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氧化物多孔陶瓷制备工艺的研究进展

郭坚 , 张超 , 徐鹏 , 范德蔚 , 丁艳 , 曾俐 , , 张伟儒

硅酸盐通报

氧化铝,氧化锆等氧化物多孔陶瓷具有低密度、高比表面积、高抗压强度、低热导率和耐腐蚀等优异的物理化学性能,应用越来越广泛.本文介绍了氧化物多孔陶瓷几种较为常见的制备方法,重点综述了冷冻注模工艺和凝胶注模工艺两种制备氧化物多孔陶瓷的研究现状.最后总结了目前在制备氧化物多孔陶瓷上存在的困难,并对其发展方向提出了合理的展望.

关键词: 氧化物多孔陶瓷 , 制备工艺 , 冷冻注模 , 凝胶注模

稀土烧结助剂对低介电多孔氮化硅陶瓷的性能影响

刘文彬 , 丁艳 , , 徐鹏 , 王芳香 , 杜洪兵 , 张伟儒 , 李玉莹

材料工程 doi:10.3969/j.issn.1001-4381.2010.z2.056

以CeO2,Y2O3和Yb2O3为烧结助剂,通过造粒、冷等静压成型和气氛压力烧结成功制备出介电常数ε低于3.0的氮化硅透波材料.伴随稀士氧化物烧结助剂量提高,材料介电性能不断下降,在7%时略有回升.含CeO2试样强度低于30MPa,而有Yb2O3的试样强度最高.通过XRD检测和SEM观察,发现其β相转化程度最高、长径比最大.

关键词: 多孔氮化硅 , 稀土烧结助剂 , 介电常数 , 弯曲强度

氮化硅陶瓷粉料造粒的研究进展

王腾飞 , 郑彧 , 庄新江 , 李镔 , , 韦中华 , 徐鹏

硅酸盐通报

氮化硅陶瓷具有高强度、高硬度、良好的断裂韧性等优异力学性能,并具有独特的自润滑性能,而日益受到重视.氮化硅陶瓷粉料是制备氮化硅陶瓷的关键原料,粉料的处理方式是影响陶瓷性能的关键步骤.本文介绍了目前较为常见的氮化硅陶瓷粉料的处理方法,并对各处理工艺的优缺点进行了分析,重点阐述了喷雾造粒工艺及其目前研究进展.最后分析了目前氮化硅粉料处理方法存在的问题,并对氮化硅粉料处理方法的发展提出了展望.

关键词: 氮化硅 , 粉料处理 , 陶瓷成型 , 喷雾造粒

冷冻干燥法工艺条件对多孔氧化铝陶瓷的影响

, 张跃

稀有金属材料与工程

利用冷冻干燥法制备多孔氧化铝陶瓷.采用扫描电镜和压汞仪,系统讨论了影响多孔陶瓷微观结构的主要因素.结果表明:固体含量显著影响试样的强度和气孔率;粘结剂的添加对于多孔结构的保持很重要;冷冻温度和烧结温度对最终的孔径分布和微观结构有较大影响.

关键词: 冷冻干燥法 , 多孔陶瓷 , 氧化铝

渚文化玉器的稀土元素特征及其考古学意义

程军 , 杨学明 , 杨晓勇 , 王昌燧 , 王巨宽

稀土 doi:10.3969/j.issn.1004-0277.2000.04.001

本文利用ICP-MS对新石器时代渚文化瑶山遗址出土的古玉器进行了稀土元素分析,并与产于新疆和阗玉石矿的软玉进行了对比.结果表明,瑶山古玉器的稀土元素配分型式、特征比值均明显不同于和阗玉,说明渚文化玉器的玉石应选自当地,这与李约瑟[1]教授认为中国古玉器都源于新疆和阗的论点不同.

关键词: 渚玉器 , ICP-MS , 稀土元素(REE) , 产地分析

磁控溅射成膜温度对纯铝薄膜小丘生长以及薄膜晶体管阵列工艺率的影响

刘晓伟 , 郭会斌 , 李梁梁 , 郭总杰 , 郝昭慧

液晶与显示 doi:10.3788/YJYXS20142904.0548

纯铝薄膜被广泛用作TFT LCD的金属电极,但纯铝薄膜在热工艺中容易产生小丘,对TFT的阵列工艺的率有较大影响.本文用磁控溅射的方法在不同温度下沉积纯铝薄膜作为薄膜晶体管的栅极,并通过电学检测、扫描电子显微镜和应力测试等方法对不同温度下沉积的纯铝薄膜的小丘生长情况进行了研究.实验结果表明:纯铝成膜温度提高,薄膜的晶粒尺寸增大,退火后产生小丘的密度和尺寸明显降低,温度应力曲线中屈服点温度也相应提高.量产中适当提高成膜温度,可以有效抑制小丘的发生,提高TFT阵列工艺的量产率.

关键词: 薄膜晶体管阵列工艺 , 磁控溅射 , 纯铝薄膜 , 小丘 , 量产

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