凤仪
,
朱震刚
,
陶宁
,
郑海务
金属学报
研究了孔隙率、孔径对闭孔泡沫铝合金导热系数的影响, 结果表明, 由于大量孔洞的存在, 泡沫铝的导热系数较同样成分的实体材料显著下降, 低孔隙率在0.80—0.93范围内, 约为实体材料的1/30—1/80, 随着孔隙率的增加, 导热系数迅速下降, 而孔径对泡沫铝的导热系数影响不大. 从串-并联和并-串联模型出发, 分析了孔隙率对泡沫铝材料导热系数的影响, 发现串-并联模型更能反映泡沫铝的结构特征, 与实测值吻合更好.
关键词:
闭孔泡沫铝
,
null
,
null
,
null
门保全
,
郑海务
,
张大蔚
,
马兴平
,
顾玉宗
硅酸盐通报
ZnO是一种纤锌矿结构的第三代宽带隙半导体材料,在光电和铁电器件领域具有优良的应用前景.本文综述了近年来ZnO材料在制备与诸如压电、铁电、介电与多铁等物理性质方面的研究进展,指出了ZnO在铁电、介电与多铁性质研究方面中存在的问题,并提出解决的思路.
关键词:
ZnO
,
铁电
,
压电
,
介电
,
多铁
郑海务
,
苏剑峰
,
王科范
,
李银丽
,
顾玉宗
,
傅竹西
功能材料
在Si(111)衬底上,采用SiH4-C3H8-H2气体反应体系,通过低压化学气相沉积(LPCVD)工艺外延出结晶质量良好的SiC薄膜.低温光致发光谱表明该薄膜属于6H-SiC多型体.X射线衍射图表明该薄膜具有高度的择优取向性.扫描电子显微镜图表明该薄膜由片状SiC晶粒组成.拉曼光谱和透射电子衍射谱的结果进一步表明该薄膜具有较高的结晶质量.对Si(111)衬底上6H-SiC薄膜的生长机制进行了初步探讨.
关键词:
Si
,
6H-SiC
,
化学气相沉积
,
微结构
朱俊杰
,
林碧霞
,
孙贤开
,
郑海务
,
姚然
,
傅竹西
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2004.04.017
本文利用低压高温MOCVD系统,成功地在Si(111)基片上外延出了具有高质量的SiC薄膜,并对其反应机理做了一些初步的研究.大部分观点认为,SiC/Si的异质外延,其最初的状态应该为Si衬底中Si的扩散.但是,本文通过在不同流量比的条件下,SiC薄膜在Si基片以及Al2O3基片上外延的比较,发现在SiC/Si的异质外延过程中起重大作用的并非Si衬底中Si的扩散,而是很大程度上作用于C向Si衬底的扩散.同时,还发现反应速率的快慢受SiH4流量所限制.当SiH4流量增加时,反应速率会明显加快,但是结晶质量会相对变差.
关键词:
SiC 薄膜
,
Si(111)衬底
,
低压MOCVD
,
异质外延
,
扩散
刘越峰
,
郑海务
,
张伟风
,
顾玉宗
,
李银丽
,
张华荣
功能材料
采用水热法成功合成了YMnO3纳米棒,利用XRD、SEM、EDS、HRTEM和SAED对产物进行了表征.实验结果表明,产物为六方纯相YMnO3纳米棒,高分辨电镜图片显示晶面间距为0.298nm,对应(004)面间距,结合XRD及选区电子衍射结果,可以得出纳米棒沿[001]方向生长,并初步分析了纳米棒的形成机理.测试了YMnO3纳米棒的M-T曲线,观察到了由表面未补偿自旋引起的自旋玻璃态.
关键词:
YMnO3
,
纳米棒
,
水热法
,
微结构
,
磁性
郑海务
,
王渊旭
,
李天峰
,
张伟风
人工晶体学报
六方YMnO3是一种集铁电性与反铁磁性于一体的新材料,具有丰富的物理内容和优良的应用前景.本文综述了近年来六方YMnO3薄膜在制备方法、电学、磁学等物理性质的研究进展.基于其电磁性质,阐述了该薄膜在自旋阀等器件方面的潜在应用.最后指出了六方YMnO3薄膜研究中存在的问题,提出解决的思路.
关键词:
六方YMnO3薄膜
,
多铁性
,
制备方法
,
应用
凤仪
,
郑海务
,
朱震刚
,
陶宁
中国有色金属学报
采用粉末冶金发泡法制备闭孔泡沫铝,通过调整发泡剂含量、发泡温度、粘度、保温时间等手段,制得孔隙率可调、孔洞分布均匀的闭孔泡沫铝样品,并测试了不同孔隙率、孔径泡沫铝样品的电磁屏蔽性能.结果表明:在100～1000MHz内,泡沫铝的电磁屏蔽性能在60～90dB之间,且随着孔隙率、孔径的增加,泡沫铝的电磁屏蔽性能下降.
关键词:
闭孔泡沫铝
,
孔隙率
,
孔径
,
电磁屏蔽
刘越峰
,
郑海务
,
马兴平
,
王超
,
张华荣
,
顾玉宗
材料导报
采用化学溶液法在Si(111)衬底上制备了YMnO3薄膜.XRD结果表明,所制备的薄膜为六方纯相YMnO3,且具有部分择优取向生长.以Pt为顶电极,测试了YMnO3薄膜的电滞回线,结果表明,所制备的YMnO3薄膜具有良好的铁电性质.
关键词:
六方YMnO3
,
薄膜
,
Si(111)
,
择优生长
,
电滞回线
刘越峰
,
郑海务
,
张华荣
,
王超
,
马兴平
,
顾玉宗
硅酸盐通报
采用化学溶液法在 SiC/Si 上制备了YMnO3 薄膜.XRD 结果显示所制备的薄膜为六方YMnO3,且具有部分择优取向生长.拉曼光谱和XPS的结果验证了样品为六方纯相YMnO3.以 Pt 为顶电极,测试了 YMnO3 薄膜的电滞回线,结果显示YMnO3 薄膜具有良好的铁电性质.
关键词:
六方YMnO3
,
薄膜
,
SiC/Si
,
电滞回线
苏剑峰
,
郑海务
,
林碧霞
,
朱俊杰
,
傅竹西
材料研究学报
doi:10.3321/j.issn:1005-3093.2006.03.002
用LPMOCVD方法在P-Si(111)衬底上异质外延生长SiC,用碳化方法生长出具有单晶结构的3C-SiC薄膜,研究了开始碳化温度、丙烷流量和碳化时间对结晶质量的影响.结果表明,在较低的温度开始碳化不利于丙烷的分解,不能形成很好的过渡层;碳化时丙烷流量过大会造成碳污染,碳化时间过长使过渡层的结晶质量降低.最佳的碳化条件为:开始碳化温度1150℃,碳化时间和碳化时丙烷的流量分别为8 min和2 sccm.
关键词:
无机非金属材料
,
LPMOCVD
,
3C-SiC
,
p-Si(111)衬底
