周长春
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叶兴江
,
肖占文
,
王哲
,
张兴栋
表面技术
目的:研究多孔磷酸钙骨组织工程支架的表面微纳米化改性。方法通过双氧水发泡法制备多孔磷酸钙骨组织工程支架,利用水热法对材料进行微纳米化表面改性。通过扫描电镜观察材料的显微结构,通过 X 射线衍射仪分析测试材料改性层相成分。结果材料改性处理后,孔隙率为(63±8)%,大孔孔径为(310±30)μm。材料表面及内孔壁生成羟基磷灰石微纳米晶粒或晶须,晶须长20~40μm,直径为100~300 nm。结论多孔磷酸钙陶瓷材料的内外表面经水热法处理微纳米化表面改性后,材料性能得到提升。
关键词:
骨组织工程支架
,
多孔磷酸钙陶瓷
,
水热法
,
晶须
,
表面微纳米改性
王哲
,
肖占文
,
范红松
,
张兴栋
无机材料学报
doi:10.3724/SP.J.1077.2013.12093
利用超声探针在铝合金圆片上雕刻微米沟槽图案作为模板,并成功地将此沟槽图案转移到羟基磷灰石(HAP)陶瓷表面上.扫描电子显微镜(SEM)表征结果显示3种沟槽宽度分别为20、40和60μm,与预先设计沟槽的尺寸一致;接触角测量结果表明,沟槽化HAP表面的纯水润湿性随沟槽宽度的减小而明显提高.对体外培养在三种沟槽尺寸HAP表面成骨细胞(MC3T3-E1)的形态观察、细胞核染色计数以及细胞取向角测量统计分析的结果表明,沟槽化的HAP表面具有引导成骨细胞沿沟槽方向铺展的作用,而且这种引导作用随着沟槽变窄而显著增强,但这种引导作用并没有对成骨细胞的早期(30 h)增殖行为产生影响.
关键词:
羟基磷灰石陶瓷
,
表面微沟槽
,
微图案制备系统
,
取向角
冯哲圣
,
杨邦朝
,
肖占文
功能材料
建立了YF基元生长模型来模拟腐蚀箔形态,并利用该模型计算了各种形成电压下的理论扩面倍率,所得到的结果介于C.G.Dunn的圆孔模型和永田伊佐也的方孔模型之间.结果显示:目前近高压区(>300V)的实际扩面倍率与理论扩面倍率已很接近,通过电蚀扩面的前景较小,而对于中低压腐蚀箔,单位面积的静电容量的提高余地还很大.
关键词:
铝箔
,
电腐蚀过程
,
模拟
,
表面积
冯哲圣
,
肖占文
,
杨邦朝
中国腐蚀与防护学报
测试了高纯电子铝箔(以下简称铝箔)在2 mol/L HCl和2 mol /L HCl+05 mol/L H2SO4溶液中三角波动电位激励时的电流响应曲线,用Daubechies2 小波对所测得的电流响应曲线进行了时频分解,研究了SO2-4在铝箔交流扩面电蚀 工程中的缓蚀机理.提出了铝箔在含Cl-溶液中点蚀的氧空位侵蚀机理模型,该模型指出 在一定的酸度条件下,在侵蚀膜表面形成的正电荷集中点是Cl-与SO2-4发生特性 吸附的原因;Cl-在侵蚀膜内的主要传输途径是存在于侵蚀膜内微晶晶界上的氧空位链; 进入侵蚀膜内的SO2-4在强场作用下发生离解,离解出的O2-与侵蚀膜内的氧 空位作用,致使氧空位湮灭,切断了Cl-在侵蚀膜内的传输途径,同时由于这种作用调整 了Cl-在侵蚀膜内传输的网络结构,增加了新蚀孔的萌生机率,从而在铝箔电蚀扩面腐蚀 工程中起到了独特的缓蚀作用.
关键词:
铝箔
,
AC etching
,
wavelet analysis
,
Cl-
,
SO2- 4
,
,
mechanism
石文兵
应用化学
doi:10.3969/j.issn.1000-0518.2008.09.027
在酸性条件下,烟酸占替诺分子中氮原子被质子化后与阴离子AuCl-4形成离子缔合物,该缔合物被三氯甲烷带入鲁米诺的氯化十六烷基三甲基铵(CTAC)逆胶束中,离解出来的AuCl-4立即与鲁米诺产生化学发光. 在一定浓度范围内,发光强度与烟酸占替诺的含量呈线性关系. 在优化的试验条件下,烟酸占替诺的检测线性范围为0.01~15×10-6 g/mL,检出限(3σ)为0.4×10-9 g/mL,对浓度为1.0×10-6 g/mL的烟酸占替诺进行11次平行测定,其RSD为1.26%. 方法简单、灵敏,已成功用于针剂中烟酸占替诺的测定.
关键词:
逆胶束
,
烟酸占替诺
,
化学发光
郑家燊
,
傅朝阳
,
刘小武
,
彭芳明
,
黄先球
,
赵景茂
,
吴灿奇
,
徐卫东
,
王选奎
中国腐蚀与防护学报
采用XRD、XPS和EPMA对中原油田文23-1、23-8气井油管腐蚀产物和管材进行分析,并试验了碳钢在CO_2介质中的腐蚀。研究结果表明,天然气中的CO_2及凝析水是气井腐蚀的主要原因。管材的非金属夹杂物(MnS、Al_2O_3)含量超标,是加速油管在CO_2环境中局部腐蚀穿孔破坏的另一原因。还探索了应用缓蚀剂防止气井CO_2腐蚀的可能性。
关键词:
气井
,
Oil pipe corrosion
,
Failure analysis
,
Inhibitor
史兰香
,
张宝华
应用化学
doi:10.3724/SP.J.1095.2013.20351
以文拉法辛为原料,分别以新的脱甲基试剂半胱氨酸钠盐和青霉胺钠盐制备了O-去甲基文拉法辛,收率为86%和82%.一锅中分别完成了半胱氨酸钠盐、青霉胺钠盐的制备与文拉法辛脱甲基反应,简化了操作步骤.最优反应条件为溶剂N-甲基吡咯烷酮,反应温度175℃,产物析晶pH值9.5.
关键词:
O-去甲基文拉法辛
,
文拉法辛
,
脱甲基化
,
半胱氨酸钠盐
,
青霉胺钠盐