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S、Se为原料的CVD ZnS、CVD ZnSe的化学反应分析

王向阳 , 钱(纁) , , 何莉 , 肖红涛

人工晶体学报 doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2005.04.028

本文详细分析了用单质硫或单质硒为原料,在Zn-S-H2-Ar体系或Zn-Se-H2-Ar体系中化学气相沉积生长 ZnS和ZnSe晶体所发生的化学反应,认为在这两种化学气相沉积过程中所发生的化学反应是以锌蒸汽与硫或硒蒸汽反应来实现的.计算出了上述反应的△H、△S和△G这些热力学函数,并将该△G与采用H2S气体(Zn-H2S-Ar体系)和H2Se气体(Zn-H2Se-Ar体系)为原料的CVD ZnS和ZnSe做了对比.实验结果表明,单质Se为原料生长的CVD ZnSe比H2Se为原料的CVD ZnSe的努普硬度有显著的提高.

关键词: CVD , ZnS , ZnSe , 化学反应

CVT法生长GaP多晶

王向阳 , 何莉 , 田鸿昌 , 东艳萍 ,

人工晶体学报 doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2004.05.037

阐述了CVT(化学气相输运)法生长GaP的基本反应和输运速度,采用CVT法生长出了GaP多晶.设计了石英管的结构制造出一个局部的低温区域,防止了GaP在管壁的生长.生长出的GaP多晶相对密度为98%,红外透过率达到30%,努普硬度为611kg/mm2.散射颗粒测试表明主要的光散射颗粒为多晶中存在的孔隙.

关键词: CVT(化学气相输运) , GaP多晶 , 红外窗口材料

ZnS晶体的化学气相沉积生长

杨曜源 , 李卫 , 张力强 , , 王向阳 , 肖红涛 , 田鸿昌 , 东艳萍 , 方珍意 , 郝永亮

人工晶体学报 doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2004.01.020

本文报道了用化学气相沉积(CVD)法生长ZnS透明多晶体的实验结果,对生长的晶体的物理化学性能进行了测试,讨论了化学气相沉积工艺中影响ZnS晶体质量的因素.结果表明:选用固体硫作原料,用化学气相沉积方法,可以沉积出透明ZnS多晶体;它的透过性能极其优异,在6.2μm处无吸收峰,在中、长波红外透过率可达70%以上.

关键词: 化学气相沉积法 , 硫化锌 , 红外材料

工艺参数对CVD ZnS沉积速率的影响

杨曜源 , , 东艳苹 , 张力强 , 王向阳 , 肖红涛 , 田鸿昌 , 李卫 , 郝永亮 , 方珍意

人工晶体学报 doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2004.02.026

本文报道了CVD法制备ZnS晶体的制备工艺,系统地研究了气体流量、工作气压、基板温度等主要工艺参数对沉积速率的影响规律.实验表明,随着H2S(s)/Zn摩尔流量比的增加,沉积速率逐渐增大;基板温度升高,沉积速率加快;工作气压增大,沉积速率变化不大.在本实验研究的条件下认为,采用合适的H2S(s)/Zn摩尔流量比和沉积温度,在较低的工作气压下生长晶体,能保证较稳定的沉积速率,生长出高质量的晶体.

关键词: 红外材料 , ZnS , CVD , 沉积速率

用化学气相沉积法制备红外体块晶体ZnS

闫泽武 , 王和明 , , 杨耀源 , 东艳苹 , 方珍意 , 李楠 , 孙振宇 , 李洪生

人工晶体学报 doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2002.01.006

本文报道了采用化学气相沉积法制备红外ZnS体块晶体的工艺及其性能.并用傅立叶红外光谱仪测试了材料的红外性能,研究了晶体缺陷对材料红外透过率的影响.结果表明:通过优化生长工艺,使反应室的压力在500~1000Pa之间变化,沉积温度控制在550~650℃之间,可以制备出厚度均匀,红外透过率(3-5μm和8~12μm)在70%以上,尺寸达250mm×250mm×15mm高质量的ZnS体块晶体.

关键词: 硫化锌 , 化学气相沉积法 , 红外性能 , 红外晶体

矿山金属平衡的应用——家营矿为例

梁涛 , 卢仁 , 吕胜利 , 王书军 , 刘明月 , 张四维

黄金 doi:10.3969/j.issn.1001-1277.2010.09.008

矿山金属平衡通过矿山金属产量实现了地质资源储量模型与矿山实际生产数据有机的结合,它涉及到储量评估、采矿计划、品位控制、矿山测量、选矿流程和产品销售等各个矿山生产环节.家营矿为例详细介绍了矿山金属平衡的操作步骤,实施矿山金属平衡不但可以评估矿山生产运作过程中财务现金流的风险,而且更重要的是运用实际品位数据来检验矿体矿块模型对采矿品位预计的可信度.

关键词: 矿山金属平衡 , Micromine软件 , 家营矿

CVD法生长ZnSe的工艺分析

王向阳 , 方珍意 , , 张力强 , 肖红涛

人工晶体学报 doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2004.02.025

采用单质Se为原料(Zn-Se-H2-Ar体系)来生长CVD ZnSe,初步分析了这种工艺的机理,并详细分析了各种工艺参数对生长ZnSe的影响.这些工艺参数包括沉积腔的温度和压力,Zn坩埚和Se坩埚的温度,各路载流气体的流量.对这些工艺参数进行调整和精确控制,并控制好Zn蒸气和Se蒸气气嘴处的ZnSe生长形态,生长出了质量良好的ZnSe多晶体,透过率超过70%.

关键词: 化学气相沉积 , 硒化锌 , 工艺分析

用化学气相沉积(CVD)法制备硫化锌(ZnS)体块材料中晶体缺陷和生长工艺的研究

闫泽武 , 王和明 , , 杨耀源 , 东艳苹 , 范志达

人工晶体学报 doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2002.02.008

本文报道了用化学气相沉积(CVD)法制备高质量红外光学体块材料硫化锌(ZnS)的制备工艺,研究了晶体缺陷对其光学性能的影响.XRD,XEM及IR表明,采用优化的沉积工艺和热等静压后处理,减少晶体中杂质、微孔、六方结构ZnS及Zn-H键的形成,使生长的CVD ZnS具有高的红外透过率,提高了材料的光学品质.

关键词: 化学气相沉积法 , 硫化锌 , 缺陷 , 热等静压 , 红外透过率

CVD方法生长平面和曲面块状多晶硫化锌

王和明 , , 杨曜源 , 东燕萍 , 王永杰 , 闫泽武

人工晶体学报 doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2000.01.006

采用化学气相沉积方法成功地生长出硫化锌多晶红外光学材料.加工后的成品多晶硫化锌尺寸为直径150mm,厚度为6mm;既有曲面的整流罩,又有平面窗口,蒸镀多层防反膜.由于采用了自制的活性硫化氢为原料,以及较好的工艺生长条件,生长的硫化锌红外光学材料长波透射比达到理论值75%.镀多层防反膜以后,中、长红外波段透过率均有所提高,但镀膜技术还有待改进.文中对硫化锌的透过曲线进行了分析与比较,结果表明我们生长的硫化锌杂质较少,是红外透过率高的原因.文中还测试了硫化锌的其它主要性能.

关键词: CVD , 硫化锌 , 红外材料 , 块状多晶 , 红外光谱

丝网为模板量产聚烯烃疏水/亲水表面

冯杰 , 林飞云 , 钟明强

高分子材料科学与工程

不锈钢丝网为模板,用热压微模塑方法制备了聚烯烃疏水/亲水表面。研究了热压温度对所制表面微观结构和疏水性能的影响。考察了所得表面疏水性的耐水冲击能力。结果表明,所制表面形成了均匀分布的微尖刺结构,并呈疏水性能(接触角〉150°,滚动角5°),但抗水压能力较弱,当水流动能稍大时(流速2 m/s、流量0.4 m3/h、压力4 kPa),该类表面很快即从疏水转变成亲水。研究结果若与流延或压延工艺技术相结合,可为规模制备水压敏感型疏水/亲水聚合物表面提供有利条件。

关键词: 不锈钢丝网 , 微模塑 , 聚烯烃 , 疏水 , 亲水

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