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含氟共聚聚酰亚胺的合成与性能研究鲁云华,赵洪,迟海军,董岩,肖国勇,知之

鲁云华 , 赵洪 , 迟海军 , 董岩 , 肖国勇 , 知之

绝缘材料

以1,4-双(4-氨基-2-三氟甲基苯氧基)苯(6FAPB)为含氟二胺单体,均苯四甲酸二酐(PMDA)和1,2,3,4-环丁烷四酸二酐(CBDA)为二酐单体,经低温溶液缩聚反应得到聚酰胺酸,再经热酰亚胺化处理制备出含氟共聚聚酰亚胺(CPI)薄膜.采用红外(IR)、紫外(UV-Vis)、溶解性测试等对CPI进行结构与性能表征,考察两种二酐单体的不同物质的量之比对共聚聚酰亚胺光学性能和溶解性的影响.结果表明:随着脂环二酐CBDA摩尔配比的增加,CPI薄膜在410 nm处的光透过率逐渐增加,薄膜颜色逐渐变浅,溶解性有所改善.

关键词: 聚酰亚胺 , 共缩聚 , 含氟 , 结构与性能

连铸保护渣析晶行为的研究现状及展望

朱立光 , , 王杏娟 , 马坤霞 , 韩毅华

材料导报

介绍了保护渣析晶行为对于铸坯向结晶器传热的影响机理、保护渣结晶的热力学和动力学条件,以及国内外学者对于保护渣析晶行为研究的进展,同时还指出了将保护渣玻璃层的升温析晶纳入保护渣析晶行为研究的重要性.

关键词: 保护渣 , 传热 , 析晶

稀土对低铬合金模具钢性能的影响

孟繁琴 , 朱旭霞 , 芦亚萍 , 袁云龙 , , 王涛

稀土 doi:10.3969/j.issn.1004-0277.2009.05.013

研究了稀土对低铬合金模具钢性能的影响,实验结果表明,稀土含量在0.1%左右时,效果显著,稀土对碳化物尺寸、组织的细化与合金元素的相互作用以及对有害元素的影响等的综合作用效果好.

关键词: 合金钢 , 模具钢 , 稀土 , 性能

高纯氧化钇中痕量稀土杂质的柱分离富集和测定

黄卫红 , 蔡冰 , , 江祖成

中国稀土学报

对离子交换色层与电感耦合离子体原子发射光谱(ICP-AES)联用进行改进,用于高纯氧化钇中痕量稀土杂质的快速分离富集和测定.采用α-羟基异丁酸(α-HIBA)作淋洗剂,对影响分离过程的主要因素(酸度、流速、试剂浓度等)、稀土杂质与试剂(α-HIBA)的再分离进行了研究.结果表明,分离可在8 h内完成,多数待测稀土元素的平均回收率为80%~104%,可用于纯度为99.999%~99.9999%的高纯氧化钇分析.

关键词: 稀土 , 高纯氧化钇 , 痕量稀土杂质 , 离子交换色层 , ICP-AES

挤压工艺对Mg-0.6Zr-0.5Y合金力学和阻尼性能的影响

于文浩 , 李宁 , 颜家振 ,

功能材料

系统地研究了挤压温度和挤压比对Mg-0.6Zr-0.5Y合金力学和阻尼性能的影响规律.采用光学金相显微镜、电子式万能试验机及动态机械分析仪(DMA)等手段分析合金显微组织、力学和阻尼性能的变化,并讨论了晶粒细化与合金力学和阻尼机理之间的内在联系.研究发现,合金在挤压过程中发生了动态再结晶,晶粒显著细化,使综合力学性能得到提高;铸态合金阻尼性能最高,经挤压后,阻尼性能显著下降,且随着挤压温度降低、挤压比增加,合金阻尼性能逐渐下降.合金阻尼性能随挤压工艺的变化可用G-L位错钉打扎-脱钉模型来解释.

关键词: Mg-0.6Zr-0.5Y合金 , 挤压工艺 , 晶粒细化 , 力学性能 , 阻尼性能

JZC-1M/027-01继电器失效机理分析

孙静 , 王全 , , 会能

材料工程 doi:10.3969/j.issn.1001-4381.2003.z1.057

通过对JZC-1M/027-01继电器进行失效分析,认为继电器失效原因是由于中簧片在焊接部位产生断裂,导致中簧片不能回弹,在继电器加电时中簧片与常开簧片接触,断电后不能复位,使中簧片与常开簧片为短路状态.断裂簧片脆性断裂的原因是簧片在焊接过程中曾经较长时间受到较高温度的作用,导致热影响区(断裂部位)晶粒长大,晶界变粗且弱化,在继电器工作过程中,由于该部位多次受到应力作用而产生脆性断裂.正常簧片在热影响区未发现类似现象.

关键词: 继电器 , 断裂

纳米锐钛矿型TiO2薄膜的制备及分析

辛荣生 , 林钰 , 蔡彬 ,

稀有金属 doi:10.3969/j.issn.0258-7076.2011.02.018

采用反应磁控溅射法在玻璃衬底上制备锐钛矿相TiO2薄膜,研究了工艺条件中的氧氩流量比对薄膜润湿角的影响以及溅射气压对薄膜微观结构的影响.对不同氧氩流量比(分别为1/40,1/20,1/10和1/5)时制备的TiO2薄膜进行润湿角测量,润湿角照片显明:氧氩比1/5时薄膜润湿角可减小到8°左右,即提高氧氩比能增强TiO2薄膜的自洁净性能.X射线衍射(XRD)分析表明:当溅射气压降到1.0 Pa时,可以得到锐钛矿型TiO2薄膜晶体,0.5Pa时的XRD图衍射峰更为明显.用分光光度计测量了TiO2薄膜的紫外吸收光谱.由光谱曲线上光吸收阈值与半导体带隙之间的关系计算出了TiO2薄膜的禁带宽度为3.42 eV,表明TiO2薄膜的吸收边出现了一定的蓝移.根据 XRD图谱计算TiO2薄膜的晶粒尺寸,得到的薄膜晶粒尺寸在十几纳米左右,由此说明了TiO2薄膜吸收边发生蓝移的原因;按照锐钛矿相TiO2薄膜XRD图25.3°衍射峰对应的(101)晶面,由Bragg方程计算出其晶面间距为0.3521 nm.表明TiO2薄膜晶体发生了一定的晶格畸变.

关键词: 磁控溅射 , TiO2薄膜 , 润湿角 , 禁带宽度

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