张小桃
,
谢建军
,
夏长泰
,
张晓欣
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肖海林
,
赛青林
,
户慧玲
人工晶体学报
作为垂直结构的GaN基LED新型衬底材料,β-Ga2 O3单晶已经引起了人们的广泛关注.β-Ga2O3单晶的导电性是通过掺杂来实现的,Sn4掺入是其中一种很好提高-Ga2O3导电性的方法.利用光学浮区法生长了尺寸为5×20 mm2,掺杂浓度为10％的掺锡氧化镓单晶(Sn∶ β-Ga2O3),并对Sn∶ β-Ga2O3单晶的缺陷密度、导电和荧光光谱特性进行了研究.结果表明:实验制得Sn∶β-Ga2O3样品的线缺陷约为6.51×105/cm2,掺入Sn4+杂质后β-Ga2 O3的电导率增加,样品的最高电导率为2.210 S/cm,同时Sn4+的掺入会抑制β-Ga2O3的红绿光发射.
关键词:
Sn∶β-Ga2O3
,
浮区法
,
电导率
,
荧光光谱
张宏哲
,
王林军
,
夏长泰
,
赛青林
,
肖海林
人工晶体学报
本论文综述了宽禁带半导体β-Ga2O3材料的研究进展,包括晶体结构,生长方法,掺杂离子,光学性质和电学性质.β-Ga2O3可以作为GaN基LEDs的潜在衬底,同时它也在MOSFET和紫外光探测器方面有着重要的应用前景.
关键词:
β-Ga2O3
,
晶体生长
,
LED
,
MOSFET
,
紫外光探测器
肖海林
,
邵刚勤
,
赛青林
,
夏长泰
,
周圣明
,
易学专
无机材料学报
doi:10.15541/jim20160135
通过光学浮区法生长了不同浓度的β-(Al,Ga)2O3混晶.当Al3+掺杂浓度达到0.26的时候,晶体生长出现开裂现象.进行X射线衍射分析,结果表明所得β-(Al,Ga)2O3混晶保持了β-Ga2O3的晶体结构,晶体没有出现其他杂质相,并且随着Al3+浓度的增加,晶格常数a、b、c减小,β角增大;核磁共振光谱显示Al的确进入了Ga的格位并且取代了Ga的四配位和六配位格位,两者的比例约为1∶3.通过测试β-(Al,Ga)2O3混晶的透过光谱,得出β-(Al,Ga)2O3混晶的禁带调节范围为4.72～5.32 eV,扩大了β-Ga2O3晶体在更短波段的光电子探测器方面的应用.
关键词:
β-Ga2O3
,
Al3+
,
禁带宽度
,
半导体
鲁云华
,
赵洪斌
,
迟海军
,
董岩
,
肖国勇
,
胡知之
绝缘材料
以1,4-双(4-氨基-2-三氟甲基苯氧基)苯(6FAPB)为含氟二胺单体,均苯四甲酸二酐(PMDA)和1,2,3,4-环丁烷四酸二酐(CBDA)为二酐单体,经低温溶液缩聚反应得到聚酰胺酸,再经热酰亚胺化处理制备出含氟共聚聚酰亚胺(CPI)薄膜.采用红外(IR)、紫外(UV-Vis)、溶解性测试等对CPI进行结构与性能表征,考察两种二酐单体的不同物质的量之比对共聚聚酰亚胺光学性能和溶解性的影响.结果表明:随着脂环二酐CBDA摩尔配比的增加,CPI薄膜在410 nm处的光透过率逐渐增加,薄膜颜色逐渐变浅,溶解性有所改善.
关键词:
聚酰亚胺
,
共缩聚
,
含氟
,
结构与性能
魏坤霞
,
孙园
,
魏伟
,
杜庆柏
,
胡静
材料导报
doi:10.11896/j.issn.1005-023X.2014.16.020
以铝粉、铜粉、石墨和高碳为原料,酚醛树脂为粘结剂,通过机械混捏-冷压成型-加热固化制备了金属/碳石墨复合材料.研究了铝粉和铜粉添加量、成型压力对复合材料体积密度、肖氏硬度的影响.根据实验数据拟合,建立了金属/碳石墨复合材料体积密度、肖氏硬度与金属粉含量之间的定量关系.在10～15 MPa下铝粉含量为20％～25％时,铝/碳石墨复合材料的最大体积密度约为1.71 g/cm3、最大肖氏硬度约为84HS;在15 MPa下铜粉含量为25％时,铜/碳石墨复合材料的体积密度达到1.84 g/cm3,肖氏硬度达到90HS.因此,铜/碳石墨复合材料更适宜用于机械密封.
关键词:
金属/碳石墨
,
复合材料
,
体积密度
,
肖氏硬度
