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采用水热法制备了高纯度六角相NaGdF4纳米颗粒,对样品的结构与形貌进行了表征.在980 nm激光激发下,研究了yb3+/Tm3+共掺杂NaGdF4纳米颗粒的近红外上转换发光特性；分析了yb3+/Tm3+共掺杂NaGdF4的能量传递机理,研究了泵浦功率与发光强度的关系.结果表明:共掺杂NaGdF4纳米颗粒在980 nm下可发射出800 nm的强近红外光,其与475 nm蓝光发射的强度比为42.样品中800 nm发射对应两光子过程,475 nm发射对应三光子过程.

关键词: 水热法 , NaGdF4 , 稀土离子 , 上转换特性

乌拉嘎金矿外围张才沟矿化区隐伏矿体预测及查证

吴国学 , 陈国华 , 任云生 , 吕志刚

黄金 doi:10.3969/j.issn.1001-1277.2006.09.003

通过矿床成矿地质条件及控矿因素的研究,建立了乌拉嘎金矿床找矿标型.在张才沟矿化区通过地质、地球化学、地球物理等研究工作,确定出隐伏金矿体赋存的最佳部位,并实施了工程查证,钻孔70m深处见厚3m、平均品位20.4×10-6的矿体.进一步证实了预测方法的有效性,取得了满意的成果.

关键词: 隐伏矿体 , 预测 , 查证 , 乌拉嘎金矿 , 张才沟矿化区

人、才、材的命运

肖纪美

材料科学与工程学报 doi:10.3969/j.issn.1673-2812.2004.03.001

从系统的内因(结构)和外因(环境)浅谈人、人才和材料的命运.采用静态的概念分析人、人才和材料,并讨论命、运和命运;采用动态的反馈分析,提出质变的新反馈,并示例地简介材料中的耗散结构.从哲学角度总结和强调社会系统和自然系统的相似性.

关键词: 命运 , 系统 , 环境 , 反馈 , 耗散结构

硅片的直接键合

王敬 , 屠海令 , 刘安生 , 张椿 , 周旗钢 , 朱悟新

稀有金属 doi:10.3969/j.issn.0258-7076.1998.05.013

介绍了硅片的直接键合工艺、键合机理、键合质量评价方法以及键合技术目前的研究和应用状况等.

关键词: 硅片 , 硅片键合 , 直接键合

袁家虎研究员简介

功能材料

关键词:

铜线性能及键合参数对键合质量的影响

曹军 , 丁雨田 , 郭廷彪

材料科学与工艺

为了提高铜线性能及其键合质量,采用拉力-剪切力测试仪、扫描电镜等研究了不同力学性能铜线及相应的键合参数对其键合质量的影响,分析了不同伸长率和拉断力、铜线表面缺陷、超声功率和键合压力对铜线键合质量的作用机制.结果表明：伸长率过小和拉断力过大会造成焊点颈部产生微裂纹,从而导致焊点的拉力和球剪切力偏低;表面存在缺陷的铜线其颈部经过反复塑性大变形会造成铜线表面晶粒和污染物脱落而出现短路和球颈部断裂;键合过程中键合压力过大能够引起的焊盘变形,同时较大的接触应力引起铝层溢出;过大的超声功率使键合区域变形严重产生明显的裂纹和引起键合附近区域严重的应力集中,致使器件使用过程中产生微裂纹而降低器件的使用寿命.

关键词: 伸长率 , 拉断力 , 表面 , 超声功率 , 键合压力

硅/硅键合新方法的研究

刘玉岭 , 王新 , 张文智 , 徐晓辉 , 张德臣 , 张志花

稀有金属 doi:10.3969/j.issn.0258-7076.2000.01.004

研究成功用Ⅳ族元素锗进行硅/硅键合的一整套新技术(代替通用的亲水法);实现了键合层无孔洞,边沿键合率达98%以上,键合强度达2156Pa以上,并通过在锗中掺入与低阻同型号的杂质,实现了应力补偿.

关键词: 硅 , 锗 , 键合 , 机理

Cu/Sn等温凝固芯片键合工艺研究

杜茂华 , 蒋玉齐 , 罗乐

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2004.04.015

研究了 Cu/Sn等温凝固芯片键合工艺,对等离子体处理、键合气氛、压力以及 Sn层厚度等因素对焊层的键合强度的影响进行了分析和优化.实验表明,等离子体处理过程的引入是保证键合质量的重要因素,在功率 500W、时间 200s的处理条件下,得到了最大的键合强度;而键合气氛对键合质量有显著的影响,在真空环境下,能得到最佳的键合质量;压力对键合质量的影响较小,施加较小的压力( 0.05MPa)即能得到较大的剪切强度;而 Sn层厚度对键合质量的影响极小,而较薄的厚度能够缩短键合时间.在最优化条件下,得到的键合强度值全部达到了美军标规定的 6.25MPa的强度要求(对于 2mm× 2mm芯片).