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MOCVD法生长InAlN材料及其微结构特性研究

, 倪金玉 , 李亮 , 彭大青 , 张东国 , 李忠辉

功能材料 doi:10.3969/j.issn.1001-9731.2014.增刊(Ⅰ).024

利用MOCVD法,在7.62 cm蓝宝石衬底上生长了InAlN薄膜及InAlN/GaN 异质结材料.利用XRD、AFM、Hall 等测试方法对材料的组分、表面形貌、电学性质等进行了分析,InAlN 薄膜中 In 含量随生长温度的升高明显降低,材料表面为三维岛状结构;与AlGaN/GaN异质结材料相比,InAlN/GaN 异质结的高温电子输运特性更好,773 K 下 InAlN/GaN 异质结的迁移率为130 cm2/(v?s),明显高于 AlGaN/GaN异质结的67 cm2/(v?s).

关键词: MOCVD , InAlN , 迁移率

低温GaN插入层对AlGaN/GaN二维电子气特性的改善

张东国 , 李忠辉 , 彭大青 , , 李亮 , 倪金玉

人工晶体学报

利用低压MOCVD技术在蓝宝石衬底上生长了AlGaN/GaN二维电子气(2DEG)材料,在GaN生长中插入一层低温GaN,并研究了低温GaN插入层对二维电子气输运特性的影响.使用原子力显微镜(AFM)和非接触霍尔测试仪测量了材料的表面形貌和电学特性,发现低温GaN插入层可以改善材料表面平整度并使AlGaN/GaN 2DEG的电子迁移率有明显提高,GaN插入层温度为860℃的样品在室温下2DEG的电子迁移率达到2110 cm2/V·s.

关键词: MOCVD , 缓冲层 , AlGaN/GaN , 二维电子气

AlInGaN合金的发光机制研究

, 黄劲松 , 黎大兵 , 刘祥林 , 徐仲英 , 王占国

人工晶体学报 doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2003.06.007

用变温光致发光谱和时间分辨光谱研究了AlInGaN合金的发光机制.实验结果表明,发光强度随时间并不是呈指数衰减关系,而可以用伸展指数哀减函数来描述,表明材料中存在明显的无序.形成这种无序的原因是In组分不均产生的微结构(如量子点).伸展指数衰减函数中弥散指数β不仅不随温度变化,在250K也不随辐射能量变化,表明载流子的弥散过程由局域态之间的跳跃所主导.进一步实验表明局域态在250K时仍然表现出零维特性.

关键词: AlInGaN , 时间分辨 , 量子点 , 局域态

高质量GaN薄膜的MOCVD同质外延生长

李亮 , 李忠辉 , 罗伟科 , , 彭大青 , 张东国

人工晶体学报

采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)技术,在GaN自支撑衬底上同质外延生长了GaN薄膜,得到高质量的GaN外延薄膜.X射线衍射(XRD)结果显示其(002)面摇摆曲线半高宽小于100弧秒,原子力显微镜(AFM)照片上能看到连续的二维台阶流形貌,其表面粗糙度小于0.5nm,其位错密度低于106 cm3.

关键词: GaN薄膜 , MOCVD , 同质外延

金属有机物气相外延生长InAlGaN薄膜及其性能表征

黎大兵 , , 刘祥林 , 王晓晖 , 王占国

人工晶体学报 doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2004.04.016

在不同的生长温度和载气的条件下,采用低压金属有机物气相外延方法生长了系列的InAlGaN薄膜,通过能量色散谱(EDS),高分辨X射线衍射(HRXRD)和光致发光谱(PL)对样品进行表征与分析,研究了生长工艺对InAlGaN外延层结构和光学性能的影响.发现当以氮气做载气时,样品的发光很弱并且在550nm附近存在一个很宽的深能级发光峰;当采用氮气和氢气的混合气做载气时,样品中的深能级发光峰消失且发光强度明显提高.以混合气做载气,InAlGaN薄膜中铟的组分随生长温度的升高而降低,而薄膜的结构和光学性能却提高.结合PL和HRXRD的测试结果得到了较佳的生长参数:即载气为氢气和氮气的混合气以及生长温度在850℃到870℃.

关键词: InAlGaN四元合金 , 金属有机物气相外延 , 高分辨X射线衍射 , 光致发光

InGaAlN四元合金的光学性质和低维结构

刘祥林 , , 黎大兵

液晶与显示 doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2004.01.002

研究了用MOCVD方法生长InGaAlN四元合金材料的生长规律,发现生长温度在800~880 ℃, 其In组分随生长温度升高而降低. 用变温光致发光谱和时间分辨谱研究了InGaAlN的光学性质.光致发光谱表明InGaAlN的发光强度随温度衰减规律与InGaN类似,但比GaN慢,室温下比GaN的发光强度大1个数量级以上.时间分辨光谱表明,在InGaAlN中存在低维结构的铟聚集区--在没有高温GaN中间层的InGaAlN材料中存在类似量子盘的二维铟聚集区;而在有高温GaN中间层的InGaAlN材料中存在类似量子点的零维铟聚集区.

关键词: InGaAlN , 生长 , 光学性质 , 低维结构 , 铟聚集

超薄单晶基底本征约瑟夫结的制备

闫生超 , 尤立星 , 陈健 , 吴培亨

低温物理学报 doi:10.3969/j.issn.1000-3258.2004.04.011

为了加强本征约瑟夫结(简称本征结)与高频电磁波信号的耦合,我们通过平面工艺手段获得了厚度小于伦敦穿透深度的超薄单晶基底,其厚度小于150nm.并在此基底上利用传统的mesa结构制备工艺制备了本征结.所制备的本征结超导性能没有发生明显的退化,与常规本征结的特性基本一致.

关键词: 高温超导 , 本征约瑟夫 , 超薄单晶基底

利用MICROMEGAS探测器测量第一汤系数

鲁辰桂 , 段利敏 , 杨贺润 , 胡荣江 , 张金霞 , 李祖玉 , 张秀林

原子核物理评论

利用新型的MICROMEGAS探测器测量了6种不同比例的Ar+CO2混合气体中第一汤系数α的两个实验参数A和B。实验结果分析表明,电子在栅极的透过率在75%时,α的测量误差小于13%,而探测器增益的涨落造成的α的测量误差小于8%。

关键词: 第一汤系数 , MICROMEGAS探测器 , 气体探测器

含氟共聚聚酰亚胺的合成与性能研究鲁云华,赵洪斌,迟海军,岩,肖国勇,胡知之

鲁云华 , 赵洪斌 , 迟海军 , , 肖国勇 , 胡知之

绝缘材料

以1,4-双(4-氨基-2-三氟甲基苯氧基)苯(6FAPB)为含氟二胺单体,均苯四甲酸二酐(PMDA)和1,2,3,4-环丁烷四酸二酐(CBDA)为二酐单体,经低温溶液缩聚反应得到聚酰胺酸,再经热酰亚胺化处理制备出含氟共聚聚酰亚胺(CPI)薄膜.采用红外(IR)、紫外(UV-Vis)、溶解性测试等对CPI进行结构与性能表征,考察两种二酐单体的不同物质的量之比对共聚聚酰亚胺光学性能和溶解性的影响.结果表明:随着脂环二酐CBDA摩尔配比的增加,CPI薄膜在410 nm处的光透过率逐渐增加,薄膜颜色逐渐变浅,溶解性有所改善.

关键词: 聚酰亚胺 , 共缩聚 , 含氟 , 结构与性能

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