豆照良
,
汪家道
,
余锋
,
陈大融
功能材料
采用高压空气喷涂工艺,基于界面流与界面变形理论,制备出一种聚合物涂层。利用白光干涉三维形貌仪对涂层表面形貌进行表征。结果表明涂层表面具有亚毫米级和微米级二元复合的形貌特征。利用光学显微镜和红外热像仪对涂料成膜过程进行实验观察,并通过计算流体力学方法对其进行数值模拟,在此基础上讨论了涂层表面形貌的形成机理。利用小型高速水洞对聚合物涂层减阻性能进行初步测试,结果表明聚合物涂层可有效降低摩擦阻力。
关键词:
二元复合结构
,
聚合物涂层
,
界面流与界面变形
,
减阻
豆照良
,
汪家道
,
陈大融
功能材料
对二元复合结构聚合物涂层阻力特性与形貌特征参数之间的关系进行了实验研究,并采用计算流体力学方法对形貌效应作用下形貌壁面的阻力特性进行了数值模拟,在此基础上讨论了聚合物涂层的减阻机理。结果表明,一阶形貌特征长度以及二阶形貌分布密度对聚合物涂层的减阻性能有显著影响;在来流条件下,聚合物涂层在二元复合结构表面形貌效应作用下,近壁面流场出现涡结构和流动分离现象,导致相应区域内的流场发生漩涡空化,促使二阶凹坑内驻留的微气泡生长形成气膜,在固/液界面间构建出气相结构,以气/液剪切代替固/液剪切实现界面效应减阻,有效降低了形貌壁面的摩擦阻力。
关键词:
二元复合结构
,
聚合物涂层
,
减阻机理
,
数值模拟
程军
,
杨学明
,
杨晓勇
,
王昌燧
,
王巨宽
稀土
doi:10.3969/j.issn.1004-0277.2000.04.001
本文利用ICP-MS对新石器时代良渚文化瑶山遗址出土的古玉器进行了稀土元素分析,并与产于新疆和阗玉石矿的软玉进行了对比.结果表明,瑶山古玉器的稀土元素配分型式、特征比值均明显不同于和阗玉,说明良渚文化玉器的玉石应选自当地,这与李约瑟[1]教授认为中国古玉器都源于新疆和阗的论点不同.
关键词:
良渚玉器
,
ICP-MS
,
稀土元素(REE)
,
产地分析
李铸国
,
华学明
,
吴毅雄
,
三宅正司
金属学报
用诱导型等离子体辅助磁控溅射装置在Si(100)表面低温沉积TiN膜, 研究了高密度低能量(≈20 eV)离子束辅照对溅射镀TiN膜生长、结构和性能的影响。结果表明, 高密度低能离子束辅照会改变TiN膜的择优生长方向并使薄膜致密化。即使沉积温度低于150℃, 当入射基板离子数和Ti原子数的比值J/JTi≥4.7时, 沉积的TiN膜仍可具有完全的(200)面择优生长, 薄膜微观结构致密, 硬度达到25GPa, 残余压应力小。
关键词:
TiN薄膜
,
null
,
null
李铸国
,
华学明
,
吴毅雄
,
三宅正司
金属学报
doi:10.3321/j.issn:0412-1961.2005.10.016
用诱导型等离子体辅助磁控溅射装置在Si(100)表面低温沉积TiN膜,研究了高密度低能量(≈20 eV)离子束辅照对溅射镀TiN膜生长、结构和性能的影响.结果表明,高密度低能离子束辅照会改变TiN膜的择优生长方向并使薄膜致密化.即使沉积温度低于150℃,当入射基板离子数和Ti原子数的比值Ji/JTi≥4.7时,沉积的TiN膜仍可具有完全的(200)面择优生长,薄膜微观结构致密,硬度达到25 GPa,残余压应力小.
关键词:
TiN薄膜
,
物理气相沉积(PVD)
,
择优取向
,
离子照射
肖如亭
,
李乃瑄
,
董庆洁
,
吴志东
,
葛明
应用化学
doi:10.3969/j.issn.1000-0518.2000.03.014
对以水杨醛和乙酸酐为原料合成香豆素的工艺进行了改进. 采用乙酸钙为催化剂、PEG为活化剂的工艺路线. 用HPLC跟踪反应过程,对催化剂和活化剂的用量、乙酸酐的用量和用法及保温反应的温度和时间对香豆素收率的影响进行了研究. 水杨醛与乙酸酐的总摩尔比为1∶1 .9,反应近终点时在(214±2) ℃保温反应0.5 h,香豆素收率达86.6%.
关键词:
香豆素
,
Perkin方法
,
聚乙二醇
,
乙酸钙
黄草明
材料保护
为了进一步将低温碱性化学镀镍一磷应用于工业生产，在已开发的低温碱性化学镀镍工艺基础上，重点研究了香豆素添加剂对镀速和镀层的影响。结果表明：少量香豆素能使镀速增大，但浓度大于10mg／L后镀速反会降低；香豆素为10mg／L时镀层平滑、致密，由球形颗粒组成，大小均匀，约为5—6μm，晶粒间无孔隙；香豆素对镍-磷镀层的组成基本无影响；香豆素为10mg／L时镀层的XRD谱由Ni主衍射峰及Ni5P4次衍射峰组成；香豆素对Ni沉积峰电位无显著影响，但会使其阴极峰电流密度增大，且随香豆素浓度的增加先增大后减小；香豆素与磺酸类添加剂的协同作用使阴极峰电位显著负移，过电位增大。
关键词:
化学镀镍-磷
,
碱性镀液
,
香豆素
,
低温
刘晓伟
,
郭会斌
,
李梁梁
,
郭总杰
,
郝昭慧
液晶与显示
doi:10.3788/YJYXS20142904.0548
纯铝薄膜被广泛用作TFT LCD的金属电极,但纯铝薄膜在热工艺中容易产生小丘,对TFT的阵列工艺的良率有较大影响.本文用磁控溅射的方法在不同温度下沉积纯铝薄膜作为薄膜晶体管的栅极,并通过电学检测、扫描电子显微镜和应力测试等方法对不同温度下沉积的纯铝薄膜的小丘生长情况进行了研究.实验结果表明:纯铝成膜温度提高,薄膜的晶粒尺寸增大,退火后产生小丘的密度和尺寸明显降低,温度应力曲线中屈服点温度也相应提高.量产中适当提高成膜温度,可以有效抑制小丘的发生,提高TFT阵列工艺的量产良率.
关键词:
薄膜晶体管阵列工艺
,
磁控溅射
,
纯铝薄膜
,
小丘
,
量产良率
杨荣静
,
卫碧文
,
高欢
,
于文佳
色谱
doi:10.3724/SP.J.1123.2011.10001
建立了一种简单、快速、准确测定玩具中香豆素、7-甲氧基香豆素、二氢香豆素、7-甲基香豆素、7-乙氧基-4-甲基香豆素5种香豆素类致敏性香味剂的检测方法.样品经四氢呋喃超声提取,提取液浓缩至近干,以25 mL甲醇溶解残渣定容后进行高效液相色谱-串联质谱分析.色谱流动相为乙腈和0.1％乙酸水溶液,梯度洗脱,多反应监测(MRM)模式进行定性和定量分析.5种目标物的工作曲线线性范围均为10～1 000 μg/L；除了二氢香豆素的定量限(信噪比(S/N)＞ 10)为5.0μg/L外,其他化合物均为2.0μg/L；在3种不同类型的样品中添加高、中、低水平的5种目标物标准品,其加标回收率为93.2％ ～105.8％,相对标准偏差为3.65％～8.27％.应用本方法对12种玩具和儿童用品样品进行了测试,其中9个样品中检出了香豆素类致敏性香味剂,有两个样品中香豆素和7-甲氧基香豆素的含量超过了欧盟玩具新指令的限量要求.
关键词:
高效液相色谱-串联质谱
,
香豆素
,
致敏性香味剂
,
玩具
郭媛
,
宋丹梅
,
魏永锋
,
史真
应用化学
doi:10.3969/j.issn.1000-0518.2009.06.013
合成了2种香豆素类荧光化合物6,8-二氯-7-羟基香豆素-3-羧酸(DClC)和6-氯-7-羟基香豆素-3-羧酸(MClC). 通过红外光谱、核磁共振、质谱等测试技术对产物的结构进行了表征. 研究了2种化合物的紫外光谱和荧光性质及不同极性溶剂、pH值、表面活性剂等的影响. 结果表明,pH值对其荧光强度有较大影响,当pH=10时,DClC和MClC的荧光强度明显增强.
关键词:
二氯羟基香豆素羧酸
,
氯羟基香豆素羧酸
,
合成
,
荧光性能
