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CdS/CdS和CdS/Dy/CdS薄膜结构及其XPS分析

, 李蓉萍

稀土 doi:10.16533/J.CNKI.15-1099/TF.201503007

采用化学水浴法制备了结构为CdS/CdS的薄膜,并结合电子束真空蒸发法,在两层CdS之间沉积一层Dy单质制备了结构为CdS/Dy/CdS的Dy掺杂薄膜.XRD和SEM测试表明,未掺杂的薄膜为沿(111)晶面择优生长的立方相闪锌矿结构,但是含有Dy掺杂层的CdS薄膜则为立方相和六方相的混合结构,并且掺Dy后CdS的晶粒尺寸和晶格常数变大.XPS分析表明,两种样品均富Cd,掺Dy有助于降低薄膜中O和C的含量,进而抑制薄膜中氧化物的形成;未掺杂时薄膜表面和内部Cd、S的原子比分别为1∶0.63和1∶0.71,掺Dy后分别提高到1∶0.81和1∶0.83,更接近CdS的化学计量比,而且组分更加均匀.

关键词: 掺Dy-CdS , 化学水浴法 , 电子束蒸发 , 结构 , XPS

Pr掺杂CdS薄膜的制备及其光电性能研究

, 李蓉萍 , 刘永生 , 田磊 , 冯松

稀土

结合化学水浴法和真空电子束热蒸发法在玻璃衬底上制备了含有不同厚度Pr掺杂层的CdS多晶薄膜,并对薄膜的结构、表面形貌和光电特性进行了研究.结果表明,未掺杂的CdS薄膜为沿[111]晶向择优生长的立方相闪锌矿结构,导电类型为N型.Pr掺杂并未改变CdS薄膜的物相结构和择优取向,但衍射峰强度增加;掺Pr后CdS薄膜的晶粒尺寸增大,致密性提高,并且薄膜在可见光范围内的透过率增加,光学带隙变大.同时还发现CdS中掺Pr后影响了薄膜的电学性能,掺杂浓度较低时CdS薄膜电阻率增大,掺杂浓度较高时薄膜的电阻率降低并且导电类型由N型转变为P型.

关键词: CdS薄膜 , Pr掺杂 , 化学水浴法 , 光学特性

Sb掺杂ZnTe薄膜结构及其光电性能

, 李蓉萍 , 刘永生 , 田磊 , 冯松

材料工程 doi:10.11868/j.issn.1001-4381.2015.03.007

采用真空蒸发工艺在玻璃衬底上制备了ZnTe和掺Sb-ZnTe多晶薄膜,并在氮气气氛中对薄膜进行热处理.分别利用XRD、SEM、紫外-可见分光光度计、霍尔效应测试仪对薄膜的晶体结构、表面形貌、元素组成以及光学、电学性能进行表征,研究Sb掺杂量和热处理对薄膜性能的影响.结果表明:未掺杂薄膜为沿(111)晶面择优生长的立方相闪锌矿结构,导电类型为P型.Sb掺杂并未改变ZnTe薄膜晶体结构和导电类型,但衍射峰强度降低;Sb含量直接影响着Sb在ZnTe中的存在形式,掺Sb后抑制了薄膜中Te和Zn的结合,使薄膜中Te的含量增加;室温下薄膜的光学透过率和光学带隙取决于掺Sb浓度和退火温度,并且掺Sb后ZnTe薄膜的载流子浓度显著增加,导电能力明显增强.

关键词: ZnTe薄膜 , Sb掺杂 , 真空蒸发 , 光学性能 , 电学性能

CdSexTe1-x薄膜的制备及其XPS表征

刘永生 , 李蓉萍 ,

材料科学与工程学报

本文采用真空蒸发法在CdTe粉末中按不同比例掺入CdSe粉末,选择合适的工艺条件,在玻璃衬底上制备了性能稳定的CdSexTe1-x三元化合物薄膜.利用XRD、紫外-可见分光光度计、XPS对薄膜的结构、光学性能、组成成分等进行了表征.XRD测试结果表明,薄膜均为立方闪锌矿结构的CdSexTe1-x三元化合物,并沿(111)晶面择优生长,晶格常数随x值增大而减小;透射光谱表明薄膜的吸收限随x值增大先向长波方向移动,x=0.64时达到最大值,然后向短波方向移动;XPS分析表明,薄膜的主要成分为CdSexTe1-x三元化合物,随着x值增大,Se、Te、Cd三种元素的特征峰均向高结合能方向偏移.

关键词: 真空蒸发 , CdSexTe1-x薄膜 , XRD , XPS表征

地下开采转露天开采初期高台阶爆裂体的危害与防治

陈家洪 , 刘献华 ,

黄金 doi:10.3969/j.issn.1001-1277.2001.03.005

介绍了紫金山金矿由地下开采转向露天开采初期出现高台阶爆裂体问题的研究与处理,并从理论和实践的角度强调了露天开采作业面临井下采空区威胁的情况下,采矿与剥离工作协调进行的重要性;叙述了消除和预防高台阶爆裂体危害的技术措施.

关键词: 地下开采转露天开采 , 高台阶爆裂体 , 防塌陷技术

西班牙比斯亚公司用于处理高附加值超薄热轧带钢的新酸洗线

钢铁

薄规格热轧带钢的生产需要专门的酸洗线以确保高附加值的热轧产品能够与各种冷轧材料相竞争.介绍奥钢联为西班牙比斯亚公司提供的超薄热带酸洗线的先进特点.

关键词: 超薄热带 , 高附加值 , 酸洗线

中国腐蚀与防护学会腐蚀电化学及测试仪器使用经验专题讨论会在天津召开

中国腐蚀与防护学报

<正> 中国腐蚀与防护学会腐蚀电化学及测试仪器使用经验专题讨论会1984年4月10日至16日在天津市召开。来自全国各地70多个单位120多名代表出席了这次会议。 会议邀请了上海师院化学系电化学教研室章宗稂副教授报告了美国电化学研究技术近况;天津市电子仪器厂总工程师大稼介绍了动态分析与信息革命。 会议分下列六个专题进行了讨论: 1.新研制的仪器和新建立的测试方法

关键词:

化学修饰法表征Bacillus smithii T7产耐热菊粉酶催化活性中心的必需氨基酸残基

刘彬 , 王静云 , 包永明 , 张帆 , 安利佳

催化学报

采用化学修饰法研究了史氏芽胞杆菌Bacillus smithii T7产耐热菊粉酶活性中心氨基酸残基,发现该酶活性中心存在一个组氨酸残基和一个谷氨酸(或天冬氨酸)残基.修饰前后的酶动力学参数变化表明组氨酸残基参与了底物的结合和催化过程,而谷氨酸(或天冬氨酸)的羧基亲核攻击促使底物分解.氏作图法证明酶活性中心存在两个必需的色氨酸残基,荧光和圆二色光谱研究表明色氨酸残基在酶的催化和酶的耐热性方面起重要作用.

关键词: 菊粉酶 , 化学修饰 , 活性中心 , 氨基酸残基 , 催化

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