谭敏
,
刘一宁
,
刘建华
,
胡伟达
表面技术
doi:10.16490/j.cnki.issn.1001-3660.2017.03.035
目的 提高锌电积中铝阴极表面耐腐蚀性能,从而延长其使用寿命,降低生产成本.方法 对铝阴极采用不同的表面处理工艺,对耐腐蚀处理后的铝阴极进行了铜加速乙酸盐雾试验、电液腐蚀失重试验和工业扩大化试验研究,考察其耐腐蚀性能.结果 在经历120 h盐雾腐蚀后,溶胶-硬脂酸封闭试样仅9.5％的表面被腐蚀,沸水封闭、铈盐封闭试样表面分别有50％与27％左右的面积遭到腐蚀破坏,出现腐蚀孔与腐蚀裂纹,而未经处理的普通铝板表面则已完全被腐蚀破坏.在电解液腐蚀失重试验中腐蚀32 min后,溶胶-硬脂酸封闭试样的单位面积失重达到0.4 mg/cm2,沸水封闭、铈盐封闭试样的单位面积失重较为相近,均在0.9 mg/cm2左右,普通铝板的单位面积失重高达1.3 mg/cm2.工业扩大化试验中,溶胶-硬脂酸封闭后的铝阴极在锌电积生产40d期间失重约为1.8％且其电流效率保持在91％左右,而普通铝阴极失重则达7.7％.使用90 d后,溶胶-硬脂酸封闭的铝阴极板还能正常使用,而普通铝阴极由于腐蚀破坏需要更换.结论 采用沸水封闭、铈盐封闭和溶胶-硬脂酸封闭处理后的铝阴极板耐腐蚀性能均有相应提高,其中以溶胶-硬脂酸封闭工艺最佳.可见表面封闭法对于提高铝阴极耐蚀性延长使用寿命起到了较好作用,同时也保持了较高的电流效率.
关键词:
锌电积
,
耐蚀性
,
盐雾实验
,
溶胶-硬脂酸封闭工艺
,
铝阴极
于杰
,
王茺
,
杨洲
,
胡伟达
,
杨宇
人工晶体学报
本文利用二维数值模拟方法,模拟分析了不同工作温度时绝缘层上应变SiGe沟道p-MOSFET的输出特性和亚阈值特性.结果表明:随着器件工作温度的不断提高,漏源饱和电流单调减小；亚阈值电流略有增大；亚阈值摆幅的改变量ΔS与温度基本上成线性关系；阈值电压不断地向正方向偏移.通过考虑自热效应的影响,不同Ge组分器件的漏源饱和电流均有不同程度的降低,且随着Ge组分的增加,漏源饱和电流的降低幅度增大.
关键词:
温度
,
应变SiGe沟道
,
p-MOSFET
,
自热效应
肖文
,
万隆
,
张珍容
,
胡伟达
,
王志起
,
翟浩冲
材料导报
以表面构筑了TiO2纳米管阵列的金属钛为基底,采用溶胶-凝胶工艺和浸渍-提拉技术涂覆介孔SiO2 薄膜,构建了TiO2纳米管/介孔SiO2复合膜.利用SAXRD、FTIR、HRTEM和FESEM等表征样品的结构和微观形貌.研究表明,在高度有序、规整排列的TiO2纳米管阵列基底上,利用溶胶-凝胶工艺和浸渍-提拉技术涂覆有六方相介孔SiO2薄膜的复合膜具有良好的生物活性.
关键词:
TiO2纳米管
,
有序介孔
,
SiO2薄膜
,
溶胶-凝胶
,
浸渍-提拉
,
生物活性
陈茂开
,
万隆
,
刘小磐
,
胡伟达
,
王俊沙
,
翟浩冲
材料导报
以高岭土、SiC粉末、Al2O3粉末为主要原料,采用添加造孔剂法制备了SiC/莫来石复相多孔陶瓷,探讨了烧结温度对多孔陶瓷的气孔率、体积密度、抗折强度等的影响.分别采用X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜( SEM)表征了样品的物相组成与断面形貌.结果表明,以淀粉为造孔剂,在1350℃下保温2h制备的样品综合性能最佳,其孔隙率为31.40％,抗折强度达到42.50MPa.
关键词:
碳化硅
,
莫来石
,
多孔陶瓷
,
烧结温度
,
造孔剂
王洪涛
,
王茺
,
李亮
,
胡伟达
,
周庆
,
杨宇
功能材料
利用三维器件模拟软件,研究了深亚微米三栅FinFET的短沟道效应,并模拟了阈值电压和亚阈值摆幅随硅鳍(fin)厚度和高度的变化情况.通过优化硅鳍厚度或高度,可以有效的控制短沟道效应.在进一步对深亚微米三栅FinFET的拐角效应进行二维数值模拟的过程中,并未观察到由拐角效应引起的泄漏电流.与传统的体硅CMOS结构有所不同,拐角效应并未使得深亚微米三栅FinFET性能变差,反而提高了其电学性能.
关键词:
三栅FinFET
,
短沟道效应
,
亚阈值摆幅
,
拐角效应
翟浩冲
,
万隆
,
胡伟达
,
刘小磐
,
张国威
,
王志起
材料导报
通过差示扫描量热分析仪、线膨胀测试仪、扫描电镜等手段研究了Li2O和ZnO的相对含量对Li2OZnO-K2O-SiO2-Al2O3-B2O3体系结合剂及磨具性能的影响.结果发现,随着m(Li2O):m(ZnO)比值的减小,结合剂的软化点温度、耐火度先降低后升高,而结合剂的膨胀系数、流动性以及磨具的抗弯曲强度先增加后减小,结合剂的化学稳定性增强;当m(Li2O)∶m(ZnO)=2时,结合剂的耐火度为770℃,流动性为140.21%,线膨胀系数为6.4267×10-6K-1,化学稳定性好,该结合剂可以实现磨具的低温烧成,防止cBN磨料的高温侵蚀,高温下熔化完全、流动性好,对cBN磨粒的包裹性好,提高了磨具强度,其抗弯曲强度为62.37MPa.
关键词:
碱金属氧化物
,
陶瓷结合剂
,
立方氮化硼
,
性能
王鲜
,
郭丽玲
,
胡伟达
,
刘韩星
,
欧阳世翕
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2004.04.023
有机-无机分子组装层状类钙钛矿材料在分子水平上结合了有机组分和无机组分的优点, 无机组分通过强的共价键或离子键形成扩展的骨架,并将有机组分填入框架中形成有机层与无机 层交替的结构,具有某些电学、光学、磁学等特性.在此主要介绍了有机-无机分子组装层状类钙 钛矿材料的结构及相关的性能研究.
关键词:
有机-无机分子组装
,
层状类钙钛矿
,
有机组分
,
无机组分
,
结构
,
性能
王洪涛
,
王茺
,
胡伟达
,
杨洲
,
熊飞
,
杨宇
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2010.04.003
本文基于亚阈值电流和表面势模型的基础上,采用商用器件模拟软件,建立了短沟道n-MOSFET的结构和物理模型,对器件的亚阈值电流进行了2-D数值模拟.计算了不同沟道掺杂浓度、氧化层厚度以及沟道长度对器件亚阚值电流的影响,并对模拟结果进行了系统的理论分析,数值模拟结果和解析模型能够在亚阈值区很好的吻合.
关键词:
短沟道n-MOSFET
,
亚阈值电流
,
解析模型
,
数值模拟
方文俊
,
万隆
,
王俊沙
,
胡伟达
,
刘会娟
,
时丹
人工晶体学报
以R2O-ZnO-Al2O3-SiO2-B2O3体系玻璃为粘结剂,空心玻璃微珠为载体,240#SiC为磨料,稀释水玻璃为润湿粘结剂,采用滚球法制备了球形空心堆积SiC磨料.研究了粘结剂性质、润湿粘结剂用量和玻璃质粘结剂含量等对堆积磨料制备、形貌和结构的影响,并考察了用其制备的砂带的磨削性能.结果表明:玻璃质粘结剂量为5wt％,750℃温度下烧结,粘结剂产生的液相能对SiC磨料进行包裹和产生较强的粘结力.润湿粘结剂量为242 mL/kg干物料时,堆积磨料粒径在1.0～1.4 mm范围内成球率达到最大值为95％.空心球堆积SiC磨料砂带240#最大磨削比为71∶1,标准材料切除率ZW为0.89 mm3/mm·s.
关键词:
玻璃质粘结剂
,
空心玻璃微珠
,
堆积SiC磨料
,
滚球法
,
磨削比
王俊沙
,
万隆
,
胡伟达
,
翟浩冲
,
王志起
,
韩雪
复合材料学报
以液态环氧树脂为结合剂、金刚石为磨料、纳米SiO2为增强材料，采用浇注法制备了金刚石磨块，并研究了其性能。结果表明：促进剂与成型料的总质量比0．25％、固化工艺为130℃／4h＋160℃／2h时，磨块可获得较好的固化效果；金刚石表面经过硅烷偶联剂或镀Ni处理均可提高磨块的耐磨性，磨削比分别提高15．0％和32．5％；添加经硅烷偶联剂改性后的纳米SiO2可均匀分散于磨块体系中，起到质点增强的作用，且其质量分数为4％时，磨块的抗弯强度和洛氏硬度最大，分别达到106MPa和HRB56。
关键词:
性能
,
环氧树脂
,
金刚石磨块
,
纳米SiO2
,
浇注
