代由勇
,
刘宜华
,
萧淑琴
,
张林
,
吴厚政
,
张延忠
金属学报
用射频溅射法制备了Cu夹层的Fe-Cu-Cr-V Si-B三明治膜,在不同条件下对样品进行了退火处理,在最佳退火条件下,样品的软磁特性得到明显改善,从而获得了优良的巨磁阻抗(GMI)效应.研究了GMI效应与交变电流频率f和外加直流磁场H关系在5 MHz的特征频率下,最大的横向阻抗比△ZH/Zm达91%.由于样品的三明治结构,横向磁阻抗比明显优于纵向.
关键词:
磁性薄膜
,
null
,
null
陈卫平
,
萧淑琴
,
王文静
,
刘宜华
金属学报
采用射频溅射法在单晶硅衬底上制备了
(Fe88Zr7B5) 0.97Cu0.03非晶软磁合金薄膜样品,
对沉积态样品的软磁性能和巨磁阻抗(GMI)效应进行了实验研究与机理分析．
结果表明, 未掺Cu元素的Fe88Zr7B5沉积态合金薄膜几乎无
GMI效应, 而掺了适量Cu元素的(Fe88Zr7B5) 0.97Cu0.03
合金薄膜在沉积态下即具有显著的GMI效应．在13 MHz频率下, 最大纵向磁
阻抗比达17%, 最大横向磁阻抗比为11%, 这表明
(Fe88Zr7B5) 0.97Cu0.03非晶合金薄膜在沉积态已具备优异的软磁性能和巨磁
阻抗效应．同时讨论了该薄膜样品的巨磁阻抗效应随频率的变化特性.
关键词:
Fe-Zr-B-Cu非晶薄膜
,
soft magnetic property
吴厚政
,
刘宜华
,
代由勇
,
张林
,
萧淑琴
金属学报
本文研究了磁场退火对CoFeNiNbSiB非晶薄带巨磁阻抗(GMI)效应的影响样品在不同条件下进行了退火热处理.结果表明,在300℃下经横向磁场退火处理后获得了最佳的软磁特性,从而得到了最大的GMI效应.在800 kHz的交变电流频率下,得到了236%的最大磁阻抗比.在低场下,材料的磁阻抗磁场灵敏度达到1152%/mT.
关键词:
巨磁阻抗效应
,
null
刘德镇
,
萧淑琴
金属学报
用高频溅射法制备了ＦｅＮｉＣｒＳｉＢ／Ｃｕ／ＦｅＮｉＣｒＳｉＢ膜, 经３５０℃退火２０ｍｉｎ后得到性能优良的巨大磁阻抗材料, 磁畴结构观察表明, 样品中心为均匀的细条畴靠近边缘, 磁畴方向转向横向, 这种畴结构有利于磁力线的闭合, 是获得显著的巨阻抗效应的重要原因之一, 磁阻抗测量表明, 样品在１３ＭＨＺ的频率下, 分别获得了６３％和７％的纵向和横向磁阻抗比.
关键词:
巨磁阻抗效应
,
null
,
null
,
null
袁慧敏
,
姜山
,
王文静
,
颜世申
,
萧淑琴
金属学报
用射频溅射法在单晶硅衬底上制备了FeZrBNi/Ag/FeZrBNi三层膜, 对制备态样品进行了磁阻抗测量. 结果表明, 样品纵向和横向的最大磁阻抗比分别为18%和31%,取得最大阻抗比的频率分别为7和8 MHz; 在此频率下, 样品的纵向和横向相对磁导率比分别达到153%和5117%. 这表明掺Ni的FeZrB三层膜在制备态已具备优异的巨磁阻抗效应和软磁性能. 同时还分析了薄膜样品的电阻、电抗分量和有效磁导率随频率的变化关系.
关键词:
巨磁阻抗效应
,
FeZrBNi sandwiched film
,
doping
刘德镇
,
萧淑琴
,
周少雄
,
刘国栋
,
张林
,
刘宜华
金属学报
doi:10.3321/j.issn:0412-1961.2000.05.018
用高频溅射法制备了FeNiCrSiB/Cu/FeNiCrSiB膜,经350℃退火20 min后得到性能优良的巨磁阻抗材料.磁畴结构观察表明,样品中心为均匀的细条畴,靠近边缘,磁畴方向转向横向.这种畴结构有利于磁力线的闭合,是获得显著的巨磁阻抗效应的重要原因之一.磁阻抗测量表明,样品在13 MHz的频率下,分别获得了63%和77%的纵向和横向磁阻抗比.
关键词:
FeNiCrSiB/Cu/FeNiCrSiB膜
,
巨磁阻抗效应
,
磁畴结构
吴厚政
,
刘宜华
,
张林
,
萧淑琴
,
代由勇
金属学报
doi:10.3321/j.issn:0412-1961.2000.09.020
研究了Co-Fe-Ni-Nb-Si-B非晶软磁合金薄带的磁性和巨磁阻抗(GMI)效应.样品在350℃下退火60 min后获得了最佳的软磁特性,并表现出优良的GMI效应.在1.4 MHz的交变电流频率下,获得了最大的GMI效应,磁阻抗比△Z/Zs=(Zo-Zs)/Zs最高可达192%.在低频下得到了显著的巨磁电感效应,在100 kHz下,磁电感比达到769%.在高频下,材料表现出优良的巨磁电阻效应,在13 MHz下,磁电阻比达到383%.
关键词:
巨磁阻抗效应
,
非晶态软磁合金薄带
,
趋肤效应
代由勇
,
刘宜华
,
萧淑琴
,
张林
,
吴厚政
,
张延忠
金属学报
doi:10.3321/j.issn:0412-1961.2001.03.012
用射频溅射法制备了Cu夹层的Fe-Cu-Cr-V Si-B三明治膜,在不同条件下对样品进行了退火处理,在最佳退火条件下,样品的软磁特性得到明显改善,从而获得了优良的巨磁阻抗(GMI)效应.研究了GMI效应与交变电流频率f和外加直流磁场H关系在5 MHz的特征频率下,最大的横向阻抗比△ZH/Zm达91%.由于样品的三明治结构,横向磁阻抗比明显优于纵向.
关键词:
磁性薄膜
,
巨磁阻抗
,
趋肤效应
吴厚政
,
刘宜华
,
代由勇
,
张林
,
萧淑琴
金属学报
doi:10.3321/j.issn:0412-1961.2002.10.016
本文研究了磁场退火对CoFeNiNbSiB非晶薄带巨磁阻抗(GMI)效应的影响样品在不同条件下进行了退火热处理.结果表明,在300℃下经横向磁场退火处理后获得了最佳的软磁特性,从而得到了最大的GMI效应.在800 kHz的交变电流频率下,得到了236%的最大磁阻抗比.在低场下,材料的磁阻抗磁场灵敏度达到1152%/mT.
关键词:
巨磁阻抗效应
,
非晶态软磁钴基合金薄带
,
趋肤效应
陈卫平
,
萧淑琴
,
王文静
,
刘宜华
金属学报
doi:10.3321/j.issn:0412-1961.2004.12.013
采用射频溅射法在单晶硅衬底上制备了(Fe88Zr7B5)0.97Cu0.03非晶软磁合金薄膜样品,对沉积态样品的软磁性能和巨磁阻抗(GMI)效应进行了实验研究与机理分析.结果表明,未掺Cu元素的Fe88Zr7B5沉积态合金薄膜几乎无GMI效应,而掺了适量Cu元素的(Fe88Zr7B5)0.97Cu0.03合金薄膜在沉积态下即具有显著的GMI效应.在13 MHz频率下,最大纵向磁阻抗比达17%,最大横向磁阻抗比为11%,这表明(Fe88Zr7B5)0.97Cu0.03非晶合金薄膜在沉积态已具备优异的软磁性能和巨磁阻抗效应.同时讨论了该薄膜样品的巨磁阻抗效应随频率的变化特性.
关键词:
Fe-Zr-B-Cu非晶薄膜
,
软磁性能
,
趋肤效应
,
巨磁阻抗效应
