赵传阵
,
唐吉玉
,
文于华
,
吴靓臻
,
孔蕴婷
低温物理学报
doi:10.3969/j.issn.1000-3258.2007.01.013
本文采用解析的方法计算了应变Si1-xGex层中p型杂质电离度与Ge组分x、温度T以及掺杂浓度N的关系.发现常温时,在同一Ge组分下,随着掺杂浓度的升高,杂质的电离度的先变小,而后又迅速上升到1.在同一掺杂浓度下,轻掺杂时,杂质的电离度随Ge组分的增加先变大,而后几乎不变;重掺杂时,杂质电离能变为0...
关键词:
硅锗合金
,
少数载流子
,
低温特性
,
掺杂浓度
孙李媛
,
郭光华
,
李新华
材料导报
采用二次阳极氧化法,制备出高度有序的阳极氧化铝模板(AAO模板).并以AAO模板为电极,分别用交流和直流的方法从水溶液中沉积出SmCo纳米线阵列.用原子力显微镜、场发射扫描电镜对其形貌、成分进行表征,结果表明,SmCo纳米线的线壁光滑、线径一致,约为80nm和100nm;线
关键词:
SmCo纳米线
,
AAO模板
,
电沉积
曲轶
,
薄报学
,
高欣
,
张宝顺
,
张兴德
,
石家纬
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2000.03.036
利用分子束外延生长方法生长出InGaAs/GaAs应变量子阱材料.利用该材料制作出的应变量子阱列阵半导体激光器准连续(500μs,100Hz)输出功率达到27W(室温),峰值波长为939～941nm,并分析了影响列
关键词:
分子束外延
,
阵
,
半导体激光器
