廖运文
,
赁敦敏
,
肖定全
,
魏群
,
庄严
,
朱建国
,
余萍
,
吴浪
,
王孝平
功能材料
采用企业的电子陶瓷工艺制备了(Bi0.5Na0.5)0.94Ba0.06TiO3(BNTBT-6)无铅压电陶瓷,研究了制备工艺对BNTBT-6陶瓷的晶相、微观结构与介电压电性能的影响.研究结果表明,烧结方式会对BNTBT-6陶瓷的晶相和性能产生一定的影响.电学性能研究结果表明,湿磨盖烧BNTBT-6陶瓷样品的压电性能优良,室温下陶瓷样品的压电常数d33达到195pC/N,机电耦合系数kp为35%,机械质量因子Qm达到130,介电损耗tgδ为0.025.
关键词:
无铅压电陶瓷
,
(Bi0.5Na0.5)0.94Ba0.06TiO3
,
压电常数
,
机电耦合系数
陈强
,
肖定全
,
吴家刚
,
方瑜
,
王媛玉
,
袁小武
,
于光龙
,
熊学斌
,
朱建国
功能材料
以Li2CO3、Nb2O5、K2CO3为初始原料,采用Pechini法制备了铌酸锂(LiNbO3)陶瓷.用XRD、SEM等分析了LiNbO3陶瓷的结晶特性.分析结果表明Li2O对于铌酸锂陶瓷的烧结及致密度有着重要的影响,经980℃烧结得到的LiNbO3陶瓷晶粒发育良好,当烧结温度＞1100℃时,Li2O有较大的损失,所得到的LiNbO3陶瓷组分与化学计量此有一定偏差.因此应采用多种技术方法来减少Li2O的损失以得到致密、结晶性良好的铌酸锂陶瓷.
关键词:
铌酸锂
,
Pechini法
,
陶瓷
杨祖念
,
肖定全
,
余萍
,
安红娜
,
高道江
,
毕剑
,
金晓玲
,
陈连平
,
王辉
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2006.03.006
采用恒电流电化学技术直接在金属钼片上制备了具有白钨矿结构的钼酸锶(SrMoO4)多晶薄膜,着重在实验上研究了薄膜的晶体生长特性.研究表明,采用电化学技术制备SrMoO4晶态薄膜时,薄膜的生长具有如下特点:(1)晶核生成需要一定的时间,但晶核一旦生成,其形貌就比较完整;(2)晶核和晶粒优先选择在基体缺陷(折叠、划痕、缺陷、凹凸不平等)处生长和堆砌;(3)基体上晶粒的数量随着制备时间的增加而增加,晶粒的尺寸随着时间的增加而长大,晶粒逐渐从基体表面上的稀疏分布直到布满整个基体;(4)晶粒的{111}面总是显露的;(5)在薄膜生长的整个过程中,晶粒基本上以其c轴垂直于薄膜基体表面进行的.上述研究结果对进一步认识薄膜的晶体生长和利用电化学法制备晶态薄膜都具有重要意义.
关键词:
电化学技术
,
SrMoO4
,
白钨矿结构
,
晶体生长
,
薄膜
安红娜
,
杨祖念
,
肖定全
,
余萍
,
陈连平
,
黄昕
,
王辉
稀有金属材料与工程
采用恒电流电化学技术直接在金属铝片上制备了具有白钨矿结构的钼酸盐(BaMoO4)薄膜;通过EDX测试研究了该薄膜的成核和生长.研究结果表明,在薄膜生长的初期,一定数量的MoO4负离子配位多面体沉积在基片上并形成具有白钨矿结构的蜂窝状骨架,继而Ba2+对该蜂窝状骨架进行填充,由此形成晶核和晶粒;随着沉积时间的延长,蜂窝状结构不断长大,Ba2+离子也不断填充;当晶粒生长过程结束时,晶粒变饱满并且晶粒表面变光滑;当薄膜生长一定阶段时,晶粒及薄膜的组成符合其化学计量比.
关键词:
电化学技术
,
BaMoO4薄膜
,
蜂窝状结构
,
MoO4负离子配位多面体
尹奇异
,
赁敦敏
,
肖定全
,
朱建国
,
余萍
金属功能材料
doi:10.3969/j.issn.1005-8192.2004.06.009
随着社会可持续发展战略的实施和人们环境意识的加强,无铅压电陶瓷及其应用已成为了当前铁电压电材料及其应用研究的热点.本文根据近期国内外有关无铅压电陶瓷的发展,结合本课题组肖定全教授等近年在无铅压电陶瓷的研究,对无铅压电陶瓷的研究进展及应用现状进行了综述,重点介绍了BaTiO3基、Bi1/2Na1/2TiO3基、碱金属铌酸盐基、钨青铜结构和铋层状结构五大体系无铅压电陶瓷的性能、本课题组主要发明的无铅压电陶瓷体系以及BNT基无铅压电陶瓷在滤波器上的应用和发展前景.
关键词:
无铅压电陶瓷
,
压电性能
,
陶瓷滤波器
李桂英
,
余萍
,
于光龙
,
王欢
,
肖定全
功能材料
碳酸钡和碳酸锶是无机盐化工基础原料,钡、锶的醇盐或醋酸盐都需通过其碳酸盐制备而得,本文探索了一种有利于降低成本的新实验路线和更为原子经济的新工艺.直接采用碳酸盐为原料,采用solgel法制备了Ba0.8Sr0.2TiO3(BST)薄膜;并利用X射线衍射(XRD)、原子力显微镜(AFM)和X射线光电子能谱分析(XPS)等对BST薄膜的晶体结构和表面形貌及化学组态进行了分析.结果表明,利用碳酸盐代替醋酸盐为原料,采用so1-gel技术制备BST铁电薄膜,能制备出均匀清澈的溶胶;所制备的BST薄膜均匀致密,几乎为全钙钛矿结构.化学组态分析也表明所制备的薄膜中的钡、锶、钛、氧4种元素都以钙钛矿相结构中各元素相应的化学态存在.
关键词:
碳酸盐
,
so1-gel法
,
Ba0.8Sro.2TiO3
,
铁电薄膜
陈湘
,
陈云贵
,
唐永柏
,
肖定全
中国稀土学报
doi:10.11785/S1000-4343.20150307
以LaFe11.6Si1.4合金为研究对象,系统分析了该一级相变材料的居里温度(Tc)、磁场诱导磁相变的临界磁场(Hc)、磁化率(x)、磁滞、磁熵变(△S)、制冷能力(RCP)等磁性特性.结果表明:温度诱导磁相变的居里温度和磁场诱导磁相变的临界磁场均随磁场呈线性增加,ATC和△H随磁场和温度的变化率的值分别为4.1 K·T-1和0.2 T·K-1.当合金处于纯铁磁态和顺磁态时熵变磁熵变几乎为零,但磁场诱导的磁相变,会导致某一定温度下合金磁熵变有一个突变.但合金最大熵变并不是随磁场的增加而线性增加,当磁场达到一定值后随磁场增加其值基本没有变化.不同模型计算的制冷能力均随磁场的增加而呈线性增加.在两相共存态中,同一温度下两种不同铁磁的磁化率存在差异,即因磁场诱导的铁磁态相与合金中本身的铁磁态相的磁化率存在差异,且前者小于后者,这种物理现象对深入研究温度诱导和磁场诱导磁相变的差异有一定的参考价值.
关键词:
一级相变
,
磁熵变
,
滞后
,
两相共存
,
稀土
刘洋
,
余萍
,
肖定全
,
田云飞
,
刘旭
,
李园利
功能材料
采用化学溶液沉积技术,在单晶硅衬底上制备了钼酸锶多晶薄膜;利用XRD和SEM分析了薄膜的晶相和形貌;系统研究了化学溶液沉积制备钼酸锶多晶薄膜中的工艺参数,包括化学溶液的组成(醇、酸的含量)、溶液浓度、热处理工艺以及采用不同的锶盐等,对钼酸锶薄膜生长的影响.研究结果表明,采用化学溶液沉积技术制备的钼酸锶多晶薄膜均具有单一的四方相结构;除溶液中的醇含量之外,所讨论的工艺参数对薄膜的相结构、形貌、显露晶面等均会带来一定的影响;优化工艺参数、控制工艺规范对于获得结构致密、晶粒发育良好的钼酸锶薄膜是非常重要的.
关键词:
化学溶液沉积技术
,
钼酸锶
,
薄膜
,
工艺参数
,
晶相
金晓玲
,
余萍
,
肖定全
,
陈连平
,
杨祖念
,
毕剑
功能材料
采用恒电流电化学技术,在一定浓度Ba(OH)2溶液中,于室温环境下在金属钨片上制备了BaWO4多晶薄膜.利用XRD和SEM测试手段分析表征了薄膜的晶相和表面形貌;对比讨论了金属钨片表面质量、电流密度以及溶液浓度对沉积薄膜的表面形貌及晶粒生长形态的影响.研究表明,在本实验条件下制得的BaWO4多晶薄膜均具有单一的四方相结构;衬底表面质量对沉积薄膜的表面平整度有很大的影响;电流密度的大小影响晶粒几何尺寸;晶粒显露面族及几何外形因溶液浓度的改变而变化.
关键词:
BaWO4
,
恒电流技术
,
电化学
,
薄膜
吴家刚
,
朱基亮
,
朱建国
,
于光龙
,
袁小武
,
肖定全
功能材料
采用射频磁控溅射技术在室温淀积、其后在700℃下退火10min,制备了(Pb,La)TiO3(简记为PLT)铁电薄膜.利用XRD研究了薄膜的结晶性;利用XPS研究了薄膜表面的化学成分、组分以及表面原子的化学价态;利用SEM研究了薄膜的断面.薄膜结构分析结果表明,在一定的制备工艺条件下,薄膜制备时间的长短对薄膜结晶性能的影响不大;XPS波谱分析表明,所测得的元素有Pb、La、Ti、O和C,其中C元素是薄膜在制备或测试过程中的污染,薄膜中没有其它杂质元素;由断面的SEM分析可知,在本论文采用的制备工艺条件下,薄膜与基底之间基本上没有互扩散,薄膜与基底的界面比较清楚.
关键词:
射频磁控溅射
,
铁电薄膜
,
(Pb,La)TiO3
,
XRD
,
XPS
,
SEM
