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基于NCV门的量子电路故障的检测与定位

连铸 doi:10.3969/j.issn.1007-5461.2015.02.006

为了确保基于NCV门库的量子电路的正确性和有效性,给出了量子电路故障定位树的生成算法和量子电路黑盒检测算法来定位量子电路中的门丢失故障.该故障定位树算法去除约98％的无用输出向量,提取输出表中有效的输入向量以及对应的故障输出向量,逐层生成故障定位树.结合量子电路黑盒检测算法对量子电路进行故障定位时不需要访问输出表就能够有效定位量子电路中的丢失门.对benchmarks部分电路进行实验,结果验证了该算法定位单故障门的有效性.

关键词: 量子光学 , 量子电路 , 故障定位树 , 丢失门故障 , NCV门库

基于有效布尔矩阵的线性最近邻量子电路综合

程学云 , 管致锦 , 丁卫平 , 朱鹏程

量子电子学报 doi:10.3969/j.issn.1007-5461.2016.06.015

最近邻量子电路要求满足最近邻约束,只允许在相邻的量子位之间交互,线性量子电路是量子电路的一个重要部分.研究了表示线性最近邻量子电路布尔矩阵有效性的快速判定方法,时间复杂度从n!(n-1)变为O(n2).提出了基于有效布尔矩阵的大规模线性最近邻量子电路的并行综合算法,在不到10 s内对128线的任意线性最近邻量子电路完成了电路综合.提出的并行方法不仅保证了精度,也大大减少了量子电路的综合时间,扩大了求解电路的规模.

关键词: 量子信息 , 线性量子电路 , 线性最近邻 , 有效布尔矩阵 , 并行综合算法

线性最近邻量子电路状态分析及最优逻辑综合

徐海 , 管致锦 , 程学云 , 朱鹏程

量子电子学报 doi:10.3969/j.issn.1007-5461.2017.02.011

综合量子电路时必须考虑量子电路实现时的约束与限制.某些量子技术中只允许物理上相邻的量子比特有相互作用,实现时必须采用线性最近邻架构.通常通过添加交换门使任意一个量子门的控制位与目标位相近邻,并保证电路的功能不受影响.在分析电路中量子比特状态的基础上,提出了一种新的线性最近邻量子电路构造方法.结果表明:对于所有40320个三比特量子电路,提出方案比已有方案的量子代价优化了约30％.

关键词: 量子光学 , 线性最近邻 , 逻辑综合 , 量子电路 , NCV门库

一种通用的可逆比较器级联方法

徐明强 , 管致锦 , 程学云

量子电子学报 doi:10.3969/j.issn.1007-5461.2014.05.011

为了提升可逆比较器的通用性,进一步优化可逆比较器电路.分析了比较器的输入与输出的逻辑关系,提出并设计了一位可逆比较器(OBC)和一位可逆完全比较器(OBCC).在此基础上将这两种器件进行级联,可以快速生成通用可逆比较器的级联电路.与相关文献对比,该级联方法有效地减少了常量输入和垃圾输出的同时,具有较低的量子代价,易于完成多位二进制数值在可逆电路中的比较.

关键词: 量子信息 , 可逆逻辑 , 可逆比较器 , 可逆级联电路 , 量子代价

碳纳米管场致发射特性的研究

朱长纯 , 刘兴辉

机械工程材料 doi:10.3969/j.issn.1000-3738.2004.07.016

详细论述了碳纳米管的场致发射特性,包括开启电场、阈值电场、发射电流密度、发射电流的稳定性及场发射电子能量分布等;阐述了场发射的机制;分析了发射特性与其几何结构、吸附态及尖端缺陷等因素的关系;并简要介绍了碳纳米管场发射特性在平板显示领域中的实际应用.

关键词: 碳纳米管 , 发射特性 , 阈值电场 , 场发射显示器

奥氏体不锈钢冷凝焊管在生产中的致裂原因

夏承钰 , 刘晓波 , 朱广宇

腐蚀与防护

通过金相显微镜、扫描电镜观察和能谱分析的方法分析了奥氏体不锈钢焊接冷凝管在生产过程中的致裂原因.结果表明,液态铜使不锈钢脆化,导致焊管开裂.并对防范措施进行了简述.

关键词: 不锈钢焊管 , 铜沾染 , 高温加热 , 铜脆致裂

夹杂物对油井管钢氢致开裂腐蚀的影响

艾芳芳 , 徐小连 , 陈义庆 , 钟彬 , 李琳 , 高鹏 , 解德刚

腐蚀与防护

对油井管钢进行了pH 2.0溶液浸泡的氢致开裂（HIC）试验。考察了油井管钢的抗HIC性能,分析了不同种类夹杂物对钢板HIC性能的影响。结果表明,在强酸性腐蚀环境中,夹杂物越多,钢对HIC越敏感。诱发油井管钢氢致开裂的夹杂物主要为MnS夹杂物、Al2O3夹杂物和硅铝酸盐复合夹杂物,其中长条状MnS夹杂物危害最大。夹杂物诱发裂纹的初期形貌为夹杂周围出现空洞,空洞的扩展成为氢致裂纹。

关键词: 油井管 , 氢致裂纹 , 夹杂物

碳纳米管场致发射显示器的研究进展

史永胜 , 张媛媛 , 何伟 , 朱长纯

材料导报

碳纳米管场致发射显示器(CNT-FED)具有驱动电压低、功耗小和制造成本低廉等优势,有望成为下一代平板显示器件的主流产品.全面系统地分析了制约CNT-FED商品化进程中的关键技术:碳纳米管定向可控生长、阴极低的开启场、高的电流发射密度、大面积发射均匀性、长寿命稳定发射以及低成本制造工艺等的研究进展,结合我们的课题研究与国内外现状,提出了实现碳纳米管场致发射显示器产业化的发展方向与研究途径.

关键词: 碳纳米管 , 场致发射显示器 , 阴极

碳纳米管场致发射平面背光源

游玉香 , 苏艺菁 , 叶芸 , 汤巧治 , 张杰 , 张永爱 , 郭太良

液晶与显示 doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2010.04.014

通过酸化、球磨、超声分散等工艺制备碳纳米管(Carbon Nanotubes,CNT)悬浮液,利用电泳沉积技术制备CNT阴极,并真空封装制备成25.4 cm(10 in)的CNT场致发射平面背光源器件.采用扫描电子显微镜对CNT阴极样品的表面形貌进行表征,并对器件的场致发射性能进行测试.结果表明,当电场为1.76 V/μm时,CNT场致发射平面背光源器件的亮度为6 500 cd/m2,亮度均匀性为89%,可应用于液晶显示器的背光源.

关键词: 碳纳米管 , 背光源 , 电泳 , 场致发射

CeO₂修饰的透明TiO₂纳米管电极的电致变色器件

文豪 , 刘志甫 , 杨群保 , 李永祥

无机材料学报 doi:10.3724/SP.J.1077.2012.00074

采用电化学沉积法在阳极氧化制备的TiO₂纳米管阵列管壁上沉积一层CeO₂纳米颗粒, 再将CeO₂修饰的透明TiO₂纳米管阵列薄膜对电极与聚三甲基噻吩变色电极组装成透过型电致变色器件. 实验结果表明: CeO₂修饰的TiO₂纳米管阵列薄膜仍保持良好的光透过性, 其电荷存储能力比纯TiO₂纳米管电极提高了30%. 经CeO₂修饰的TiO₂纳米管改善了器件的性能, 与对电极为单一TiO₂纳米管阵列的器件相比, 其对比度仍保持在38%左右, 其褪色时间由1.3 s缩短为0.8 s. 电致变色器件快速响应得益于纳米管与纳米颗粒组成的复合结构的高比表面积和快速的电荷传输过程.

关键词: 氧化铈 , TiO₂ , nanotube , electrochromic , counter electrode

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