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研究了0Cr9Ni6Mn16Si5形状记忆合金的生产工艺和性能.研究结果表明,0Cr9Ni6Mn16Si5合金可以采用EF+VOD+VHD工艺冶炼.该合金具有强的热敏感性和高温变形抗力,高温可加工热塑性温度区间比较窄,温度超过1 100 ℃时塑性直线下降.铸锭的开锻温度为1 080 ℃,终锻温度为900 ℃;锻造管坯只有采用挤压方法实施管材成形.挤压成形的毛坯管可以采用冷轧与冷拔相结合的方法进一步加工成薄壁管.

关键词: 铁基形状记忆合金 , 0Cr9Ni6Mn16Si5 , VOD , VHD , 高温塑性 , 热挤压

临界电流密度的非均匀分布对高温超导体中磁通跳跃的影响

赵玉峰 , 何天虎

低温物理学报

基于高温超导体热磁相互作用机制,建立反映临界电流密度的非均匀分布效应的简化模型,研究了临界电流密度的非均匀分布效应对磁化曲线和磁通跳跃的影响.在绝热磁通跳跃理论的基础上引进了外磁场变化速率对磁通跳跃的影响,推导出能够精确预测磁通跳跃场大小的递推公式.根据临界态模型计算了超导样品的磁化曲线和磁通跳跃现象,确定了初次磁通跳跃场的环境温度和外磁场变化速率的有效范围,并且发现非均匀分布模型下的磁通跳跃场明显小于均匀分布模型的跳跃场.结果表明,对于初次磁通跳跃场,本文的理论预测结果和实验结果基本上一致,尤其和数值模拟的结果在很大的范围内有很好的吻合.临界电流密度的非均匀分布效应确实能够降低磁通跳跃场,加剧高温超导体中的磁通跳跃不稳定性.

关键词: 临界电流密度的非均匀分布 , 磁通跳跃 , 磁通钉扎 , 高温超导体

铁基形状记忆合金0Cr12Ni6Mn16Si5的研制

李强 , 赵玉峰 , 董治中 , 陈金铭

兵器材料科学与工程 doi:10.3969/j.issn.1004-244X.2002.05.008

探讨了0Cr12Ni6Mn16Si5形状记忆合金的工业化生产工艺,0Cr12Ni6Mn16Si5可以采用EF1+AOD+EF2进行冶炼.合金具有强的热敏感性和高温变形抗力,高温可加工热塑性温度区间比较窄,温度超过1*!100℃,塑性直线下降.铸锭的开锻温度为1*!080℃,终锻温度为900℃;锻造管坯只有采用挤压方法实施管材成型.挤压成型的毛管可以采用冷轧与冷拔相接合方法进一步加工成薄壁管.

关键词: 铁基形状记忆合金 , AOD , 高温塑性 , 热挤压

高温超导YBCO薄膜中的传输交流损耗

赵玉峰 , 何天虎 , 冯旺军 , 李世荣 , 周又和

低温物理学报

基于Norris方程和Bean临界态模型,考虑薄膜超导体内的磁场和电流密度分布特性,通过解析求解的方法推导出薄膜超导体在传输外加电流时其内部的磁场和电流密度以及传输交流损耗的解析表达式,从定量的角度研究超导体截面几何形状对传输交流损耗的影响.结果表明薄膜超导体边缘处的剧烈变化的磁场和电流的分布以及无场区的电流承载能力是影响传输交流损耗的主要原因.

关键词: 交流损耗 , 临界态模型 , YBCO薄膜

微弧氧化电源特性和参数对膜层性能及电能消耗的影响

杨威 , 赵玉峰 , 杨世彦

材料工程 doi:10.3969/j.issn.1001-4381.2010.02.020

随着微弧氧化技术及其工业应用的发展,作为关键设备的电源对微弧氧化的影响得到了广泛的关注.综述了电源特性和参数对膜层性能以及工艺能耗影响方面的研究,总结了电源工作模式和电流密度、电压、频率等电参数对膜层相组成、表面形态、耐蚀性等性能以及工艺能耗的影响规律,指出电源特性和参数的影响本质上是电源脉冲能量的影响,能精确控制脉冲能量的电源是今后的发展方向.

关键词: 微弧氧化 , 电源 , 电参数 , 膜层性能 , 能耗

临界电流密度的分布对高温超导体中传输交流损耗的影响

赵玉峰 , 李世荣 , 何天虎

低温物理学报

基于Norris方程和Bean临界态模型,假定临界电流密度沿高温超导圆柱体半径的非均匀分布方式,从定量的角度研究了临界电流密度沿高温超导圆柱体径向分布方式的不同对传输交流损耗的影响.考虑临界电流密度沿径向的包括阶梯式和逐点变化式等多种分布方式,通过引进表征超导体内临界电流密度非均匀分布的强弱差异程度的无量纲参数λ推导出临界电流密度非均匀分布方式下高温超导体中传输交流损耗的解析表达式.结果表明临界电流密度阶梯式分布对损耗的影响和临界电流密度逐点变化式分布的情况在损耗曲线的变化趋势和量级上有明显的区别并且随着传输电流的增加临界电流密度的非均匀分布方式对传输损耗的影响也越显著.

关键词: 交流损耗 , 临界电流密度 , 临界态模型 , 高温超导体

微弧氧化脉冲电源的负载模型及其定量表征

赵玉峰 , 杨威 , 杨世彦

材料工程 doi:10.3969/j.issn.1001-4381.2011.06.015

为解决微弧氧化(MAO)工艺中脉冲电源与负载间的匹配问题,基于电化学理论和参数拟合方法,建立脉冲电源作用下的微弧氧化电解槽负载的等效电路模型.首先采用电化学阻抗谱方法,得出电源的负载理论模型.通过测量负载的阶跃响应曲线并进行参数拟合,对实际工程应用中的等效电路模型进行定量分析,得出整个微弧氧化过程的负载模型各个参数的具体值及其变化趋势.最后按照得出的参数值进行仿真,并与实验结果相比较,比较结果证明了等效电路的合理性.

关键词: 微弧氧化脉冲电源 , 等效电路模型 , 负载特性 , 曲线拟合