郭道远
,
刘春静
,
黄昊
,
薛方红
,
王飞
,
赵亚楠
,
董星龙
稀有金属材料与工程
采用直流电弧等离子体法制备出Mg-Ni和Mg-Ni/La2O3两种镁基合金纳米粒子,研究了稀土氧化物La2O3对Mg-Ni纳米粒子进行表面改性后对其相结构及电化学性能的影响.结果表明:稀土氧化物La2O3对Mg-Ni纳米粒子进行表面掺杂改性后,有效地抑制了MgO和Mg(OH)2相生成.掺杂La2O3以后,Mg-Ni纳米粒子的电化学性能得到了明显的改善,提高了它在强碱性介质中的耐蚀性能和放电性能.
关键词:
镁基合金纳米粒子
,
直流电弧法
,
表面改性
,
电化学性能
王飞
,
黄昊
,
薛方红
,
郭道远
,
赵亚楠
,
董星龙
材料研究学报
以直流电弧等离子体法制备(Fe,Ni)的纳米粒子为前驱体,分别在350℃、400℃和450℃的氨气气氛中,通过热氨解反应合成(Fe,Ni)_4N包覆(Fe,Ni)纳米复合粒子。应用XRD,TEM,VSM,微波矢量网络分析仪对纳米粒子相成分、形貌、磁性和电磁参数进行了分析。结果表明,形成了(Fe,Ni)_4N包覆(Fe,Ni)纳米复合粒子。与前驱体粉体相比,纳米复合粒子的多重极化提高了复介电常数,且表现出明显的介电共振行为;而复磁导率呈现相似的变化规律,在8.0 GHz处出现了自然共振峰。利用电磁参数模拟微波吸收特性得出,氮化处理后复合粒子在3.6—7.8 GHz和2.0-6.4 GHz频率范围内具有良好的吸波性能(反射损耗R〈-10 dB),最小反射损耗分别为-53.5 dB,-34.5 dB,可作为低频吸波剂。
关键词:
复合材料
,
(Fe,Ni)_4N
,
直流电弧等离子法
,
复合粒子
,
电磁性能
,
吸波材料
赵亚楠
,
薛方红
,
黄昊
,
刘春静
,
甘小荣
,
董星龙
材料研究学报
带直流电弧等离子体气相蒸发法制备球状Al纳米粒子,并对其进行了XRD、TEM以及电极的脱/嵌锂离子循环性能表征。结果表明,制备出的Al粒子大小约为100 nm,表面包覆一层厚度不到1nm的非晶氧化物。使用Al纳米粒子制做的负极极片组装电池,研究了电流密度对其电化学特性的影响。结果表明,电池的首次充放电曲线和前10次循环性能曲线表明,电流密度最小的Al电极首次放电容量最大,为951.9 mAh/g.首次容量损失也最大,其循环稳定性能也相应变差:而电流密度最大的Al电极首次放电容量为879.7mAh/g,其循环稳定性能最佳。首次放电结束后,在电极材料中出现了两种化合物AlLi和Al2Li3,与测试出的放电容量相符。
关键词:
复合材料
,
锂离子电池
,
铝纳米粒子
,
负极材料
,
直流电弧等离子体法
邓书端
,
李向红
,
付惠
,
孙友利
腐蚀与防护
滇润楠(Machilus yunnanensis)叶的提取物(简称为MYLE)可作为“绿色”缓蚀剂。用失重法、动电位极化曲线和电化学阻抗谱(EIS)研究了MYLE在0.5 mol/L H2SO4中对冷轧钢的缓蚀作用。结果表明,MYLE对冷轧钢具有良好的缓蚀作用,且在钢表面的吸附符合Langmuir吸附校正模型;MYLE为混合抑制型缓蚀剂;EIS谱在高频区呈容抗弧,在低频区出现感抗弧,电荷转移电阻随缓蚀剂浓度的增加而增大。
关键词:
钢
,
硫酸
,
滇润楠
,
缓蚀
,
吸附
,
提取物
赵永庆
,
曾卫东
,
林成
中国材料进展
赵永庆教授基于Access 2000关系数据库平台,采用面向对象的可视化编程语言Visual Basic开发了钛合金基本关系数据库;建立了一套可行的钛合金显微组织的定量分析方法与模型,实现了钛合金显微组织中相的体积分数、β晶粒大小、α条的厚度及丛域尺寸、α条的形态、位向分布等特征参数的定量描述.采用Feret Ratio建立了典型钛合金α相的统一表征模型;运用经验电子理论(EET)探讨了亚稳β钛合金的β相稳定性、贫化β相与富化β相分离及控制富化β相分解的微观机理,为实现亚稳β钛合金的成分理论设计提供理论基础.
关键词:
钛合金
,
数据库
,
显微组织
,
定量表征
,
成分理论设计
张振华
电镀与精饰
doi:10.3969/j.issn.1001-3849.2012.04.007
从实验验证、成本分析两个方面对甲基磺酸亚锡和硫酸亚锡为主盐的镀哑光锡电解液在镀液性能和镀层性能进行比较,验证了甲基磺酸亚锡镀哑光锡在镀层和镀液方面的性能优势,在成本上,对甲基磺酸亚锡镀哑光锡和硫酸亚锡镀哑光锡做对比分析,发现二者成本接近,综合研究结论为:甲基磺酸亚锡为主盐镀哑光锡在未来几年内,有取代硫酸亚锡的趋势.
关键词:
甲基磺酸亚锡
,
硫酸亚锡
,
镀层性能
,
镀液性能
,
成本
韩茹
,
杨银堂
,
贾护军
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2008.04.014
基于器件物理分析的方法,结合沟道电势二维解析模型,分析比较了漏极引致势垒降低效应(DIBL effect)对6H-及4H-SiC MESFET沟道势垒,阈值电压,以及亚阈值电流的影响,并研究了其温度特性.研究表明DIBL效应的存在使SiC MESFET的沟道势垒最小值随栅长及温度发生变化,并带来阈值电压及亚阈值电流的变化.栅长越大,温度越高,亚阚值倾斜因子Ns越小,栅压对沟道电流的控制能力增强,最终造成亚阈值电流随栅压的变化越快.
关键词:
碳化硅MESFET
,
沟道电势
,
漏极引致势垒降低效应
,
阈值电压