金桂
,
蒋纯志
,
邓海明
绝缘材料
doi:10.3969/j.issn.1009-9239.2009.03.005
采用射频磁控反应溅射法在单晶硅片上制备了氧化硅(SiOx)薄膜,分析了薄膜的主要成分,研究了制备工艺对薄膜表面形貌和电击穿场强的影响.结果表明:薄膜的主要成分为氧化硅(SiOx);退火前后,薄膜的表面粗糙度由原来的1.058nm下降至0.785nm,峰与谷之间的高度差由原来的7.414nm降低至5.046nm;薄膜的电击穿场强随溅射功率的增加先增大后减小,通过800℃/100 s的快速热退火,在各种射频功率下制备的薄膜电击穿场强都有明显升高.薄膜的绝缘性能显著增强.
关键词:
射频磁控反应溅射
,
表面形貌
,
电击穿场强
蒋纯志
,
刘又文
,
谢超
复合材料学报
为了研究压电复合材料中位于基体的压电螺型位错与含共焦椭圆导电刚性核椭圆夹杂的电弹相互作用，基于复变函数方法，获得了基体和夹杂区域的精确级数形式解析解。运用广义Peach—Koehler公式，导出了作用在位错上像力的解析表达式。在此基础上讨论了椭圆刚性核和材料电弹特性对位错像力以及位错平衡位置的影响规律，同时讨论了压电夹杂和弹性基体的复合情况。结果表明：椭圆刚性核对位错有着明显的排斥作用，可以增强硬夹杂对位错的排斥，减弱软夹杂对位错的吸引；对于软夹杂，在界面附近位错存在一个不稳定的平衡位置；在基体和夹杂的界面上，像力迅速增大；当夹杂的剪切模量远小于基体时，界面附近不会出现位错的平衡位置。
关键词:
压电螺型位错
,
刚性核
,
复变函数方法
,
压电复合材料
,
椭圆夹杂
李实，池和冰，江来珠
钢铁研究学报
超纯铁素体不锈钢因碳、氮含量极低，较普通铁素体不锈钢拥有更优越的耐腐蚀性、韧性及焊接性，近半个世纪得到了大力发展和广泛应用。对于超纯铁素体不锈钢冶炼的核心环节—?恍飧志叮紫炔隽顺烤换⒏呓嗑换⒏咝榷ɑ刂频纫幌盗芯都际跄训悖浯未泳吨魈迳璞赣牍ひ占际跻约案ㄖ际醯确矫嫦低辰樯芰顺刻靥宀恍飧志都际醯慕胶头⒄梗詈蠖猿刻靥宀恍飧志都际醯奈蠢锤镄潞头⒄狗较蚪辛艘恍┱雇?
关键词:
超纯
,
ferritic stainless steel
,
refining
郭志猛
,
庄奋强
,
林涛
,
吴峰松
,
殷声
金属学报
根据电化学原理, 得到高阻值衬层穿透性裂纹的电沉积电流与时间的关系曲线, 利用计算机数据采集及处理系统, 对高阻值衬层进行分析与检测, 由此可以定量确定裂纹的大小, 再通过观测在裂纹处所沉积的金属（或采用电极扫描技术）来确定裂纹的位置及表面形状, 最终可以实现对高阻值衬层的快速无损探伤.
关键词:
高阻值衬层
,
null
,
null
,
null
蔡永成
钢铁
结合EAF+VHD+VOD冶炼超纯工业纯铁的生产实践,对超低碳、磷、硫的操作工艺进行了讨论分析.
关键词:
工业纯铁
,
冶炼技术
陈蓉
,
王力军
,
罗远辉
,
张力
,
陈松
,
韩林
稀有金属
doi:10.3969/j.issn.0258-7076.2005.05.043
高纯钴主要应用于磁记录材料、磁传感器材料、光电材料等高技术领域.其制备方法有萃取法、离子交换法、电解法、真空熔炼法等.萃取法和离子交换法能够制备高纯盐, 这是制备高纯钴的重要环节.高纯钴盐通过沉淀、氢还原或电解能获得高纯金属原料, 该过程也将金属进一步提纯.真空熔炼法能够进一步提纯金属, 并得到性能优异的金属锭.采用几种方法结合的工艺路线可以制备出品质优良的高纯材料.
关键词:
高纯钴
,
萃取
,
离子交换
,
电解
,
真空熔炼
鲜晓斌
,
叶林森
,
冷邦义
,
谢东华
,
谢茂林
,
迟永刚
稀有金属材料与工程
采用热等静压(HIP)技术制备纯钒,利用材料试验机、OM、SEM、TEM和TGA等测试纯钒的力学性能并观察其拉伸断口形貌、进行热重分析.结果表明:热等静压温度在1250 ℃以上可以实现全致密化;随温度的升高,抗拉强度、屈服强度均先降低后增加,延伸率及断面收缩率呈相反趋势变化,在1250 ℃综合性能最佳,抗拉强度、屈服强度分别为701,634 MPa,延伸率为22.4%;断口形貌表现出滑断、微孔聚集等不同的断裂方式,不同温度制备的纯钒试样晶粒大小没有显著变化,均观察到板条马氏体组织存在; 氧化行为符合抛物线规律,活化能为118 kJ/mol.
关键词:
热等静压
,
纯钒
,
性能
,
组织
,
氧化
程沪生
电镀与涂饰
介绍了一种纯铝硫酸型阳极氧化染色工艺.工艺流程主要包括:机械抛光,化学除油,出光,电解抛光,浸磷-铬酸,阳极氧化,氨水中和,染色,显色,封闭.给出了各工序的工艺条件.指出了染色工艺中出现的故障及解决办法.
关键词:
铝
,
阳极氧化
,
硫酸
,
染色
,
故障处理
刁千顺
,
蔣卫斌
,
孔庆平
,
蔡民
,
刘长松
,
方前锋
人工晶体学报
利用自制的硅碳棒加热单晶生长炉,采用改进的坩埚下降法,在最高温度900℃,坩埚相对下降速度约为1.7cm/h条件下,生长出直径约为φ50mm的纯镁单晶.通过X射线衍射、金相观察和测量电导率等手段研究分析了所生长镁单晶的晶体质量.
关键词:
镁单晶
,
坩埚下降法
,
电导率
