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全印刷碳纳米管薄膜晶体管构建及电性能研究

张祥 , 费斐 , 郭文瑞 , 聂书红 , 吴良专 , 谢建军 , 建文 , 崔铮

影像科学与光化学 doi:10.7517/j.issn.1674-0475.2016.02.136

利用纳米压印和电刷镀技术在PET基体上制作出大面积金源、漏电极阵列.分别采用钛酸钡复合材料为介电层,印刷银电极为顶电极,聚芴-二噻吩基吡咯并吡咯二酮(PF8DPP)分离的半导体碳纳米管为有源层,在柔性基体上构建出全印刷碳纳米管薄膜晶体管器件和反相器.全印刷碳纳米管薄膜晶体管的开关比和迁移率分别达到4×104和6 cm2·V-1·s-1,且器件表现出零回滞特性.构建的反相器在Vdd=8 V时,其增益可以达到12.

关键词: 纳米压印 , 电刷镀 , 半导体碳纳米管 , 聚合物 , 印刷电子 , 薄膜晶体管

印刷半导体碳纳米管薄膜晶体管光电性能研究

刘振 , 徐文亚 , 钱龙 , 建文 , 崔铮

影像科学与光化学 doi:10.7517/j.issn.1674-0475.2014.03.260

本文研究了聚[(2,7-9,9-二辛基芴基)-4,7-双(噻吩-2-基)苯并-2,1,3-噻二唑](PFO-DBT)分离的半导体碳纳米管薄膜晶体管的光电性能.在超声和高速离心辅助下,PFO-DBT能够从商业化单壁碳纳米管中选择性分离出高纯的半导体碳纳米管.用得到的半导体碳纳米管溶液通过气溶胶喷墨印刷方法构建出高性能印刷薄膜晶体管器件.印刷碳纳米管薄膜晶体管表现出高的开关比(107)和高迁移率(15.6 cm2 ·V-1·s-1).并且所有制备的印刷薄膜晶体管具有很好的光敏感特性和很好的稳定性.

关键词: 半导体性碳纳米管 , 聚合物 , 印刷电子 , 薄膜晶体管 , 光响应特性

双极性碳纳米管薄膜晶体管构建及电性能研究

许威威 , 徐文亚 , 张祥 , 金晶 , 建文 , 崔铮

影像科学与光化学 doi:10.7517/j.issn.1674-0475.2016.02.152

本文用聚[(9,9-二辛基芴-2,7-二基)-共-(1,4-苯并2,1-3噻二唑)](PFO-BT)分离的半导体碳纳米管作为有源层,通过气溶胶喷墨打印技术在刚性基体上构建出底栅结构的碳纳米管薄膜晶体管器件.用钛酸钡复合材料封装后,碳纳米管薄膜晶体管表现出很好的双极性、较高的开关比和零回滞特性,同时阈值电压能够控制在0V附近.通过两个双极性薄膜晶体管连接而成的反相器表现出零回滞、高电压增益(Vdd =1.5 V时,其增益可达到35)和大噪声容限(Vdd=1 V时,最大噪声容限为0.44 V).

关键词: 印刷电子 , 聚合物 , 半导体碳纳米管 , 薄膜晶体管 , 双极性 , 封装

含氟共聚聚酰亚胺的合成与性能研究鲁云华,洪斌,迟海军,董岩,肖国勇,胡知之

鲁云华 , 洪斌 , 迟海军 , 董岩 , 肖国勇 , 胡知之

绝缘材料

以1,4-双(4-氨基-2-三氟甲基苯氧基)苯(6FAPB)为含氟二胺单体,均苯四甲酸二酐(PMDA)和1,2,3,4-环丁烷四酸二酐(CBDA)为二酐单体,经低温溶液缩聚反应得到聚酰胺酸,再经热酰亚胺化处理制备出含氟共聚聚酰亚胺(CPI)薄膜.采用红外(IR)、紫外(UV-Vis)、溶解性测试等对CPI进行结构与性能表征,考察两种二酐单体的不同物质的量之比对共聚聚酰亚胺光学性能和溶解性的影响.结果表明:随着脂环二酐CBDA摩尔配比的增加,CPI薄膜在410 nm处的光透过率逐渐增加,薄膜颜色逐渐变浅,溶解性有所改善.

关键词: 聚酰亚胺 , 共缩聚 , 含氟 , 结构与性能

金属学报 第二卷 1957 目录

金属学报

第一期高路不锈翎中裂较的研究········……,..........................................…… ·········~······一李薰、贺潜菊、张振芳、孺梦菊、严媒、蕙田(l)高煊煊缸内化学平衡的考察n.矽一硫、矽一碳和矽一锰平衡······……都元满(13)从铅鼓夙攘烟崖富集锡拜回收铅的研究·······································…… ·············....

关键词:

“液态镓-銻系合金中组分銻的蒸气压”一文的討論

金属学报

<正> 朱锡熊:由彭年和莫金璣同志所作“液态鎵-锑系合金中组分锑的蒸气压”一文的突验数据,可以进一步了解到有关Ga-Sb溶液的热力学性质。 、莫在720°,750°和780℃测定了x_(Sb)=0.30-1.00成分范围的Ga-Sb溶液中组元Sb的蒸气压,因原数据比较散乱,欲根据其原始数据进行分析,需要先对数据进行处理。先按原始数据画出三个温度的lg P_(Sb_4)-x_(Sb)的光滑曲线,由曲线读出不同x_(Sb)成分时的lg P_(Sb_4)值。固定溶液的成分,再以lg P_(Sb_4)对1/T作直线,由直线读出该成分对应于上述三个温度的1g P_(Sb_4),也即组元Sb的蒸气压。两次处理的曲线示于图1,取出的组元Sb的蒸气压(毫米汞柱)列于表1。

关键词:

几种无机阴离子的电迁移及其对闭塞区的影响

许淳淳 , 傅晓萍 , 刘幼平

腐蚀学报(英文)

用模拟闭塞电池方法研究了低碳钢/碱性NaCl水溶液体系中央各部委中无机阴离子向塞区的电迁移规律及其对闭塞区的影响,结果 所选阴离子浓度范围内,CrO4^2、MoO^2-、WO4^2-均能向闭塞区内迁移,它们遵循相同的规律,电迁移量随着时间的延长深度的提高而增大,其中WO4^2-行 速度比CrO4^2、MoO4^2-小;添加一定浓度以上的这三种种郭能有效地阻止Cl^-向闭塞区的迁移,浓度越高,效果 

关键词: 电迁移 , anions , occluded cors~sion cell , mild steel

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