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不同厚度对分子束外延生长GaSb薄膜的影响

熊丽 , 李美成 , , 张保顺 , 李林 , 刘国军 , 赵连城

功能材料

采用分子束外延(MBE)在GaAs衬底上生长GaSb薄膜,为了减小因晶格失配度较大所引起的位错密度,采用低温GaSb作为缓冲层.通过X射线双晶衍射仪和原子力显微镜分析得出,当低温GaSb缓冲层的厚度为20nm时,GaSb外延层中的位错密度最小,晶体质量最好.此外,缓冲层和外延层的厚度共同对GaSb薄膜晶体质量和表面形貌产生影响.

关键词: 分子束外延 , GaSb , 缓冲层 , 厚度

GaAs基GaSb薄膜的分子束外延生长与发光特性

熊丽 , 李美成 , , 张保顺 , 李林 , 刘国军 , 赵连城

稀有金属材料与工程

研究了用分子束外延(MBE)在GaAs衬底上生长GaSb薄膜的工艺.为了减小因晶格失配度较大所引起的位错密度,采用低温GaSb作为缓冲层,有效降低了外延层中的位错密度,提高了晶体质量.通过X射线双晶衍射仪和原子力显微镜测试分析,得到低温GaSb缓冲层的优化生长参数:厚度为20 nm,生长速率为1.43 μm/h,Ⅴ/Ⅲ束流比为2.0.并在此基础上研究了GaSb薄膜的发光特性:GaSb薄膜的光致发光光谱主要由束缚激子(BE4)和施主一受主对(D-A)辐射复合发光峰组成,在50 K时其发光峰强度最强,半峰宽最窄.

关键词: 分子束外延 , GaSb , 缓冲层 , 发光特性

缓冲层生长速率对GaSb薄膜二维生长的影响

熊丽 , 李美成 , , 张保顺 , 李林 , 刘国军 , 赵连城

功能材料

用分子束外延(MBE)法在GaAs(100)衬底上生长GaSb薄膜,得到了GaSb薄膜的优化生长工艺条件.为了降低因晶格失配度较大所引起的位错密度,采用低温(LT)GaSb作为缓冲层,研究了缓冲层的生长速率对GaSb薄膜二维生长的影响,并以此说明缓冲层在GaSb薄膜生长中所起的作用.通过X射线双晶衍射仪和原子力显微镜测试分析,得到当低温GaSb缓冲层的生长速率为1.43μm/h时,GaSb外延层中的位错密度最小,晶体质量最好.

关键词: 分子束外延 , GaSb , 缓冲层 , 生长速率

MOCVD外延Al2O3基AlGaN/GaN超晶格的结构和光学特性

李美成 , , 李洪明 , 赵连城

稀有金属材料与工程

通过X射线衍射分析、透射电镜观察、红外透射光谱分析、紫外-可见吸收光谱分析和光致发光试验,研究了用金属有机物化学汽相沉积(MOCVD)的方法,在带有GaN缓冲层的蓝宝石(Al2O3)衬底上生长的AlGaN/GaN超晶格材料的微观结构、光吸收性质和发光特性.X射线衍射结果表明,GaN基材料均为纤锌矿六方结构,薄膜具有良好的结晶质量,薄膜生长沿c轴择优取向.透射电镜观察表明,超晶格试样的周期结构分布均匀,实际周期为13.3 nm,且观察到高密度的位错存在于外延膜中.通过光学试验数据,确定了试样的光学吸收边都是在370 nm附近,理论计算显示试样为直接跃迁型半导体,禁带宽度约为3.4 eV.试样的折射率随光子能量的增加而增加、随波长的增加而减小,计算表明消光系数的极小值位于370 nm处.光致发光测试分析表明,超晶格有很好的发光性能,并发现存在黄带发光.

关键词: AlGaN/GaN超晶格 , 微观结构 , 吸收光谱 , 光致发光

半导体异质结界面处Sb/As交换反应研究

, 李美成 , 熊敏 , 张宝顺 , 刘国军 , 赵连城

稀有金属材料与工程

利用分子束外延(MBE)技术,在GaAs衬底上生长了高质量的GaAs/GaAsSb超晶格,并通过高分辨X射线衍射(HRXRD)技术对Sb/As交换反应进行研究.实验表明,随着衬底温度的升高,Sb解吸附速度增加,在Sb束流作用下形成的GaAs/GaAsSb超晶格中的Sb含量下降.而Sb束流大小和暴露在Sb束流中的时间对GaAs/GaAsSb超晶格中的Sb含量影响很小.这说明Sb与GaAs中的As原子的交换反应仅发生在GaAs表层,Sb原子在GaAs中的扩散距离很短.

关键词: 分子束外延 , 异质结 , 超品格 , Sb/As交换反应

InAs/GaInSb应变层超晶格材料的界面结构

, 李美成 , 赵连城

功能材料

介绍了InAs/GaInSb应变层超晶格材料的界面结合类型及其对材料界面结构和光电性能的影响,分析了在超晶格界面处的原子置换和扩散现象.同时,总结了分子束外延生长过程中控制InAs/GaInSb超晶格界面结构的生长工艺,指出采用原子迁移增强(MEE)外延生长技术,可以有效地抑制界面处原子的置换和扩散现象.

关键词: 应变层超晶格 , InAs/GaInSb , 界面结构 , 分子束外延

油田油井缓蚀阻垢剂的筛选

付亚荣 , 付丽霞 , 付立欣 , 吴泽美 , 付茜 , 张凤英

腐蚀与防护

油田油井腐蚀严重部位多发生在1000~1600 m之间.平均检泵周期为190.4天.根据现场腐蚀、结垢特点,用正交试验法进行药剂筛选,通过交叉配伍性试验,找到了有针对性的缓蚀阻垢剂.现场应用取得了很好的效果:铁离子下降率最高达99.8%,腐蚀速率也明显下降,缓蚀率平均达87.0%,钙离子较加药前上升了89.3%.

关键词: 油田 , 油井 , 防腐蚀 , 防结垢

金矿岩爆危险程度评估与防治措施——以崟、枪马、鸿金矿为例

王军强

黄金 doi:10.3969/j.issn.1001-1277.2007.06.007

根据小秦岭地区崟、枪马和鸿3个金矿的地质条件和开采状况,从岩石冲击倾向性、井巷附近地质构造条件、地应力状况和井巷布置几方面综合评估了其岩爆的危险程度,并针对岩爆威胁区域提出了相应的防治措施,可为矿山安全生产借鉴.

关键词: 岩爆 , 冲击倾向性 , 防治 , 小秦岭地区

深径比对克拉斯基结构内旋转驱动流动的影响

吴春梅 , 李友荣 , 彭岚 , 吴双应

工程热物理学报

为了了解深径比对克拉斯基(Czochralski)结构内旋转驱动流动的影响,利用有限容积法进行了三维非稳态数值模拟。结果表明;随着液池深径比的增加,流动逐渐加强,当旋转速度超过某一临界值后,流动转变为三维非稳态振荡流动。随着液池深径比的增加,速度波振荡幅度增大,速度波波数和周向传播方向都随之改变;浅液池内坩埚旋转作用占主导地位,速度波传播方向与坩埚旋转方向相同,深液池内晶体旋转大于坩埚旋转对流动的影响,速度波传播方向和晶体旋转方向相同。

关键词: 流动稳定性 , 旋转 , 深径比 , 数值模拟

克拉斯基结构液池内旋转驱动流动及转变

吴春梅 , 李友荣 , 彭岚 , 吴双应

工程热物理学报

为了了解旋转对克拉斯基(Czochralski)晶体生长结构液池内熔体流动的影响,利用有限差分法进行了三维非稳态数值模拟,坩埚外半径为50 mm,晶体半径为15 mm,液池深度为50 mm.结果表明,当旋转速度较低时,流动为稳态轴对称流动,随着转速的提高,流动会转化为三维非稳态振荡流动;晶体与坩埚同向旋转时,流动转化的临界转速较高,反向旋转时,临界转速较低;晶体单独旋转时,速度波周向速度远小于晶体旋转速度,坩埚单独旋转时,速度波周向速度与坩埚旋转速度保持一致;坩埚转速越快,速度波动幅度和波数越小.

关键词: 旋转 , 对流 , 稳定性 , 数值模拟

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