张化福
,
类成新
,
刘汉法
,
袁长坤
人工晶体学报
以Zn∶ Zr为靶材,利用直流反应磁控溅射法制备了ZnO∶ Zr透明导电薄薄膜.研究了沉积压强对ZnO∶ Zr薄膜形貌、结构、光学及电学性能的影响.实验结果表明所制备的ZnO∶ Zr为六方纤锌矿结构的多晶薄膜,具有垂直于衬底方向的c轴择优取向.沉积压强对ZnO∶ Zr薄膜的晶化程度、形貌、生长速率和电阻率影响很大,而对其光学性能如透光率、光学带隙及折射率影响不大.当沉积压强为2Pa时,ZnO∶ Zr薄膜的电阻率达到最小值2.0×10-3Ω ·cm,其可见光平均透过率和平均折射率分别为83.2％和1.97.
关键词:
直流反应磁控溅射
,
ZnO∶ Zr薄膜
,
透明导电薄膜
,
沉积压强
张化福
,
类成新
,
刘汉法
,
袁长坤
材料导报
利用直流磁控溅射法在玻璃衬底上制备了ZnO光电性能的影响.研究结果表明,厚度对薄膜的结构和电学性能有很大的影响.制备的ZZO薄膜为六角纤锌矿结构的多晶薄膜,具有C轴择优取向.在厚度为593nm时,薄膜的电阻率具有最小值1.9×10-3Ω·cm.所制备薄膜样品的可见光平均透过率都超过93%.
关键词:
ZnO
,
Zr薄膜
,
磁控溅射
,
薄膜厚度
,
透明导电薄膜
张化福
,
类成新
,
刘汉法
,
袁长坤
人工晶体学报
室温下利用直流磁控溅射法在有ZnO缓冲层的柔性衬底 PET上制备出了可见光透过率高、电阻率低的掺锆氧化锌(ZnO: Zr)透明导电薄膜,研究了厚度对ZnO: Zr薄膜结构及光电性能的影响.结果表明,ZnO: Zr薄膜为六方纤锌矿结构的多晶薄膜.实验获得ZnO: Zr薄膜的最小电阻率为2.4×10-3 Ω·cm,其霍尔迁移率为18.9 cm2·V-1·s-1 ,载流子浓度为2.3×1020 cm-3.实验制备的ZnO: Zr薄膜具有良好的附着性能,其可见光平均透过率超过92%.
关键词:
ZnO∶Zr薄膜
,
柔性衬底
,
直流磁控溅射
,
透明导电薄膜
刘汉法
,
张化福
,
类成新
,
袁长坤
液晶与显示
doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2008.06.013
利用射频磁控溅射法在室温水冷玻璃衬底上制备出了可见光透过率高、电阻率低的ZnO:Zr透明导电薄膜.讨论了厚度对ZnO:Zr透明导电薄膜光学、电学性能的影响.当薄膜厚度为213 nm时,薄膜电阻率达到最小值1.81×10-3 Ω·cm.所制备的薄膜样品都具有高透光率,其可见光区平均透过率超过了93.0%.当薄膜厚度从125 nm增加到350 nm时,薄膜的光学带隙从3.58 eV减小到3.50 eV.
关键词:
ZnO
,
Zr
,
透明导电薄膜
,
磁控溅射
,
薄膜厚度
,
光电性能
张化福
,
类成新
,
刘汉法
,
袁长坤
液晶与显示
doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2009.01.013
利用直流磁控溅射法在玻璃衬底上制备出了可见光透过率高、电阻率低的ZnO∶Zr(ZZO)透明导电薄膜.讨论了溅射功率对ZZO薄膜结构、形貌及光电性能的影响.研究结果表明,溅射功率对ZZO薄膜的结构和电学性能有很大影响.实验制备的ZZO薄膜为六角纤锌矿结构的多晶薄膜,且具有垂直于衬底方向的c轴择优取向.在溅射功率为115 W时,ZZO薄膜的电阻率具有最小值1.9×10-3 Ω*cm,其霍尔迁移率和载流子浓度分别为18.7 cm2*V-1*s-1和2.07×1020 cm-3.所制备ZZO薄膜样品具有良好的附着性能,其可见光区平均透过率均超过92%.
关键词:
ZnO∶Zr薄膜
,
透明导电薄膜
,
溅射功率
,
磁控溅射
刘汉法
,
张化福
,
类成新
,
袁玉珍
,
袁长坤
液晶与显示
doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2009.02.006
利用射频磁控溅射法首次在室温水冷柔性衬底 PET上制备出了可见光透过率高、电阻率低的掺锆氧化锌(ZnO∶Zr)透明导电薄膜.X射线衍射和扫描电子显微镜表明,ZnO∶Zr薄膜为六角纤锌矿结构的多晶薄膜,且具有平行于衬底方向的择优取向.实验获得ZnO∶Zr薄膜的最小电阻率为1.55×10-3 Ω·cm.实验制备的ZnO∶Zr薄膜具有良好的附着性能,其可见光区平均透过率超过90%.
关键词:
ZnO∶Zr薄膜
,
柔性衬底
,
磁控溅射
,
透明导电薄膜
刘汉法
,
张化福
,
袁玉珍
,
袁长坤
,
类成新
液晶与显示
doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2009.06.010
利用直流磁控溅射法在室温水冷玻璃衬底上制备出了可见光透过率高、电阻率低的掺钛氧化锌(ZnO:Ti)透明导电薄膜.SEM和XRD研究结果表明,ZnO:Ti薄膜为六角纤锌矿结构的多晶薄膜,且具有c轴择优取向.厚度为437 nm薄膜的电阻率为1.73×10~(-4) Ω·cm.所制备薄膜具有良好的附着性能,薄膜样品在500～800 nm的可见光平均透过率都超过了91%.
关键词:
ZnO:Ti薄膜
,
透明导电薄膜
,
磁控溅射
,
光电性能
谢学军
,
龚洵洁
,
彭珂如
腐蚀学报（英文）
通过高压釜、电化学和XPS(X射线光电子能谱)、SEM(扫描电镜)表面分析试验, 研究了咪唑啉类缓蚀剂BW的高温成膜条件和成膜机理. 研究结果表明, BW是一种混合型缓蚀剂, 通过N原子2p轨道上的孤对电子和Fe的3d空轨道之间形成配位键在金属表面成膜; 在试验浓度和温度范围内, BW的浓度越高、控制的高压釜温度越高, 成膜效果越好; 当BW在高压釜中的浓度达到40 mg/L、 pH为9.5~10.0、恒温温度为280℃~320℃、成膜时间为2 h时, BW在金属表面的成膜效果良好.
关键词:
咪唑啉类缓蚀剂
,
film-forming condition
,
film-forming mechanism
,
high temperature
谢学军
,
龚洵洁
,
彭珂如
腐蚀学报（英文）
通过高压釜、电化学和XPS(X射线光电子能谱)、SEM(扫描电镜)表面分析试验,研究了咪唑啉类缓蚀剂BW的高温成膜条件和成膜机理.研究结果表明,BW是一种混合型缓蚀剂,通过N原子2p轨道上的孤对电子和Fe的3d空轨道之间形成配位键在金属表面成膜;在试验浓度和温度范围内,BW的浓度越高、控制的高压釜温度越高,成膜效果越好;当BW在高压釜中的浓度达到40 mg/L、pH为9.5～10.0、恒温温度为280℃～320℃、成膜时间为2 h时,BW在金属表面的成膜效果良好.
关键词:
咪唑啉类缓蚀剂
,
成膜条件
,
成膜机理
,
高温
周年光
,
龚洵洁
,
彭珂如
,
谢学军
,
汤海珠
,
付武辉
,
邹哲
材料保护
doi:10.3969/j.issn.1001-1560.2002.09.017
应用电化学、高压釜试验和XPS等手段,研究了一种用于热力机组停用保护的咪唑啉类成膜缓蚀剂,重点介绍了其在300 MW亚临界机组中的应用情况,分析了实施过程中水汽质量变化的特点和趋势,讨论了应用中的一些问题及注意事项.结果表明,这是一种有效的停用保护方法.
关键词:
亚临界机组
,
停用保护
,
成膜缓蚀剂
