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高分子自组装掩膜的制备

邓琛 , 徐晨 , 徐丽华 , 邹德恕 , 蒋文静 , 戴天明 , 李晓波 , 沈光地

利用高分子共混物的微相分离和白组装原理,采用溶液共混和旋转涂膜的方法制得聚苯乙烯/聚甲基丙烯酸甲酯(PS/PMMA)高分子共混物薄膜,对薄膜经过再加工得到具有纳米微孔的PMMA薄膜,研究了对溶液进行超声处理的时间、PS/PMMA共混物溶液浓度、旋涂转速和试片表面对掩膜形貌的影响.以此PMMA薄膜为掩...

关键词: 高分子 , 自组装 , 微结构 , 发光二极管

应变InGaAs/GaAs量子阱MOCVD生长优化及其在980 nm半导体激光器中的应用

俞波 , 盖红星 , 韩军 , 邓军 , 邢艳辉 , 李建军 , 廉鹏 , 邹德恕 , 沈光地

量子电子学报 doi:10.3969/j.issn.1007-5461.2005.01.015

使用低压MOCVD生长应变InGaAs/GaAs 980 nm量子阱.研究了生长温度、生长速度对量子阱光致发光谱(PL)的影响.并将优化后的量子阱生长条件应用于980 nm半导体激光器的研制中,获得了直流工作下,阈值电流为19 mA,未镀膜斜率效率为0.6 W/A,输出功率在100 mW的器件.

关键词: 光电子学 , 半导体激光器 , 应变量子阱 , 金属有机化学气相淀积

GaN基LED电流扩展对其器件特性的影响

孙重清 , 邹德恕 , 顾晓玲 , 张剑铭 , 董立闽 , 宋颖娉 , 郭霞 , 高国 , 沈光地

量子电子学报 doi:10.3969/j.issn.1007-5461.2006.06.024

GaN基LED的表面电流扩展对于器件的特性起着很重要的作用.制作环状N电极的器件在正向电压、总辐射功率、器件老化等特性方面较普通的电极都有很大的提高.通过一系列的实验对环状N电极和普通电极进行了比较,在外加正向电流为20 mA时,正向电压减小了6%,总辐射功率也略有提高,工作50小时后,总辐射功率相...

关键词: 光电子学 , 固态照明 , 环状N电极 , 总辐射功率 , 电流扩展

GaAs材料ICP刻蚀中光刻胶厚度及刻蚀条件对侧壁倾斜度的影响

孙丽媛 , 高志远 , 张露 , 马莉 , 吴文蓉 , 邹德恕

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2012.04.004

使用感应耦合等离子体(ICP)刻蚀技术刻蚀GaAs材料,在光刻过程中采用不同厚度的光刻胶,研究在同一刻蚀条件下不同光刻胶厚度对刻蚀图形侧壁倾斜度的影响,并研究了光刻胶厚度对侧壁倾角影响在不同大小图形刻蚀中的尺寸效应,提出了关于刻蚀机理的尺寸增益现象及可能发生的刻蚀离子的散射模型,解释了光刻胶厚度较大...

关键词: ICP刻蚀 , 光刻胶 , 侧壁倾角 , 刻蚀选择比

新型垂直腔面发射激光器的最优化设计模式

朱文军 , 郭霞 , 廉鹏 , 邹德恕 , 高国 , 沈光地

量子电子学报 doi:10.3969/j.issn.1007-5461.2003.02.005

本文通过提出具有优点为微分量子效率可以大于1的一种新型多有源区隧道再生应变量子阱垂直腔面发射半导体激光器(VCSELs)结构,可得到阈值电流更小、输出功率更大的器件.同时,通过对这种器件功率效率的分析,总结出针对这种新型结构的以固定工作电流及串联电阻为参数的最优化DBR反射率公式,并且就功率效率与工...

关键词: 多有源区 , 隧道再生 , VCSELs , 功率效率

微机械气动红外传感器的流体分析

吴骏苗 , 邹德恕 , 沈光地

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2004.01.019

提出了一种可工作于室温环境下的微型气动红外传感器,它基于气体吸收特定波段的红外辐射后产生的一系列热效应为物理基础,可获得包含红外辐射源信息的信号.为深入研究热效应所产生的微热信号对器件整体性能的控制和影响,优化器件的几何结构和行为,建立了符合器件工作机制的经典热传输模型,并在此基础上,利用通用商业有...

关键词: 微机械 , 气动红外传感器 , 流体-结构耦合模拟