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不同光源的光学相干层析成像系统比较

量子电子学报 doi:10.3969/j.issn.1007-5461.2000.04.014

光学相干层析成像技术是一种新型的成像技术，由于相干性和实用性的特殊要求，系统需要光源具有较宽的频谱宽度、输出功率高、稳定性好、易于耦合．超辐射发光二极管和超短脉冲飞秒激光是能满足这些要求的理想光源．本文在建立上述两种光源成像装置的基础上，对系统的横向、纵向分辨率等基本性能进行了测量；并对生物组织样品的成像质量进行了比较．

关键词: 光学相干层析 , 超辐射发光二极管 , 超短脉冲激光

一维伊辛模型的相变-Ⅱ

田树旬

低温物理学报

找到了一个能够用矩阵法计算的新序参量,此参量既能给出有限数量格点时一维伊辛模型中存在相变,又能给出无限数量格点时相变消失的结果.利用此序参量求出了一个计算相变点的简洁近似公式.

关键词: 一维伊辛模型 , 相变 , 矩阵法

一维固化收缩应力的研究

夏雨 , 薛忠民 , 王继辉 , 单松高 , 周正亮

玻璃钢/复合材料 doi:10.3969/j.issn.1003-0999.2005.01.003

本文利用自制的测试固化应力的仪器测试研究了树脂固化时一维固化收缩应力的产生情况,然后通过低温固化低轮廓添加剂控制收缩,进一步测试研究其产生情况,观察了低收缩对固化应力的影响.

关键词: 树脂 , 固化应力 , 低收缩添加剂

增强材料的表面处理(一)

笪有仙 , 孙慕瑾

玻璃钢/复合材料 doi:10.3969/j.issn.1003-0999.1999.05.013

介绍并评价了不同增强材料的各种表面处理方法,此外论述了表面处理的意义和遵循的一些基本原则.

关键词: 复合材料 , 增强材料 , 表面处理 , 等离子体

一种彩膜磷化剂

唐春华

腐蚀与防护 doi:10.3969/j.issn.1005-748X.2004.08.014

研制了一种新的彩膜磷化剂,能较明显地提高水洗膜的耐蚀性,介绍了工艺配方及实验结果.

关键词: 彩膜磷化剂 , 水洗膜 , 耐蚀性

一维结构中的发光特性

张雷 , 洪广言

人工晶体学报 doi:10.3969/j.issn.1000-985X.1999.02.018

具有低维结构尤其是一维结构的物质往往具有较特殊或更优异的性质.本文研究了具有一维结构的发光物质的发光特性与微观结构之间的关系,得到了某些规律,即在一维结构中,只有存在相对较短的M-O键才可能引起电荷迁移产生发光;在该化合物中M应为变价元素且低价态具有发光性质;一维键上的能量传输往往具有很高的发光猝灭浓度和可能存在发光中间体.

关键词: 一维结构 , 电荷迁移 , 发光

一种新型无磁铸钢

胡长跃 , 董魁光

机械工程材料 doi:10.3969/j.issn.1000-3738.2000.03.012

研制了一种机械加工性能良好,不经水韧处理的锰系无磁铸钢,其磁导率μ=1.2607μH/m,可用于形状复杂,要求精细机械加工的无磁钢铸件.

关键词: 无磁性 , 铸钢 , 锰钢

一种实用的发黑工艺

杨占伟

电镀与涂饰 doi:10.3969/j.issn.1004-227X.2003.02.016

详细介绍了一种实用的常温发黑工艺配方、各主要成分的作用和工艺参数的影响.阐述了该工艺的流程,溶液和发黑膜层的性能.

关键词: 发黑 , 常温 , 钢铁

新一代滚镀设备

赵建平

材料保护 doi:10.3969/j.issn.1001-1560.2004.10.021

为了解决因镀件大小、形状、品种及镀液浓度变化而需要方便、快捷调速问题,开发了一种以聚丙烯材料注塑的拼板式电镀滚筒和一种新型的、国内外先进的无级变速器,同时驱动多个滚筒的滚镀传动,从而获得最佳电镀效果,为实现滚镀自动化生产提供了理想的方案.

关键词: 滚镀 , 无级调速 , 滚筒 , 驱动装置

一维β-SiAlON材料可控合成

彭犇 , 邱桂博 , 岳昌盛 , 张梅 , 郭敏

无机材料学报 doi:10.3724/SP.J.1077.2014.13559

以 Si 粉、Al 粉和 Al2O3粉为原料压制成条样,在1650~1850 K 氮气和埋 Si3N4颗粒气氛下分别合成了β-SiAlON 晶须、带状和柱状晶,并系统研究了一维β-SiAlON 材料可控合成条件,进而结合热力学分析了一维β-SiAlON材料的生长机制。结果表明：以Si粉、Al粉和Al2O3为原料,在氮气(纯度99.9%)和埋Si3N4颗粒气氛下在1650~1850 K保温6 h,可以合成不同形貌的一维β-SiAlON材料。生长温度是一维β-SiAlON材料形貌控制的关键因素。生长温度为1650 K时,合成了β-SiAlON晶须,晶须直径200~400 nm,长径比100~1000；生长温度在1700~1800 K时,可以合成β-SiAlON带状晶体,厚度为200 nm,宽度为1~4μm,长宽比在10~20之间；生长温度升高至1800 K时,出现大量柱状晶体。结合晶须显微结构形貌和热力学分析,β-SiAlON晶须的生长机制为气-固(VS)生长机制。

关键词: 一维β-SiAlON材料 , 可控制备 , 生长机制 , 热力学

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