罗子江
,
周勋
,
贺业全
,
何浩
,
郭祥
,
张毕禅
,
邓朝勇
,
丁召
功能材料
利用分子束外延技术,通过RHEED图像演变实时监控薄膜生长状况,采用RHEED强度振荡测量薄膜生长速率,固定Ga源温度、改变In源温度在GaAs(001)基片上外延生长了不同In组分(39%、29%、19%)的InGaAs薄膜。比较RHEED强度振荡以及RHEED衍射图像,发现随着In组分的增加In-GaAs的生长将很快进入三维粗糙表面生长模式,并指出In0.19Ga0.81As和In0.29Ga0.71As薄膜处于(2×3)表面重构相。In0.19Ga0.81As样品进行退火处理后完成STM扫描分析,证实样品为表面原子级平整的In-GaAs薄膜。
关键词:
MBE
,
RHEED
,
STM
,
InGaAs薄膜
罗子江
,
周勋
,
杨再荣
,
贺业全
,
何浩
,
邓朝勇
,
丁召
功能材料
利用分子束外延技术,在GaAs(001)基片上外延InGaAs/GaAs异质薄膜,通过RHEED图像演变实时监控薄膜生长状况,采用RHEED强度振荡测量薄膜生长速率,确定薄膜中In/Ga的组分比,并提出控制InGaAs薄膜中In/Ga组分比的生长方法.根据RHEED图像,指出获得的InGaAs薄膜处于(2×3)表面重构相.样品经过淬火至室温后对样品做STM扫描分析,证实样品为表面原子级平整的InGaAs/GaAs异质薄膜.
关键词:
MBE
,
RHEED
,
STM
,
InGaAs异质薄膜
罗子江
,
周勋
,
杨再荣
,
贺业全
,
何浩
,
邓朝勇
,
丁召
功能材料
采用分子束外延技术,利用RHEED图像可研究GaAs表面重构方式和生长机制.报道了一种新型的分子束外延方法,在RHEED实时监控下,利用GaAs(001)基片同质外延GaAs.通过改变生长和退火的时间与温度(420、500、580℃),结合RHEED图像演变与GaAs表面平整度(粗糙化)的联系,得到表面原子级平整的GaAs样品.完成生长后对样品做EDS分析,确定样品为高纯度GaAs.利用这种方法,得到厚度约为4μm砷化镓晶体.
关键词:
MBE
,
RHEED图像
,
粗糙化
,
EDS
,
GaAs表面重构
钢铁
美国纽柯公司贺特福德中厚板厂的板坯连铸机和轧机由达涅利公司提供.介绍了工厂的特点、工厂参数的精确调试和优化、产量和质量的提升.工厂的连铸机是世界上最宽的长漏斗形结晶器板坯连铸机,能够生产优质合格的产品并连续不断地打破了产能纪录.
关键词:
板坯
,
连铸
,
结晶器
B.DiGiusto
钢铁
美国纽柯公司贺特福德中厚板厂的板坯连铸机和轧机由达涅利公司提供。介绍了工厂的特点、工厂参数的精确调试和优化、产量和质量的提升。工厂的连铸机是世界上最宽的长漏斗形结晶器板坯连铸机,能够生产优质合格的产品并连续不断地打破了产能纪录。
关键词:
板坯;连铸;结晶器