范良千
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罗鸿兵
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陈凤辉
膜科学与技术
正渗透技术是采用选择性渗透膜两侧渗透压差作为驱动力的一种膜分离过程.由于具有低能耗、低膜污染、高回收率等优势,正渗透技术近年得到了广泛的关注.介绍了正渗透技术的过程及特征,对正渗透技术的海水淡化、污水处理和能源开发方面进行了综述,在此基础上,对正渗透技术面临的挑战进行分析.今后,正渗透的膜制备方面应当注重解决由膜引起的内浓差极化、汲取液反向渗透等问题;汲取液配制和选择应关注能减小内浓差极化的汲取液.
关键词:
正渗透
,
水处理
,
能源开发
,
渗透压差
程军
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杨学明
,
杨晓勇
,
王昌燧
,
王巨宽
稀土
doi:10.3969/j.issn.1004-0277.2000.04.001
本文利用ICP-MS对新石器时代良渚文化瑶山遗址出土的古玉器进行了稀土元素分析,并与产于新疆和阗玉石矿的软玉进行了对比.结果表明,瑶山古玉器的稀土元素配分型式、特征比值均明显不同于和阗玉,说明良渚文化玉器的玉石应选自当地,这与李约瑟[1]教授认为中国古玉器都源于新疆和阗的论点不同.
关键词:
良渚玉器
,
ICP-MS
,
稀土元素(REE)
,
产地分析
袁军平
,
黄云光
,
王昶
黄金
doi:10.11792/hj20130903
针对冲压千足金首饰出现的“生锈”问题,进行了生锈产品的检测分析,并对首饰生产过程和生产现场进行了调查。其结果表明,“生锈”千足金的整体成色满足标准要求,“生锈”问题源于生产过程中表面及次表面出现的异质点在饰品蘸酸处理时被腐蚀而形成显微孔洞。如果显微孔洞内的残液或酸洗物不能彻底清除,将继续对异质点产生腐蚀作用,在放置过程中腐蚀产物会逐渐向外扩散形成了变色斑区。为避免冲压千足金首饰的“生锈”问题,根本的解决办法是加强生产环境管理和过程控制,消除表面或次表面的异质点。
关键词:
冲压
,
千足金
,
首饰
,
生锈
袁军平
,
李卫
,
王昶
,
黄宇亨
电镀与涂饰
电铸硬千足金饰品具有成色高、硬度高、可佩戴、耐磨损、轻巧等特点,突破了传统千足金首饰品的局限,得到了市场的青睐.但作为薄壁中空铸件,在生产和使用过程中会遇到变形问题.本文从产品结构、壁厚、电铸液、电铸工艺条件、操作方法等方面分析了电铸硬千足金饰品产生变形的原因,提出了相应的解决措施.
关键词:
饰品
,
硬千足金
,
电铸
,
变形
,
硬度
张荣红
,
裴景成
,
兰艳頔
黄金
doi:10.3969/j.issn.1001-1277.2011.10.002
千足黄金首饰的硬化工艺是目前国内首饰行业关注的一个热点问题.根据金属材料硬化机理,结合黄金首饰不同生产工艺流程,提出了千足黄金首饰的硬化工艺为冶金法、渗氮法、纳米粉末法和电铸法,并对冶金法和渗氮法进行了探索性实验.实验结果表明,目前冶金法可实现千足黄金强度增大到维氏硬度85kg/mm2,渗氮法可增加到维氏硬度58kg/mm2.纳米粉末法是通过粉末冶金烧结纳米金得到微晶千足黄金,提高了其强度,并可应用在首饰油压工艺中.电铸法硬化工艺已在首饰行业应用,但需进一步探讨硬化机理,以期对现有硬化工艺进行优化和标准化.
关键词:
千足黄金
,
首饰
,
硬化工艺
田兴玲
,
李志林
,
马清林
,
周霄
稀有金属材料与工程
通过对大足的千手观音的金箔进行三维视频显微分析、扫描电镜分析(能谱仪)、红外光谱分析和色差计分析,对比主像两侧金箔表面物质组成,并进一步探讨金箔表面变色的原因.结果发现,暗色金箔表面含有大量CaSO4颗粒,而亮色金箔表面却未发现石膏产物,且暗色金箔表面覆盖物和其下金胶油上都分布有大量的CaSO4颗粒.
关键词:
千手观音
,
金箔
,
覆盖物
袁军平
,
李卫
,
卢焕洵
,
黄宇亨
,
陈绍兴
黄金
针对传统千足金饰品存在的硬度低、易变形磨损、款式单调、工艺价值和艺术价值不高等问题,介绍了电铸硬千足金饰品的特点,并结合中国民众对黄金饰品的偏好习惯及国际金价的走势,分析了电铸硬千足金饰品的市场前景.同时,分析了电铸硬千足金工艺现状,指出了无氰工艺更符合绿色环保的要求,是电铸硬千足金的主要发展方向.针对当前无氰电铸硬千足金工艺在生产过程中存在的主要问题,需要进一步完善电铸液体系,开发出稳定性更好、价格更低廉的添加剂,同时企业要不断积累生产经验和提高管理水平,以降低硬千足金饰品的生产成本.
关键词:
电铸硬千足金
,
饰品
,
无氰工艺
刘晓伟
,
郭会斌
,
李梁梁
,
郭总杰
,
郝昭慧
液晶与显示
doi:10.3788/YJYXS20142904.0548
纯铝薄膜被广泛用作TFT LCD的金属电极,但纯铝薄膜在热工艺中容易产生小丘,对TFT的阵列工艺的良率有较大影响.本文用磁控溅射的方法在不同温度下沉积纯铝薄膜作为薄膜晶体管的栅极,并通过电学检测、扫描电子显微镜和应力测试等方法对不同温度下沉积的纯铝薄膜的小丘生长情况进行了研究.实验结果表明:纯铝成膜温度提高,薄膜的晶粒尺寸增大,退火后产生小丘的密度和尺寸明显降低,温度应力曲线中屈服点温度也相应提高.量产中适当提高成膜温度,可以有效抑制小丘的发生,提高TFT阵列工艺的量产良率.
关键词:
薄膜晶体管阵列工艺
,
磁控溅射
,
纯铝薄膜
,
小丘
,
量产良率