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含有易挥发元素的Eu2PdSi3光辐射悬浮区熔法晶体生长

徐义库 , 王丹丹 , 宋绪丁 , 于金丽 , 肖君霞 , 郝建民 , 刘林 , 张军 , L(O)SER Wolfgang

新型磁盘存储材料Eu2PdSi3单晶制备由于Eu的挥发问题一直是一个难点.本文采用光辐射加热悬浮区熔法尝试制备了Eu2PdSi3单晶.采用标准化学成分配比制备给料棒,制备出的Eu2PdSi3晶体为胞状晶,分析是由于熔区成分发生变化,发生成分过冷导致胞状组织;采用给料棒成分调整法成功生长出大块Eu2PdSi3晶体.研究发现,采用3 MPa循环Ar气并不能完全抑制Eu在高温下的挥发,继续增大保护气体的压强配合给料棒成分调整,有利于解决Eu元素的挥发问题.

关键词: 悬浮区熔 , 单晶生长 , 稀土化合物 , 胞状组织

YBCO大面积超导薄膜沉积工艺与微结构研究

王小平 , 王瑞坤 , 刘援 , 古宏伟 , 袁冠森 , 郝建民 , 温业礼

低温物理学报 doi:10.3969/j.issn.1000-3258.1999.06.011

采用中空柱状阴极直流磁控溅射方法制备了大面积YBCO超导薄膜.应用XRD方法,对在30×30mm2LaAlO3衬底上沉积的YBCO薄膜进行了结晶完整性、均匀性的测定.对同一样品,使用透射电子显微镜对薄膜和衬底间的界面进行了研究.

关键词:

铝合金微弧氧化陶瓷层生长过程研究

郝建民 , 丁毅

电镀与精饰 doi:10.3969/j.issn.1001-3849.2005.01.003

采用硅酸钠溶液体系,制得250μm左右的微弧氧化陶瓷层.研究了溶液电导率以及电流密度对Al合金微弧氧化陶瓷层生长过程和厚度的影响.结果表明,提高溶液电导率能加速陶瓷层的生长,降低陶瓷层粗糙度.提高电流密度能加速陶瓷层的生长速率,但不宜过高,以10 A/dm2左右为佳.采用金相显微镜观察微弧氧化陶瓷层截面发现陶瓷层呈连续结构,较厚的陶瓷层中有少量金属颗粒存在.

关键词: 铝合金 , 微弧氧化 , 电导率 , 电流密度

Phase Analysis of Cemented Carbide WC-Co Boronised with Yttrium

刘寿荣 , 郝建民 , 褚连青 , 宋俊亭

稀土学报(英文版)

关键词:

HVPE生长基座结构优化

程红娟 , 张嵩 , 徐永宽 , 郝建民

材料科学与工程学报

GaN氢化物气相外延(HVPE)生长过程中,衬底表面的温度分布对其生长质量有着重要影响.我们采用计算机模拟,研究了GaN生长过程中所使用的不同结构石墨基座上的温度分布.根据所得不同结构下基座上的温度分布,选择衬底上温度分布最均匀的结构与普通实验使用的基座结构进行实验对比.结果发现,在实际的大流量载气的GaN生长中,采用优化的圆弧凹面结构石墨基座实验组的GaN晶体外延层的生长速率、生长质量和均匀性等比普通方法生长的更好.本文得到的不同HVPE生长环境下的基座结构优化设计方案,为HVPE炉体的设计和氮化物生长具有很好的指导意义.

关键词: 模拟 , GaN HVPE , 基座 , 衬底

Ti14合金半固态塑性变形的热力模拟

陈永楠 , 魏建锋 , 赵永庆 , 马雪单 , 郝建民

材料热处理学报

利用Gleeble1500热/力模拟机研究了Ti14合金在应变速率为5×10-3-5 s-1,变形温度为1273～1423 K,变形量为60%条件下的半固态塑性变形行为.分析了合金流变应力与应变速率、变形温度之间的关系,根据分析结果建立了Ti14合金半固态变形流变本构方程,结果表明:合金在半固态条件下存在明显的屈服现象,流变应力受温度和应变速率影响较大,稳态流变应力和峰值流变应力随温度的增加而减小,相同温度下,流变应力随应变速率的增加而增加,分析可能是由于液相含量和分布对初生α-Ti骨架的解聚作用所致.

关键词: 半固态 , Ti14合金 , 压缩变形

WC-Co硬质合金烧结过程渗硼机理

刘寿荣 , 郝建民 , 褚连青 , 宋俊亭

材料热处理学报 doi:10.3969/j.issn.1009-6264.2002.01.009

用高温X射线衍射装置通过由室温到1300℃连续升温过程中XRD分析探讨了WC-20Co硬质合金真空烧结过程渗硼的机理.结果表明,在真空烧结升温期间,WC-Co合金压坯表面上预置的供硼剂B4C在850℃以上分解出活性硼原子;除在压坯表面形成含硼化合物外,还向压坯内钴相中扩散固溶并形成不均匀分布的羽毛状W2Co21B6化合物,渗硼层厚达2.2mm,WC-Co 硬质合金真空烧结过程有效渗硼的温度范围为850～1000℃.

关键词: WC-Co硬质合金 , 真空烧结 , 表面渗硼

镍对热镀锌耐蚀性的影响

郝建民

腐蚀与防护 doi:10.3969/j.issn.1005-748X.2002.08.001

关键词:

气相传输法生长超长AlN晶须

齐海涛 , 张丽 , 洪颖 , 史月增 , 郝建民

硅酸盐通报

研究了SiC上AlN晶须的气相生长技术.通过对生长温度和压力的调控,获得了六方柱状、台梯状和条带状三种形貌的AlN晶须.柱状晶须长度可达35 mm,直径lμm左右.通过扫描电镜和XRD分析,探讨了AlN晶须形态、结晶取向和生长条件之间的关系.低温、低压、较高饱和度条件下,AlN晶须沿[0001]方向生长,发育为六方细柱.随着生长温度提高,AlN晶须的优先生长面转向{1-102}面,形貌变为笔直的台梯状.继续增加压力,{10-10}面成为优先生长面,晶须呈现卷曲的条带状.

关键词: AlN , 晶须 , 物理气相传输法 , 晶体形态