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纳米PbF2的制备、物相组成和离子导电性

刘金芳 , 吴希俊 , 许国 , 王评初

无机材料学报

采用惰性气体蒸发和原位真空压结法制备了具有清洁界面的纳米PbF2块材.通过X射线衍射、差热分析和复平面阻抗谱方法,研究了相结构、相变和离子电导率.结果表明,纳米PbF2比粗晶PbF2的离子电导率大幅提高,相变温度降低了30℃.

关键词: 纳米氟化物 , phase transition , ionic conductivity

太阳能热气流系统内传热与流动的实验模拟

明廷臻 , 刘伟 , 熊宴斌 , 管绪虎 , 许国 , 潘垣

工程热物理学报

构建了小尺寸太阳能热气流发电的实验模型,测定了系统的温度随时间和空间的分布,测定了烟囱内的速度随时间的变化关系.实验结果表明:集热棚内温度分布和季节对系统传热与流动特性的影响符合理论分析结果,而由于烟囱较薄,散热较高,在烟囱内的温度降低显著.

关键词: 太阳能热气流发电 , 集热棚 , 烟囱

太阳能热气流电站系统研究

明廷臻 , 刘伟 , 许国 , 范爱武

工程热物理学报

由于现有模型不足以准确描述太阳能热气流发电系统的物理机制,本文提出一个更完善的数学模型去分析太阳能热气流电站系统的相对压力分布和系统抽力.模型中考虑了太阳辐射和系统尺寸参数对系统相对压力和系统抽力的影响.以西班牙试验电站为例进行数值模拟,探索系统尺寸参数和太阳辐射对系统相对压力和系统抽力的影响.数值计算结果与理论分析具有良好的一致性.

关键词: 太阳能热气流电站 , 相对压力 , 抽力 , 数值模拟

纳米PbF2的制备、物相组成和离子导电性

刘金芳 , 吴希俊 , 许国 , 王评初

无机材料学报 doi:10.3321/j.issn:1000-324X.2000.03.012

采用惰性气体蒸发和原位真空压结法制备了具有清洁界面的纳米PbF2块材.通过X射线衍射、差热分析和复平面阻抗谱方法,研究了相结构、相变和离子电导率.结果表明, 纳米PbF2比粗晶PbF2的离子电导率大幅提高,相变温度降低了30℃.

关键词: 纳米氟化物 , 相变 , 离子导电率

温室中岩床蓄热性的分析

陈威 , 刘伟 , 许国

工程热物理学报

本文针对被动式太阳温室岩床蓄热系统,分析了岩床孔隙率、粒径和材料对岩床蓄热的影响.岩床应分层铺设,岩床上部孔隙率、粒径相对较大;超过一定深度后,铺设孔隙率、粒径小的岩石;热容量(ρc)和导热系数影响岩床平均温度日变幅和热惯性.

关键词: 太阳能利用 , 蓄热 , 岩床

土壤盐分运移温度效应的数值研究

范爱武 , 刘伟 , 许国

工程热物理学报

分析了土壤盐分运移的各种机理,在同时考虑水分和盐分运移温度效应的基础上,建立了非饱和土壤热、湿、气及盐分耦合运移的数学模型,继而通过数值计算考察了20 cm深的砂土中盐分运移温度效应的大小,结果显示:5年后温度效应对4个不同深度处土壤溶液中盐分浓度的相对影响分别达7.8、4.8、0.8和0.34倍.

关键词: 土壤 , 水分运移 , 盐分运移 , 温度效应 , 数值计算

OCDMA素数码相关值分布的研究

周海贤 , 许国 , 姚伟

量子电子学报 doi:10.3969/j.issn.1007-5461.2008.04.020

在OCDMA系统中,系统地址码的相关值是直接影响码字性能的关键参数.对地址码相关值分布的研究是一项重要的工作.通过严密的代数运算以及统计分析,对Kwong所提出的PC相关值分布公式进行了一项小的修正.通过同样的方法,并根据逐步分析和简单的数据预测,得到了新的关于EQC的相关值分布公式.基于该EQC相关值分布公式,计算并比较了不同码字组合情况下所对应的误码率,最后得出采用EQC非零码字可以有效提高码字性能.

关键词: 光通信 , 相关值分布 , 概率 , 误码率

渚文化玉器的稀土元素特征及其考古学意义

程军 , 杨学明 , 杨晓勇 , 王昌燧 , 王巨宽

稀土 doi:10.3969/j.issn.1004-0277.2000.04.001

本文利用ICP-MS对新石器时代渚文化瑶山遗址出土的古玉器进行了稀土元素分析,并与产于新疆和阗玉石矿的软玉进行了对比.结果表明,瑶山古玉器的稀土元素配分型式、特征比值均明显不同于和阗玉,说明渚文化玉器的玉石应选自当地,这与李约瑟[1]教授认为中国古玉器都源于新疆和阗的论点不同.

关键词: 渚玉器 , ICP-MS , 稀土元素(REE) , 产地分析

磁控溅射成膜温度对纯铝薄膜小丘生长以及薄膜晶体管阵列工艺率的影响

刘晓伟 , 郭会斌 , 李梁梁 , 郭总杰 , 郝昭慧

液晶与显示 doi:10.3788/YJYXS20142904.0548

纯铝薄膜被广泛用作TFT LCD的金属电极,但纯铝薄膜在热工艺中容易产生小丘,对TFT的阵列工艺的率有较大影响.本文用磁控溅射的方法在不同温度下沉积纯铝薄膜作为薄膜晶体管的栅极,并通过电学检测、扫描电子显微镜和应力测试等方法对不同温度下沉积的纯铝薄膜的小丘生长情况进行了研究.实验结果表明:纯铝成膜温度提高,薄膜的晶粒尺寸增大,退火后产生小丘的密度和尺寸明显降低,温度应力曲线中屈服点温度也相应提高.量产中适当提高成膜温度,可以有效抑制小丘的发生,提高TFT阵列工艺的量产率.

关键词: 薄膜晶体管阵列工艺 , 磁控溅射 , 纯铝薄膜 , 小丘 , 量产

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