吕文辉
,
宋航
,
金亿鑫
,
魏燕燕
,
郭万国
,
曹连振
,
陈雷锋
,
赵海峰
,
李志明
,
蒋红
,
缪国庆
功能材料
用电泳法将碳纳米管分别淀积到图形的和平面的ITO(铟锡氧化物)电极上作为场发射阴极并比较性的研究了它们的场发射特性.实验结果显示,相对于平面的衬底电极,斑条的ITO电极能够有效的改善碳纳米管的场发射特性.通过电场的数值计算,场发射特性的改善起源于斑条的ITO电极自身的表面电场增强引起了碳纳米管表面电...
关键词:
碳纳米管
,
场发射
,
图形化的衬底电极
,
两级场放大
吕文辉
,
宋航
,
金亿鑫
,
魏燕燕
,
郭万国
,
曹连振
,
陈雷锋
,
赵海峰
,
李志明
,
蒋红
,
缪国庆
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2008.06.008
采用电泳法将碳纳米管组装到电化学淀积的银台阵列上作为场发射阴极并研究了它的场发射特性.场发射特性测试结果表明:该阴极具有优异的场发射特性,开启电场为2.8V/μm,在应用电场为5.5V/μm时,发射电流密度达到1.7mA/cm2.具有优异的发射性能的原因可以归结到银台的边缘和银台类山状的表面增强了碳...
关键词:
碳纳米管
,
场发射阴极
,
银台阵列
,
电泳淀积
,
电化学淀积
曹连振
,
蒋红
,
宋航
,
李志明
,
赵海峰
,
吕文辉
,
刘霞
,
郭万国
,
阎大伟
,
孙晓娟
,
缪国庆
液晶与显示
doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2009.01.009
采用半导体光刻技术在硅衬底上获得图形化掩膜,然后用热化学气相淀积(T-CVD)的方法制备了图形化的碳纳米管线阵列,用扫描电镜和拉曼光谱仪对碳纳米管进行了表征.研究了图形化碳纳米管线阵列的场发射特性,并与无图形化处理的碳纳米管薄膜样品的场发射特性进行了比较.当发射电流密度达到10 μA/cm2时,无图...
关键词:
碳纳米管
,
线阵列
,
热化学气相淀积
,
场发射特性
王辉
,
宋航
,
金亿鑫
,
蒋红
,
缪国庆
,
李志明
,
赵海峰
液晶与显示
doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2004.06.010
利用热丝化学气相沉积法(HFCVD)以CH4和SiH4作为反应气体在Si衬底上制备了SiC薄膜.用X射线衍射(XRD)、傅立叶红外吸收谱(FTIR)等手段对样品进行了结构和组分分析,分析结果表明已经在Si衬底上制备了SiC薄膜.对所制备的SiC薄膜进行了光致发光测试,在室温下观察到了薄膜峰值位于41...
关键词:
光致发光
,
碳化硅
,
HFCVD
缪国庆
,
殷景志
,
金亿鑫
,
蒋红
,
张铁民
,
宋航
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2005.06.015
采用LPMOCVD技术生长了InGaAs红外探测器器件结构材料,其晶格失配为2.19×10-4.利用锌扩散制备探测器单元器件,光谱响应范围为0.90～1.70μm,在1.95V偏压下,暗电流为5.75×10-5A,在反向偏压为-5V时,电容为6.96×10-12F.探测器波段探测率为2.08×101...
关键词:
金属有机化学气相沉积
,
铟镓砷
,
探测器
张子旸
,
张宝林
,
周天明
,
蒋红
,
金亿鑫
,
李树玮
,
功能材料
报道了用STEM(扫描透射电子显微镜)对GaIn-AsSb/GaSb异质结的截面不同部分进行分析和研究的初步结果.STEM图像表明,在四元合金GaInAsSb与衬底GaSb的晶格常数不相同时,将会由于晶格的不匹配而产生失配位错和层错,这些缺陷是对应力的一种释放形式,包括60°位错、90°位错和堆垛层...
关键词:
GaInAsSb
,
位错
,
层错
,
STEM
陈雷锋
,
宋航
,
蒋红
,
赵海峰
,
李志明
,
黎大兵
人工晶体学报
本文采用CNT与纳米银颗粒混合球磨的方法,改善了CNT与衬底电极的电学接触性能.并比较了球磨和电泳两种方法分别获得的CNT的场发射特性,结果表明:采用球磨法所获得的CNT场发射阴极的场发射性能远远优于电泳法.在球磨过程中,由于钢球、纳米银颗粒、CNT和衬底之间互相挤压,使CNT和银颗粒及衬底之间形成...
关键词:
碳纳米管
,
场发射
,
球磨
,
电泳
,
接触电阻
刘霞
,
曹连振
,
蒋红
,
宋航
低温物理学报
利用低压-金属有机化学气相沉积(LP-MOCVD)设备,采用两步生长及缓冲层热退火处理在InP衬底上制备了高质量的In0.82Ga0.18As外延材料.研究了缓冲层退火前后In0.82 Ga0.18As外延材料的低温电学性质,通过变温霍尔效应测试得到了载流子的浓度和迁移率随温度变化的关系,并利用位错...
关键词:
In0.82Ga0.18As
,
变温霍尔效应
,
散射机制
蒋红
,
金亿鑫
,
宋航
,
缪国庆
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2005.06.012
本研究采用MOCVD技术在GaSb衬底上制备InAs与GaSb交替生长层构成的分布布喇格反射镜(DBR)材料.由于InAs与GaSb材料晶格匹配良好,且折射率差较大,因此用这两种材料交替生长构成的DBR结构,在较低生长周期时即可获得较高的反射率.将其引入共振腔增强型红外探测器结构,做为共振腔的腔体,...
关键词:
MOCVD
,
分布布喇格反射镜
,
反射率
蒋进京
,
宋翠华
,
曹崇龙
,
元光
,
蒋红
,
宋航
液晶与显示
doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2008.01.011
提出了一种具有汇聚特性的新型场发射阴极结构,利用有限元方法模拟计算了此种阴极结构在不同参数条件下的电场分布、电子轨迹,考察了不同参数对电子汇聚效果的影响,给出了此种场发射阴极的栅极-阴极间距、栅极宽度、阳极电压、栅极电压等基本参数对汇聚效果的影响.模拟计算结果表明,电子束的汇聚程度随着栅极-阴极间距...
关键词:
场发射
,
阴极结构
,
发散比率
,
有限元
