陈欣
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方斌
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官文杰
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吴天书
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郭明森
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方国家
,
赵兴中
功能材料
利用脉冲激光沉积法制备了ZnO∶Al透明导电薄膜.通过对膜的霍尔系数测量及 AFM、XRD分析,详细研究了温度和退火处理对薄膜结构、表面形貌及光电性能的影响.结果表明沉积温度影响膜的电学、光学性能和膜的结晶状况.制备的薄膜均具有ZnO(002)择优取向的多晶膜.在240～310℃沉积的薄膜具有最低的电阻率,其值为6.1×10-4Ω·cm,在240℃沉积的薄膜在氩气中退火薄膜的电阻率下降为4. 7×10-4Ω·cm.所有薄膜在可见光区的平均透过率均达到了90%以上.
关键词:
沉积温度
,
ZnO:Al(AZO)膜
,
退火
孙小华
,
付建科
,
邹隽
,
王燕
,
赵兴中
功能材料
采用溶胶凝胶工艺,在Pt/Ti/SiO2/Si衬底制备了富钛(Ba0.6Sr0.4)TiO3(BST)薄膜和富钛梯度薄膜.利用X射线衍射(XRD)和扫描电镜(SEM)分析测定了BST的微结构和薄膜的表面形貌,研究了富钛含量和梯度结构对BST介电调谐性能的影响.结果表明富钛薄膜中析出了TiO2相,薄膜的介电常数、损耗和调谐量随着钙钛矿结构(ABO3)中A/B的增加而增加;当A/B为0.68时,有最小的介电损耗0.017;当A/B为1时,有最高的介电常数和调谐量,分别为592%和43.72%.而富钛梯度薄膜因TiO2的析出而丧失晶格不匹配应力的影响,在介电调谐性能上并没有表现出梯度薄膜的综合优异性能.
关键词:
BST
,
溶胶凝胶
,
梯度薄膜
,
介电调谐性能
赵兴中
,
刘家浚
,
朱宝亮
,
薛群基
,
欧阳锦林
无机材料学报
近年来Si3N4基陶瓷刀具在铸铁的切削加工中已得到较为成功的应用.但在加工碳钢等材料时，却产生较严重的化学磨损.不仅如此，干切削条件下陶瓷刀具和金属工件接触区产生的高温加剧了刀具与工件接触面间元素相互扩散，Si3N4颗粒的氧化及其氧化产物Si3O2的熔融，会大大加剧陶瓷材料的粘着磨损和微断裂磨.本试验采用润滑剂的润滑、冷却作用，尤其极压抗磨添加剂的摩擦化学作用来减小陶瓷的磨损率.在销-盘试验机上考察了ZDDP和TCP两种常用抗磨添加剂的性能.结果表明，两种添加剂均具有很好的减摩抗磨效果.分析认为，摩擦过程中添加剂发生了摩擦化学反应，其摩擦化学反应产物起到了很好的边界润滑作用，减小了摩擦系数和磨损率.
关键词:
陶瓷
,
additives
,
tribochemistry
,
adhesive wear
赵兴中
,
刘家浚
,
朱宝亮
,
罗振壁
,
苗赫濯
材料研究学报
在销—盘试验机上考察了水、油和一种常用切削液GMY对Si3N4/钢摩擦副摩擦磨损性能的影响.试验选用的速度和载荷范围分别是0.8—3.2m/s和58.8～235.2N润滑剂对摩擦和磨损的影响与润滑剂种类有很大关系.水润滑膜的强度弱,边界润滑效果差,所以在水润滑条件下,仍不能防止钢转移到Si3N4摩擦面上.油膜的强度较高,但由于验用的油不含添加剂等极性化合物,其边界润滑性也随载荷增大而逐渐变坏.GMY溶液中含有多种极性化合物,这些物质能在摩擦面上形成强度较高的边界膜,并在滑动过程中与表面作用形成摩擦化学反应膜,能起到很好的边界润滑作用,是一种良好的切削润滑剂.试验还发现,随着GMY溶液浓度的增大,其边界润滑性能可进一步得到改善.
关键词:
陶瓷
,
null
,
null
,
null
,
null
刘宁
,
赵兴中
,
江来珠
,
罗会国
,
胡镇华
,
崔崑
金属学报
以分维几何学为基础，建立了断口二次电子像的分维Ｂｒｏｗｎｉａｎ模型，提出了以图像处理系统为手段的断口形貌的分维测量方法。研究了Ｎｉ粘结的Ｔｉ（Ｃ，Ｎ）金属陶瓷在三点弯曲条件下，断裂表面的分形维数与横向断裂强度及显微组织之间的关系，建立了金属陶瓷的微观断裂的Ｆｒａｃｔａｌ模型，给出断口分形维数的计算表达式。实验结果表明，横向断裂强度的对数值ｌｇσ＿（ｂｂ）随分形维数Ｄ＿Ｆ增加呈单调上升的直线关系；显微组织的变化对分形维数有重要影响；断口的分形维数依赖于测量码尺的选择，且存在上临界点ε＿ｋ′。
关键词:
分形维数
,
fracture morphology
,
fractal model
,
Ti(C
,
N) cermet
国世上
,
李伟平
,
孙成亮
,
赵兴中
功能材料
利用X射线衍射、差分扫描热分析(DSC)、电滞回线和介电常数的测量等研究了经高能电子辐照的共聚物P(VDF-TrFE) 56/44 mol%和80/20 mol%的相变特性和弛豫现象.结果表明,适量电子辐照不仅可以把低VDF含量的P(VDF-TrFE)56/44 mol%从正常铁电体转变为弛豫铁电体,而且可以把高VDF含量的P(VDF-TrFE)80/20 mol%转变为驰豫铁电材料.从而为此类巨电致伸缩材料的应用奠定了基础,扩大了其在机电装置方面的应用范围.
关键词:
铁电共聚物P(VDF-TrFE)
,
相变
,
弛豫
袁娜
,
刘军
,
刘文秋
,
李美亚
,
赵兴中
功能材料
采用sol-gel法在Pt/Ti/SiO2/Si衬底上成功制备出纯BiFeO3(BFO)和Ce、V共掺杂Bi0.97 Ce0.03Fe1-x VxO3 (x=0,0.01,0.02,0.03)(BCFVx)薄膜.结构和形貌测试表明,Ce、V共掺杂使得BFO薄膜发生从菱方结构到伪四方结构的转变,且薄膜晶粒变小.介电性能和漏电流测试表明,Ce、V共掺杂BFO薄膜的介电常数增大,介电损耗和漏电流密度减小.铁电性能测试表明在x=0.01时,BCFV0.01薄膜具有较好矩形度的电滞回线,表现出较好的铁电性能.
关键词:
BiFeO3
,
sol-gel技术
,
离子掺杂
,
铁电性能
,
漏电流
孙小华
,
胡宗智
,
吴敏
,
余本芳
,
赵兴中
功能材料
采用溶胶凝胶工艺,在Pt/Ti/SiO2/Si衬底制备了Mg掺杂(Ba0.6Sr0.4)0.925K0.075TiO3(BSKT)薄膜.X射线衍射(XRD)和扫描电镜(SEM)分析测定了物相微结构和薄膜表面形貌,研究了Mg掺杂含量对BSKT晶粒尺寸和直流场介电调谐性能的影响,讨论了直流场介电损耗谱演变的原因.结果表明,Mg掺杂BSKT使薄膜表面粗糙度、晶粒尺寸、介电常量、介电损耗和调谐量都降低;在室温1MHz下,BSKT薄膜有最大的调谐量73.6%;6%(摩尔分数)Mg掺杂BSKT薄膜有最低的介电损耗为0.0088;发现直流场下薄膜的介电损耗谱演变一方面可能与薄膜的晶粒尺寸有关,另一方面也可能与测试温度有关.
关键词:
BSKT
,
Mg掺杂
,
溶胶凝胶
,
介电调谐性能
