李永升
,
帅茂兵
,
周元林
,
陈慧
,
唐贤臣
,
董发勤
,
肖斌
功能材料
采用化学气相沉积聚合制备的聚氯代对二甲苯膜(简称PC膜)具有优异的阻隔性能,在多个行业得到广泛的应用.但其耐冲击性能较差,影响了其在某些领域的应用.通过在其表面涂覆柔韧性好的材料以提高其耐冲击性能是一种可选的改进方案.针对PC膜保护研制了一种紫外光固化漆并对其相关性能进行了表征.结果表明,研制的漆膜具有优异的附着力(0级)、柔韧性、耐酸碱性,漆膜对PC膜断裂伸长率和耐冲击强度都有显著提高；固化漆膜不降低PC膜对水蒸气的阻隔性能,而复合膜对空气和氢气阻隔性能有所增强.
关键词:
聚氯代对二甲苯膜
,
紫外光固化漆
,
附着力
,
力学性能
,
阻隔性能
周艺
,
欧衍聪
,
郭长春
,
肖斌
,
何文红
,
黄岳文
,
金井升
材料导报
采用PECVD法,通过优化工艺参数,创新性地在多晶硅表面沉积了双层SiNx膜,并对其少子寿命、反射率及电性能进行分析.结果表明,对比传统多晶硅太阳电池生产采用的单层SiNx镀膜工艺,本工艺可有效延长多晶硅少子寿命、增强光谱吸收、降低多晶硅的表面反射率,其电性能明显提高,中短路电流提高了100mA,光电转换效率提高了1.34％.
关键词:
多晶硅太阳电池
,
PECVD
,
双层SiNx膜
肖斌
,
王建华
,
苏旭平
,
尹付成
,
刘希林
电镀与涂饰
利用SEM-EDS,EPMA等手段对连续镀锌板镀层组织和成分进行了分析.结果表明:带钢表面碳沉积,镀层中出现铁锌中间相,镀层分层,镀层中夹杂固体杂质,钢板表面过度氧化等是导致镀层粘附性不良的主要原因.
关键词:
连续镀锌
,
粘附性
,
碳沉积
,
中间相
周艺
,
欧衍聪
,
郭长春
,
肖斌
,
何文红
,
胡旭尧
材料科学与工程学报
采用PECVD法在多晶硅基底上沉积双层SiN；薄膜，研究了工艺参数对其膜厚、折射率、沉积速率、HF腐蚀速率及光电性能等的影响，并提出了优化的SiNx减反膜PECVD制备工艺。研究发现：衬底温度、射频频率、射频功率、腔室压力对SiNx薄膜性能均有重要影响，且优化工艺后的双层SiNx薄膜能有效提高多晶硅太阳电池光电性能。
关键词:
双层SiNx
,
减反膜
,
工艺参数
,
薄膜性能
刘希林
,
肖斌
,
苏旭平
,
刘学良
,
王建华
,
何猛
材料保护
锌渣被高速运行的带钢带出后,在气刀的作用下摩擦带钢表面造成镀层缺陷处的锌晶粒比正常区域的锌晶粒细小,导致缺陷处对光的反射率不同于正常区域,从而在镀锌板表面表现出条锌特性.对涟钢带钢连续镀锌板出现的特殊条锌缺陷进行了分析和探讨,提出了各种控制和减少条锌缺陷的措施,如减少锌锅中的锌渣形成、调节气刀参数等,在生产应用中取得了良好的效果.
关键词:
连续镀锌板
,
特殊条锌缺陷
,
锌渣
吴晨刚
,
王高潮
,
肖斌
,
耿启冬
钛工业进展
doi:10.3969/j.issn.1009-9964.2009.05.004
采用应变速率循环法(基于时间间隔)研究了TA15合金的超塑性.在变形温度分别为850,900,950℃,应变速率范围为5×10-6-5×10-4s-1的实验条件下,考察了工艺参数对流变应力、m值及其超塑性的影响.结果表明,TA15合金具有较好的超塑性,最佳变形温度为900℃,伸长率为846%.
关键词:
应变速率循环
,
TA15
,
高温拉伸
,
超塑性
,
应变速率敏感性指数
段萍
,
罗玉萍
,
肖斌
,
朱忠其
,
柳清菊
材料导报
采用溶胶-凝胶法制备了铁掺杂二氧化钛粉体(Fe-TiO2),采用XRD、UV-Vis、PL、纳米粒度分析仪等方法对其进行表征和分析.结果表明,Fe掺杂降低了TiO2的相转变温度,拓展了TiO2对可见光的吸收范围,有效地抑制了光生电子-空穴对的复合.光催化降解亚甲基蓝(MB)的实验表明,Fe-TiO2粉体在普通日光灯下对亚甲基蓝的降解率达90.36％,明显优于德国Degussa公司生产的P25纯TiO2光催化剂对亚甲基蓝的降解率43.58％.
关键词:
纳米TiO2光催化剂
,
Fe掺杂
,
光催化活性
段萍
,
罗玉萍
,
肖斌
,
朱忠其
,
柳清菊
材料导报
二氧化钛是一种重要的光催化剂,在环保、清洁能源等领域都有很高的应用价值,但较宽的禁带使其不能得到广泛的应用,因此对它进行掺杂改性,使其能吸收可见光,提高光催化效率至关重要.综述了硫掺杂对二氧化钛改性的机理,总结了掺杂对二氧化钛的晶体结构、电子结构及光学性质的影响,并指出了硫掺杂二氧化钛研究中存在的主要问题.
关键词:
硫离子掺杂TiO2
,
光催化剂
,
微观结构
周艺
,
肖斌
,
黄燕
,
金井升
,
郭长春
,
欧衍聪
材料导报
重点研究了多晶硅扩散氧化层对电池性能的影响,并对大规模生产多晶硅扩散工艺进行了优化研究.采用少子寿命测试仪分析了扩散前后的硅片少子寿命,发现当扩散氧化时的干氧流量控制在2800sccm,扩散后的方块电阻控制在60～70Ω/□时,扩散后硅片少子寿命最高达到了10.45μs,与扩散前的硅片少子寿命相比延长了5倍多;此时的太阳电池并联电阻和短路电流分别高达40.4Q和8522mA,光电转换效率也由16.69％(干氧流量2000sccm)提高到了16.83％.此外,主要针对扩散氧化层对片内方阻均匀性及少子寿命的影响做了解释.
关键词:
扩散
,
氧化层
,
少子寿命
,
太阳电池
,
多晶硅
