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ZrV2体系的第一原理研究

彭述明 , 赵鹏骥 , 龙兴贵 , 杨茂年 , 赵朝前 , 梁建华 , 罗顺忠 , 徐志磊

基于局域密度泛函理论, 结合赝势方法, 研究了ZrV2-H体系的结构及其能量性质. 研究结果表明, H原子填入ZrV2晶胞中的2 Zr2V四面体间隙所形成的氢化物最稳定, 填入1 Zr3V四面体间隙所形成氢化物的稳定性次之, 填入4V四面体间隙所形成氢化物的稳定性最差; 吸H前后ZrV2合金晶体结构类型不变; 随含H量增大, 晶格常数增大; 当H/ ZrV2小于2.0时, ZrV2的氢化物应具有较强的抗粉化能力. H在ZrV2合金中的固溶度小, p-C坪台长, 室温平衡压低, 有利于贮存氢同位素.

关键词: ZrV2合金 , null , null

ZrV2体系的第一原理研究

彭述明 , 赵鹏骥 , 龙兴贵 , 杨茂年 , 赵朝前 , 梁建华 , 罗顺忠 , 徐志磊

金属学报 doi:10.3321/j.issn:0412-1961.2002.02.002

基于局域密度泛函理论,结合赝势方法,研究了ZrV2-H体系的结构及其能量性质.研究结果表明,H原子填入ZrV2晶胞中的2Zr2V四面体间隙所形成的氢化物最稳定,填入1Zr3V四面体间隙所形成氢化物的稳定性次之,填入4V四面体间隙所形成氢化物的稳定性最差;吸H前后ZrV2合金晶体结构类型不变;随含H量增大,晶格常数增大;当H/ZrV2小于2.0时,ZrV2的氢化物应具有较强的抗粉化能力H在ZrV2合金中的固溶度小,p-C坪台长,室温平衡压低,有利于贮存氢同位素.

关键词: ZrV2合金 , 贮氢 , 第一原理

C60掺杂薄膜的制备及性质分析

张占文 , 吴卫东 , 魏胜 , 王朝阳 , 黄勇 , 许华 , 赵鹏骥

材料导报

C60掺杂研究是C60研究领域的一个重要组成部分。C60掺杂化合物从制备方法上分主要有内掺杂和外掺杂两种。从掺杂原子类型分主要有碱金属掺杂、碱土金属掺杂和其它原子掺杂。掺杂种类不同，所得到的结构和性质也不同。C60掺杂化合物最吸引人的性质是其超导电性。在简单介绍C60结构性质的基础上，对C60掺杂化合物的掺杂种类、制备、结构和性质进行综述。

关键词: C60 , 掺杂 , 薄膜

钛钒基TiVCrFeZr合金的熔炼工艺初探

帅茂兵 , 武胜 , 赵鹏骥 , 徐志磊

稀有金属 doi:10.3969/j.issn.0258-7076.1999.05.013

分析探讨了钛钒基TiVCrFeZr合金的熔炼特点和热处理工艺, 利用XRD、 SEM和电子"微探针"技术对合金微观结构进行了分析. 结果表明: 真空电弧熔炼难以解决合金宏观成分偏析; 电弧熔炼后再进行真空感应熔炼可以解决合金成分的宏观偏析. 当TiVCrFeZr合金中锆含量很低时, 可以通过高温长时间保温和快速真空淬火工艺获得均质单相的固溶体合金. 合金的固溶温度和降温速度对共析产物的生成有决定性影响. 合金杂质元素 (尤其是氧) 对合金微观结构有显著影响. 合金主相为钛钒基固溶体, 具有体心立方结构.

关键词: TiVCrFeZr合金 , 合金冶炼 , 微观结构 , 物相

钯银膜无电解镀共沉积的探讨

黄玮 , 邢丕峰 , 赵鹏骥

应用化学 doi:10.3969/j.issn.1000-0518.2000.05.021

关键词: 无电解镀 , 共沉积 , 钯银膜 , 热处理

赵连城院士简介

功能材料

关键词:

专栏特约编辑赵永庆

中国材料进展

关键词:

戴志良、杨自鹏同志被增补为中国硅酸盐学会第六届常务理事会常务理事

硅酸盐通报

关键词:

含氟共聚聚酰亚胺的合成与性能研究鲁云华,赵洪斌,迟海军,董岩,肖国勇,胡知之

鲁云华 , 赵洪斌 , 迟海军 , 董岩 , 肖国勇 , 胡知之

绝缘材料

以1,4-双(4-氨基-2-三氟甲基苯氧基)苯(6FAPB)为含氟二胺单体,均苯四甲酸二酐(PMDA)和1,2,3,4-环丁烷四酸二酐(CBDA)为二酐单体,经低温溶液缩聚反应得到聚酰胺酸,再经热酰亚胺化处理制备出含氟共聚聚酰亚胺(CPI)薄膜.采用红外(IR)、紫外(UV-Vis)、溶解性测试等对CPI进行结构与性能表征,考察两种二酐单体的不同物质的量之比对共聚聚酰亚胺光学性能和溶解性的影响.结果表明:随着脂环二酐CBDA摩尔配比的增加,CPI薄膜在410 nm处的光透过率逐渐增加,薄膜颜色逐渐变浅,溶解性有所改善.

关键词: 聚酰亚胺 , 共缩聚 , 含氟 , 结构与性能