吴雪梅
,
董业民
,
诸葛兰剑
,
叶春暖
,
汤乃云
,
俞跃辉
,
宁兆元
,
姚伟国
功能材料
采用射频磁控共溅射方法制备了纳米Ge颗粒尺寸的Ge-SiO2薄膜、非晶Si-SiO2薄膜和非晶AlSiO复合薄膜,分析了样品的结构,研究发现3类样品均存在较强的光吸收,对于Ge-SiO2薄膜观察到光吸收边随Ge颗粒尺寸变小而蓝移的现象,这主要是由于Ge颗粒的量子限域效应所引起的.而对于非晶样品也出现...
关键词:
薄膜
,
结构
,
光吸收
董业民
,
叶春暖
,
汤乃云
,
陈静
,
吴雪梅
,
诸葛兰剑
,
王曦
,
姚伟国
功能材料
采用射频磁控溅射技术,在Ge纳米镶嵌薄膜的基础上制备出电致发光器件.器件的结构为半透明Au膜/Ge纳米镶嵌薄膜/P-Si基片.当正向偏压大于6V时,用内眼可以观察到可见的电致发光,但在反向偏压下探测不到光发射.所测电致发光谱中只有一个发光峰,峰位在510nm(2.4eV,绿光),并且随着正向偏压的升...
关键词:
锗纳米镶嵌薄膜
,
电致发光
,
发光机制
杨燕
,
余涛
,
金成刚
,
韩琴
,
吴兆丰
,
诸葛兰剑
,
吴雪梅
功能材料
doi:10.3969/j.issn.1001-9731.2013.21.028
采用无金属催化剂的简单热蒸发法,在 Si (100)衬底上不同生长温度下成功地制备了高密度和大长径比的单晶 ZnO 纳米线。分别利用 X 射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM-EDS)、透射电子显微镜(TEM)及荧光光谱仪表征样品的结构和发光性质。XRD和 TEM研究表明,所制备的样品为沿c...
关键词:
ZnO 纳米线
,
热蒸发
,
光致发光
,
气-固(VS)机理
甘肇强
,
诸葛兰剑
,
吴雪梅
,
姚伟国
,
罗经国
功能材料
使用双离子束溅射法制得了铁氮薄膜,随着基片温度的变化,薄膜的成分是ε-Fe2～3N、γ-Fe4N或是二相的混合物,薄膜的晶粒尺寸随基片温度的升高而增大.以振动样品磁强计(VSM)测定了薄膜的磁性能.另外,研究了在基片温度为160℃时,改变主源中通入N2/Ar的比例对薄膜成分的影响.
关键词:
双离子束
,
铁氮薄膜
,
磁性能
蒋平
,
吴雪梅
,
诸葛兰剑
,
吴兆丰
功能材料
采用CS-400型射频磁控溅射仪在Si(111)和石英基底上成功的制备了ZnO薄膜,分别用XRD、SEM、紫外-可见光分光光度计和荧光分光光度计表征样品的结构和光学性质.实验表明,采用射频磁控溅射制备的ZnO薄膜具有六角纤锌矿结构的(002)峰和(101)峰的两种取向.在沉积气压>1.0Pa时...
关键词:
射频磁控溅射
,
ZnO薄膜
,
透射率
,
光学带隙
,
PL谱
汤乃云
,
叶春暖
,
吴雪梅
,
诸葛兰剑
,
俞跃辉
,
姚伟国
功能材料
用射频磁控溅射制备了Ge-SiO2薄膜.在N2的保护下对薄膜进行了不同温度的退火处理.使用傅里叶变换红外光谱分析(FTIR)技术,X射线衍射谱(XRD),X射线光电子能谱(XPS)分析样品的微结构,研究样品在退火中发生的结构、组分的变化.结果表明退火温度对薄膜的结构,尤其是薄膜中的GeO含量和GeO...
关键词:
薄膜
,
溅射
,
退火温度
杨旭敏
,
吴雪梅
,
诸葛兰剑
,
周飞
材料导报
硼碳氮材料以其优异的机械、电学和光学性质,在工业领域、光电子领域等方面具有广阔的应用前景.对硼碳氮材料的研究进展作一综述,介绍了材料的结构特性、性质特点、制备方法、表征手段以及在器件方面潜在的应用.结合本实验研究小组的工作,阐述了硼碳氮材料的结构以及其高硬度特性.
关键词:
硼碳氮
,
制备
,
表征
,
高硬度
陈息林
,
余涛
,
吴雪梅
,
董尧君
,
诸葛兰剑
功能材料
利用双离子束沉积设备在p-Si（100）衬底上制备了Ta2O5基MOS电容,研究了不同辅源能量0、100、200、300eV下薄膜生长机制、内部结构以及电学性质的差异。实验结果显示,在辅源能量200eV下制备的Ta2O5薄膜具有最小的表面粗糙度和优异的界面特性。由C-V/I-V特征曲线表明,辅源能量...
关键词:
高k栅介质
,
Ta2O5
,
MOSFET器件
,
微结构
,
电学性质
叶春暖
,
汤乃云
,
吴雪梅
,
诸葛兰剑
,
俞跃辉
,
姚伟国
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2002.02.003
采用射频磁控溅射技术制备了Ge-SiO2薄膜,在N2气氛下进行了不同温度的退火处理,分析了样品在室温下的光致发光(PL)特性.为探讨其发光机制,对薄膜的结构进行了表征.XRD、XPS、FTIR谱分析说明样品的发光特性与其结构相对应,394nmPL由GeO缺陷引起,580nmPL与Ge纳米晶粒和基质S...
关键词:
Ge-SiO2薄膜
,
磁控溅射
,
光致发光
