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蓝宝石衬底的斜切角对GaN薄膜特性的影响

牛南辉 , 王怀兵 , 刘建平 , 刘乃鑫 , 邢艳辉 , 李彤 , 张念国 , 韩军 , 邓军 , 沈光地

利用金属有机物化学气相沉积技术在具有斜切角度的蓝宝石衬底(0～0.3°)上生长了非故意掺杂GaN薄膜,并采用显微镜、X射线双晶衍射、光荧光及霍尔技术对外延薄膜的表面形貌、晶体质量、光学及电学特性进行了分析.结果表明,采用具有斜切角度的衬底,可以有效改善GaN外延薄膜的表面形貌、降低位错密度、提高GaN的晶体质量及其光电特性,并且存在一个衬底最优斜切角度0.2°,此时外延生长出的GaN薄膜的表面形貌和晶体质量最好.

关键词: 氮化镓 , 蓝宝石衬底 , 斜切角度 , DCXRD , MOCVD

具有渐变层半导体DBR的MOCVD外延制备

盖红星 , 邓军 , 廉鹏 , 俞波 , 李建军 , 韩军 , 陈建新 , 沈光地

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2006.03.009

应用金属有机化合物气相淀积(MOCVD)制备了具有渐变层的半导体布拉格反射镜(DBR),分别是抛物线性、线性和突变结构的DBR.三种反射镜结构都设计为8个周期,通过白光反射谱测量突变DBR具有最大反射率.应用原子力显微镜对所制备的DBR表面形貌进行分析.结果表明,相同周期数情况下线性渐变DBR相对于其他两种结构粗糙度最小,具有良好的表面形貌,可以应用于垂直腔面发射激光器的研制.

关键词: 布拉格反射镜 , 金属有机化合物气相淀积 , 原子力显微镜 , AlGaAs

应变InGaAs/GaAs量子阱MOCVD生长优化及其在980 nm半导体激光器中的应用

俞波 , 盖红星 , 韩军 , 邓军 , 邢艳辉 , 李建军 , 廉鹏 , 邹德恕 , 沈光地

量子电子学报 doi:10.3969/j.issn.1007-5461.2005.01.015

使用低压MOCVD生长应变InGaAs/GaAs 980 nm量子阱.研究了生长温度、生长速度对量子阱光致发光谱(PL)的影响.并将优化后的量子阱生长条件应用于980 nm半导体激光器的研制中,获得了直流工作下,阈值电流为19 mA,未镀膜斜率效率为0.6 W/A,输出功率在100 mW的器件.

关键词: 光电子学 , 半导体激光器 , 应变量子阱 , 金属有机化学气相淀积

AlInGaAs/AlGaAs应变量子阱增益特性研究

盖红星 , 李建军 , 韩军 , 邢艳辉 , 邓军 , 俞波 , 沈光地 , 陈建新

量子电子学报 doi:10.3969/j.issn.1007-5461.2005.01.016

采用Shu Lien Chuang方法计算了AlInGaAs/AlGaAs应变引起价带中重、轻空穴能量变化曲线,在Harrison模型的基础上详细地计算了AlInGaAs/AlGaAs和GaAs/AlGaAs量子阱电子、空穴子能级分布并且进一步研究了这两种材料在不同注入条件下的线性光增益.进一步计算比较可以得出AlInGaAs/AlGaAs应变量子阱光增益特性要优于GaAs/AlGaAs非应变量子阱增益特性,因此AlInGaAs/AlGaAs应变量子阱半导体材料应用于半导体激光器比传统GaAs/AlGaAs材料更具优势.

关键词: 光电子学 , 应变量子阱 , 光增益 , AlInGaAs , 半导体激光器

隧道再生大功率半导体激光器模式特性分析

鲁鹏程 , 李建军 , 邓军 , 廉鹏 , 刘莹 , 崔碧峰 , 沈光地

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2004.03.026

利用有效折射率法计算了隧道再生双有源区大功率半导体激光器的工作模式,并对计算得到的激射模式的近场、远场与实验结果进行比较,得到激射模式为一阶模,二者十分吻合,这有助于进一步优化设计波导结构.

关键词: 半导体激光器 , 模式特性 , 有效折射率法

草酸络合除石英砂中铁的研究

张雪梅 , 汪徐春 , 邓军 , 马柱 , 杨久峰 , 程年寿 , 陈俊明

硅酸盐通报

本试验通过草酸络合的方法研究了用草酸降低石英砂中铁含量的最佳试验条件.试验研究了草酸浓度、浸泡温度、浸泡时间、添加还原剂及洗涤次数对除铁效率的影响;试验结果表明:当草酸浓度0.25 mol·L-1、浸泡温度80℃、浸泡时间3h、溶液pH值为9时有较好的除铁效果.洗涤次数和外加还原剂对本试验结果也有影响.在最优实验条件下,石英砂中的铁含量从132.0μg·g-1降低到8.5 μg·g-1,除铁效率达到93.6％.

关键词: 石英砂 , 除铁 , 草酸 , 络合

谢家沟剪切带蚀变岩型金矿床地质特征及成因初步探讨

韦延光 , 邓军 , 王建国 , 张志启 , 闫顺令 , 辛洪波 , 尤世娜

黄金 doi:10.3969/j.issn.1001-1277.2005.04.003

谢家沟金矿床是一个新发现的矿床.在讨论成矿地质背景基础上,分析了矿床地质特征及其成因.认为谢家沟金矿床是同韧性剪切带蚀变岩型金矿床,焦家断裂带与招平断裂带的差异性构造运动为成矿提供了剪切应力场背景,成矿物质来自地壳和地幔;矿区划分5套构造系统:成矿期的韧性剪切带系统、近东西向的平移断裂系统、北东-南西向拉张应力背景下的构造系统、北东或近南北向的硫铁矿期断裂构造系统、北东向压扭性断裂系统;从剪切蚀变岩带的中心往两侧,岩石蚀变和含矿性具有明显的分带现象.

关键词: 地质特征 , 矿床成因 , 剪切带蚀变岩型 , 谢家沟金矿床

p型氮化镓不同掺杂方法研究

邢艳辉 , 韩军 , 邓军 , 刘建平 , 牛南辉 , 李彤 , 沈光地

功能材料

采用金属有机物化学气相淀积(MOCVD)技术,对p型GaN:Mg的均匀掺杂,delta掺杂和生长停顿掺杂3种不同掺杂方法的外延片研究,通过对电学的、光学的、表面形貌分析表明,生长停顿方法的外延片有较好的晶体质量,但因生长停顿过程中引入额外杂质增加自补偿效应;delta掺杂方法明显提高了空穴浓度,降低了电阻率,提高空穴迁移率,取得较好的表面形貌.

关键词: p-氮化镓 , δ掺杂 , 原子力显微镜 , 金属有机物化学气相淀积