.issn.1674-0475.2016.01.036
本文基于准直光束照明的自由曲面透镜设计方法,设计了一种以单颗LED为光源的准直透镜,其可应用于投影仪的照明系统.根据几何光学原理构造自由曲面,该方法无需求解复杂的偏微分方程,计算简单.准直透镜由内自由曲面折射面、球面、抛物面全反射曲面以及平面组成,利用Matlab编程求出自由曲面轮廓曲线的离散数据点...
关键词:
LED
,
准直
,
二次光学设计
,
自由曲面
陈欣
,
景晓丽
,
程灏波
,
TAM Hon Yuen
影像科学与光化学
doi:10.7517/j.issn.1674-0475.2016.01.075
随着计算机技术和光电成像元件的发展,影像信息处理技术已经在无损检测、医学检测以及干涉测量等领域得到广泛应用.本文主要研究了影像信息在干涉测量领域的波前相位提取方法.干涉条纹图是干涉测量领域中影像信息的载体,在干涉条纹处理方面,针对空域卡雷算法的特点,提出一种基于影像处理的单幅闭合干涉条纹图相位重构新...
关键词:
干涉图
,
影像处理
,
闭合条纹
,
相位重构
,
迭代修正
王英伟
,
程灏波
,
刘景和
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2003.01.010
在较低氧分压的保护气氛中用提拉法(CZ法)生长YVO4晶体,采用自行设计的气压计,精密调节炉内的氧、氮比例,有效防止了晶体生长中的过度缺氧,生长出33mm×31mm(等径)YVO4晶体.设计了生长YVO4晶体最佳工艺条件:转速5～10r/min,拉速:2～6mm/h,生长周期:24h,液面上8mm...
关键词:
YVO4晶体
,
提拉法
,
晶体缺陷
