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二苯甲酰甲烷合成工艺改进研究

周勇 , 刘冰 , 李伟 , , 步向义

合成材料老化与应用

以苯甲酸甲酯和苯乙酮为原料,甲醇钠作碱,活性炭为脱色剂,二甲苯为溶剂,合成得到高纯度(99.5%)的二苯甲酰甲烷.产品结构经IR、1H NMR和13C NMR表征.和传统文献中报道的后处理脱色方法不同,本研究在反应液中直接加入活性炭,实现反应和脱色同步,提高了产品纯度,简化了产品后处理程序.

关键词: 二苯甲酰甲烷 , 合成 , 工艺改进

西安华电子油科技有限公司——新型环保电接触表面润滑保护材料

材料保护

西安华电子油科技有限公司是专业从事电接触表面的三防、润滑、保护材料研制和销售的高新技术企业。同时代销荏原优吉莱特(上海)贸易有限公司的电镀添加剂。

关键词: 保护材料 , 表面润滑 , 科技 , 电子 , 西安 , 电接触 , 环保 , 高新技术企业

高效液相色谱-荧光检测法测定敬毒素-Ⅰ的磷脂膜结合活性

曾雄智 , 皮建辉 , 梁宋平

色谱 doi:10.3321/j.issn:1000-8713.2007.06.007

毒素-Ⅰ(JZTX-Ⅰ)是一种能够抑制心肌钠通道失活的新型蜘蛛神经毒素,该文结合高效液相色谱与色氨酸荧光测定技术研究了JZTX-Ⅰ的磷脂膜结合活性.脂质体共沉淀实验表明,JZTX-Ⅰ具有不依赖于带负电荷磷脂组成的生物膜结合活性.当加入由酸性或中性磷脂构成的脂质体后,JZTX-Ⅰ能够分别产生6.4和4.7 nm的蓝移以及7.4和8.0 nm的红移激发漂移,显示JZTX-Ⅰ能够插入磷脂膜,同时该分子疏水表面的色氨酸残基处于一个运动受限的界面区域.荧光淬灭实验进一步证实,与脂质体结合能够减少该毒素分子表面色氨酸残基的溶剂暴露.该研究结果为阐明JZTX-Ⅰ的离子通道门控调节机制提供了新的信息.

关键词: 高效液相色谱 , 荧光谱 , 单层小脂质体 , 毒素-Ⅰ

毒素-V剪切体Y1-JZTX-V的化学合成与氧化复性及其钠通道活性鉴定

全妙华 , 曾雄智 , 皮建辉 , 邓梅春 , 梁宋平

色谱 doi:10.3321/j.issn:1000-8713.2007.04.011

应用芴甲氧羰基(Fmoc)固相方法化学合成了敬毒素-V(JZTX-V)分子N-端酪氨酸残基剪切体(Y1-JZTX-V),并且通过反相高效液相色谱和质谱对不同条件下的氧化复性结果进行监测,从而得到该剪切体的最佳氧化复性条件:0.1 mol/L Tris-HCl缓冲液、pH 7.50、1 mmol/L还原型谷胱甘肽(GSH)、0.1 mmol/L氧化型谷胱甘肽(GSSG)、样品浓度为0.05 mg/L、复性温度为4 ℃.膜片钳电生理实验结果显示敬毒素-V剪切体Y1-JZTX-V对大鼠背根神经节(DRG)细胞上表达的河豚毒素不敏感型(TTX-R)与河豚毒素敏感型(TTX-S)钠电流均有抑制作用,其半数抑制浓度(IC50)分别为(160±2.5)nmol/L和(39.6±3.2)nmol/L.与天然的敬毒素-V相比,该剪切体对大鼠DRG细胞上的TTX-S钠电流的抑制作用基本一致,但对TTX-R钠电流的抑制作用却大大降低,表明敬毒素-V分子N-端的酪氨酸残基是一个与TTX-R钠通道结合活性相关的氨基酸残基.

关键词: 化学合成 , 毒素-V剪切体 , 复性 , 钠离子通道

洛宁庄金银多金属矿床地质特征及找矿潜力分析

王宏运

黄金 doi:10.11792/hj20150804

庄金银多金属矿床位于熊耳山西段,通过对矿床地质特征及化探异常研究,认为本区金银矿脉分布具有分带性,且与异常分布相吻合,受区内拆离断层和北东向脆性断裂控制,矿床类型为构造蚀变岩型矿床,并对区内找矿标志进行了总结,对区内找矿潜力进行了分析。

关键词: 矿床特征 , 化探异常 , 金银矿床 , 找矿标志 , 找矿潜力 , 庄金银多金属矿床

40MnBH的研究

张海 , 于辉 , 姚风臣 , 刘德富

机械工程材料 doi:10.3969/j.issn.1000-3738.2001.06.005

利用逐步回归分析的方法,确定了40MnBH钢的淬透性与化学成分之间的回归方程,以便分析化学成分对淬透性的影响程度,并应用概率论推导出求解成分内控规范的联立方程,使淬透性合格概率大于97.5%.

关键词: 逐步回归 , 淬透性 , 联立方程 , 概率

激波内部的导热问题

黄为民 , 刘夷平

工程热物理学报

本文从实际气体有粘流的激波厚度解,用分子运动论讨论了激波内部导热问题,并且通过重组诺流和瑞利流的迭加提出了激波中导热问题的物理模型和相应的定态激波非平衡态不可逆过程的模型.证明了激波是一种负熵流波,是依靠激波波速输运热流的热波.

关键词: 激波 , 导热 , 不可逆 , 非平衡态 , 热波

Hg1-xMnxTe晶片电学参数的测量及分析

王泽温 , 介万奇 , 李宇杰 , 谷智

功能材料

采用德堡法分别在77K和室温下对多个Hg1-xMnxTe晶片的电学性能进行了测量,发现部分晶片在77K下的导电类型为p型,而在室温下却为n型.通过理论分析对此现象进行了解释.分析表明:Hg1-xMnxTe晶片中电子迁移率与空穴迁移率的比值较大和Hg1-xMnxTe的禁带较窄是造成晶片导电类型转变的主要原因.对所测其它电学参数的理论分析表明德堡法不适合用于Hg1-xMnxTe晶片室温时的载流子浓度和迁移率的测量,但仍可用其对晶片室温时的电阻率和霍尔系数进行测量.

关键词: Hg1-xMnxTe , 德堡法 , 导电类型 , 霍尔系数

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