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(Ba1-xSrx)La4Ti4O15(x=0.8~0.95)陶瓷的微结构及微波介电性能研究

刘林 , 方有维 , 新峰 , 庄文东 , 唐斌 , 张树人

无机材料学报 doi:10.3724/SP.J.1077.2012.00281

采用固相反应法制备了(Ba1-xSrx)La4Ti4O15(x=0.8~0.95)复合体系微波介质陶瓷, 并对其进行物相组成、晶体结构分析以及微波介电性能的研究. 研究结果表明, (Ba1-xSrx)La4Ti4O15陶瓷主晶相为SrLa4Ti4O15, 并伴随有第二相SrLa8Ti9O15. SEM观察表明, Ba0.2Sr0.8La4Ti4O15陶瓷内部微观结构致密, 晶粒尺寸在10~20 μm之间, 晶界清晰. 随着x值逐渐增大, (Ba1-xSrx)La4Ti4O15陶瓷中晶粒形态发生变化, 气孔增多. 在x=0.8时, (Ba1-xSrx)La4Ti4O15陶瓷具有优良的微波介电性能, 即εr =40.86, Q×f≈62806 GHz, τf =-20×10-6/℃. 随着Ba2+的含量逐渐增加, 该陶瓷的介电常数εr单调上升, 品质因子Q×f值增加, 说明适量的Ba2+替代Sr2+能改善陶瓷的微波介电性能.

关键词: 微波介质陶瓷 , perovskite-like structure , microwave dielectric property , SrLa4Ti4O15

(Ba1-xSrx) La4Ti4O15(x=0.8~0.95)陶瓷的微结构及微波介电性能研究

刘林 , 方有维 , 新峰 , 庄文东 , 唐斌 , 张树人

无机材料学报 doi:10.3724/SP.J.1077.2012.00281

采用固相反应法制备了(Ba1-xSrx)La4Ti4O15(x=0.8~0.95)复合体系微波介质陶瓷,并对其进行物相组成、晶体结构分析以及微波介电性能的研究.研究结果表明,(Ba1-xSrx)La4Ti4O15陶瓷主晶相为SrLa4Ti4O15,并伴随有第二相SrLa8Ti9O15.SEM观察表明,Ba0.2Sr0.8La4Ti4O15陶瓷内部微观结构致密,晶粒尺寸在10~20 μm之间,晶界清晰.随着x值逐渐增大,(Ba1-xSrx)La4Ti4O15陶瓷中晶粒形态发生变化,气孔增多.在x=0.8时,(Ba1-xSrx)La4Ti4O15陶瓷具有优良的微波介电性能,即εr=40.86,Q×f≈62806 GHz,τf=-20×10-6/℃.随着Ba2+的含量逐渐增加,该陶瓷的介电常数εr单调上升,品质因子Q×f值增加,说明适量的Ba2+替代Sr2+能改善陶瓷的微波介电性能.

关键词: 微波介质陶瓷 , 类钙钛矿结构 , 微波介电性能 , SrLa4Ti4O15

高灵敏黄曲霉毒素B1酶联免疫试剂盒的研制及应用?孙清1,2李谷丰3乾民3刘杰民1,2时国庆2??

孙清 , 李谷丰 , 乾民 , 刘杰民 , 时国庆

环境化学 doi:10.7524/j.issn.0254-6108.2015.10.2015031001

为实现对环境及食品样品中黄曲霉毒素B1的高灵敏检测,通过优化一系列试剂盒参数,研制了一步间接竞争ELISA检测试剂盒.优化后的包被缓冲液为90 mmol·L-1、pH 4.6的柠檬酸缓冲液,最佳反应pH值为7.4,抗体包被浓度为0.2μg·mL-1, HRP?BSA?AFB1稀释比为1/4000,标品稀释液为含7%甲醇的PBST溶液.优化后试剂盒IC50值为66 pg·mL-1,检测限为7.6 pg·mL-1,检测线性范围为10—810 pg·mL-1.试剂盒对不同AFB1添加水平(0.5μg·kg-1,1μg·kg-1)的玉米、豆粕和鱼粉样品平均回收率为108.4%—134.8%.对玉米、豆粕和鱼粉样品各20份盲样测试结果表明,试剂盒检测结果与HPLC?MS/MS检测结果吻合.

关键词: ELISA , 黄曲霉毒素B1 , 残留 , 试剂盒

多孔硅与聚乙烯咔唑复合光电性能研究

赵毅 , 杨德仁 , 周成瑶 , 阙端麟

材料科学与工程学报 doi:10.3969/j.issn.1673-2812.2003.04.010

用旋涂法实现了多孔硅与聚乙烯咔唑(PVK)的复合,研究了多孔硅/PVK复合体系的光学性能和电学性能.PL谱的测试发现,复合体系的PL同时具有多孔硅和PVK的峰.此外,在485nm的位置出现了一个新峰,讨论了这个峰的来源.Ⅰ-Ⅴ特性测试表明,多孔硅/PVK异质结与多孔硅相比,Ⅰ-Ⅴ曲线呈现更好的整流特性,讨论了其原因.

关键词: 多孔硅 , 发光 , Ⅰ-Ⅴ特性 , PVK

退火对Mg离子注入 p-GaN薄膜性能的影响

罗浩俊 , 胡成余 , 姚淑德 , 秦志新

材料研究学报

在用MOCVD方法生长的p--GaN薄膜中注入Mg离子, 然后在N$_{2}$气氛下在850$\sim$1150℃之间快速退火, 研究了Mg$^{+}$离子注入后样品退火前后的结构、光学和电学性质. 结果表明, 离子注入使GaN晶体沿着$a$轴和$c$轴方向同时膨胀. 在离子注入后的p--GaN薄膜的拉曼散射谱中出现波数为300 cm$^{-1}$和360 cm$^{-1}$两个新峰, 其强度随着退火温度而变化. 这两个新峰分别对应于布里渊区边界的最高声学声子支的 振动模式和局域振动模式. 消除这两个损伤引起的峰的临界温度是不同的. 注入剂量1$\times$10$^{14}$cm$^{-2}$是一个临界值, 对于注入剂量高于这个临界值的样品, 高温退火不能使其晶体质量全部恢复.

关键词: 无机非金属材料 , null , null

退火对Mg离子注入p-GaN薄膜性能的影响

罗浩俊 , 胡成余 , 姚淑德 , 秦志新

材料研究学报 doi:10.3321/j.issn:1005-3093.2006.02.002

在用MOCVD方法生长的p-GaN薄膜中注入Mg离子,然后在N2气氛下在850~1150℃之间快速退火,研究了Mg+离子注入后样品退火前后的结构、光学和电学性质.结果表明,离子注入使GaN晶体沿着a轴和c轴方向同时膨胀.在离子注入后的p-GaN薄膜的拉曼散射谱中出现波数为300 cm-1和360 cm-1两个新峰,其强度随着退火温度而变化.这两个新峰分别对应于布里渊区边界的最高声学声子支的振动模式和局域振动模式.消除这两个损伤引起的峰的临界温度是不同的.注入剂量1×1014cm-2是一个临界值,对于注入剂量高于这个临界值的样品,高温退火不能使其晶体质量全部恢复.

关键词: 无机非金属材料 , p-GaN , 离子注入 , 拉曼散射

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