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FeCuNbSiB多层膜的磁化特性与巨磁阻抗效应

林宏 , , 赵振杰 , 程金科 , 辛宏梁 , 吴志明 , 阮建中 , 杨燮龙

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2007.06.029

用射频磁控溅射法制备了FeCuNbSiB多层膜,制备态样品的GMI效应在驱动电流频率为12MHz时达到最大,为44.3%.利用复数磁导率和等效电路讨论了该多层膜的磁化过程,及与GMI效应的关系.外加直流磁场抑制磁畴运动,在等效电路中与抵消并联电路相关.样品磁化的特征弛豫频率在12MHz左右,与出现最大磁阻抗变化的频率接近.

关键词: 巨磁阻抗效应 , 磁导率 , 弛豫频率 , 等效电路

纳米ZrO2(4Y)两次成型常压烧结致密特性及其电导率

, 劳令耳 , 田卫 , 刘毅 , 王大志 , 姚琨 , 王正

材料科学与工程学报 doi:10.3969/j.issn.1673-2812.2000.03.014

用纳米ZrO2(4Y)粉为原料,研究了单轴压片素坯成型特征.通过两次施压成型,降低了烧结致密温度,在1300℃常压烧结2小时,陶瓷体致密度达99.1%,烧结体晶粒长大减缓.片状烧结体1000℃和800℃时的电导率分别为4.23×10-2Ω-1cm-1和1.19×10-2Ω-1cm-1.

关键词: ZrO2(4Y) , 纳米粉 , 烧结 , 电导

CoP/Insulator/BeCu混联共振型巨磁阻抗效应的研究

何家康 , , 程金科 , 潘海林 , 阮建中 , 王春梅

功能材料

采用化学镀的方法制备了CoP/insulator/BeCu复合结构丝,对样品进行电流退火热处理.通过自构建一定的回路,样品分别在频率为60.0MHz时出现了80.0%的LCR类并联共振和79.6MHz时出现了793.1%的LCR类串联共振.根据混联共振样品的特征建立了等效回路模型,利用模型对样品的混联共振型巨磁阻抗效应机理以及共振频率点的位置进行分析,理论与实验值吻合得较好.

关键词: LC共振 , 复合结构丝 , 巨磁阻抗效应 , 等效回路模型

热处理对声磁防盗标签性能的影响

公维余 , , 阮建中 , 杨燮龙 , 白文新 , 赵振杰

材料科学与工程学报 doi:10.3969/j.issn.1673-2812.2007.03.017

本文采用熔融快速淬火制备了Fe24Co11.82Ni47.3Si1.47B15非晶条带,经不同条件退火处理以提高其响应性能,研究了退火条件对条带用于磁机械电子监视系统时声磁性能的影响.结果表明退火温度在320℃时具有最大共振幅值,另外,磁场垂直于条带面退火有利于增强条带的声磁性能.

关键词: 声磁标签 , 各向异性场 , 非晶带

化学镀CoP/Insulator/BeCu复合结构丝的巨磁阻抗效应研究

潘海林 , 程金科 , 赵振杰 , 阮建中 , 杨燮龙 ,

功能材料

采用含复合络合剂的碱性镀液,改变镀液配方组分和工艺条件在绝缘层上合成软磁性良好的CoP合金镀层,制备出CoP/Insulator/BeCu复合结构的巨磁阻抗效应材料.样品采用电流退火进行焦耳热处理.电流退火后,在较低频率下观察到显著的磁阻抗效应,在97kHz时最大磁阻抗效应为991%,磁场灵敏度高达2.78%/(A·m-1);在3kHz~30MHz的频率范围内,磁阻抗比率都在50%以上,具有很宽的频率应用范围.利用复数磁导率探讨材料的磁化特性,发现有效磁导率实部和虚部的频率特性在退火后发生了很大变化.

关键词: 化学镀 , 绝缘层 , CoP , 电流退火 , 巨磁阻抗效应

纳米Al2O3对纳米4YSZ复相陶瓷结构和性能的影响

, 劳令耳 , 田卫 , 黄英才 , 王大志 , 姚琨

材料科学与工程学报 doi:10.3969/j.issn.1673-2812.2001.04.010

以纳米4YSZ和纳米Al2O3粉末为原料,对掺少量Al2O3的4YSZ无压烧结体的烧结特性、结构和性能进行了研究.掺适量的Al2O3可降低烧结温度,减缓4YSZ晶粒的长大.少量的交接渗透强化了晶界,烧结体断裂倾向于穿晶断裂,提高了烧结体硬度.

关键词: 4YSZ , 纳米复合 , 氧化铝 , 烧结 , 微观结构

纳米晶FeCuNbSiB多层膜的巨磁阻抗效应研究

李晓东 , , 赵振杰 , 阮建中 , 杨燮龙

功能材料

研究了纳米晶态下Fe73.5Cu1Nb3Si13.5B9多层膜的巨磁阻抗(GMI)效应.研究结果表明纵向巨磁阻抗(LMI)效应在3MHz时取得最大值为44%,横向巨磁阻抗(TMI)效应在6MHz时取得最大值为46%.LMI与TMI随外磁场有不同的变化行为,TMI曲线具有阈值行为,超过阈值磁场后出现明显的磁阻抗效应.晶化后出现最大值阻抗效应所对应的频率下降,由非晶态下的13MHz下降为晶化后的3MHz.薄膜样品的磁阻抗效应与样品中磁矩的空间分布密切相关,磁矩垂直面向分布时,磁阻抗效应下降为5%

关键词: X射线衍射谱 , M(o)ssbauer谱 , 巨磁阻抗效应 , Fe73.5Cu1Nb3Si13.5B9薄膜

ZnO掺杂的ZrO2(3Y)纳米复合相材料的中低温电导研究

刘毅 , 劳令耳 , , 黄英才

功能材料

采用交流阻抗技术对掺纳米ZnO的纳米ZrO2(3Y)复合掺杂材料在473~973K温度范围电导率随ZnO第二相质量分数(0.0%~5.0%(质量分数))的变化关系进行了研究.研究发现掺很少量的纳米ZnO(0.5%~1.0%<质量分数)),纳米ZrO2(3Y)材料晶粒和晶界电阻显著增加,电导率降低,原因在于缺陷缔合效应和晶界偏聚效应的加剧,阻碍了氧空位的迁移.随着ZnO掺入量的增加(>1.0%(质量分数)),晶界电阻显著减小,晶粒电阻变化不大,总电导率回升,在中低温范围,总电导活化能与晶界电导活化能具有相同的变化趋势.

关键词: 钇稳定氧化锆 , 复合掺杂 , 复阻抗 , 电导率

纳米ZnO对纳米ZrO2(8Y)致密特性及电导率影响研究

刘毅 , 劳令耳 , , 黄英才

无机材料学报

采用纳米ZrO2(8Y)粉和纳米ZnO粉为原料,对掺少量ZnO的ZrO2(8Y)进行无压烧结研究.实验结果表明,掺少量的ZnO能促进ZrO2与Y2O3的反应,加快四方相向立方相的转变,样品致密度和电导率显著提高.掺0.5wt%ZnO样品在1200℃煅烧2h的陶瓷致密度为94%,700℃时的电导率为9.02×10-3cm-1·Ω-1.

关键词: 纳米ZrO2(8Y) , nano-ZnO , densification , conductivity

电流退火NiFeCoP/BeCu复合结构丝的巨磁阻抗效应和磁化特性

辛宏梁 , , 赵振杰 , 程金科 , 阮建中 , 杨燮龙

材料科学与工程学报 doi:10.3969/j.issn.1673-2812.2007.04.014

用化学镀的方法制备了镀NiFeCoP膜的复合结构丝,这种复合结构丝在较低频率下就有较好的磁阻抗效应.对样品进行电流退火处理,不同电流密度退火对复合结构丝磁阻抗效应特性的影响不同.利用复数磁导率探讨了该复合丝在不同电流密度退火后的磁化过程和磁化频率特性,较大电流密度退火后复合结构丝的畴壁运动被抑制,减弱了动态磁化过程,降低了相应的磁阻抗效应.

关键词: 磁化 , 电流退火 , 磁阻抗效应

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