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太阳能级多晶硅标准的现状及发展

靳瑞敏 , 郭新峰 , 陈兰莉 , 罗鹏辉 , 郑小燕

材料导报

回顾了太阳能级多晶硅标准这一问题的由来,分析了制定太阳能级多晶硅标准中的有关杂质含量的争论,对太阳能级多晶硅标准提出了一些看法和思考:应加快以物理法多晶硅为原料制作太阳能电池技术问题的研究;解决太阳能电池的衰减、生产工艺改进及物理法多晶硅性能的稳定性问题;多晶硅标准最终应该是一个不区分生产方法的、以主要杂质含量为指标的标准.

关键词: 太阳能级多晶硅 , 标准 , 杂质含量

退火温度和时间对制备多晶硅薄膜的影响

靳瑞敏 , 王玉仓 , 陈兰莉 , 罗鹏辉 , 郭新峰 , 卢景霄

材料导报

通过PECVD法于不同温度直接沉积非晶硅(a-Si:H)薄膜,选择于850℃分别退火2h、3h、6h、8h.于700℃分别退火5h、7h、10h、13h,于900℃分别退火1h、3h、8h,分别于720℃、790℃、840℃、900℃、940℃退火1h,然后用拉曼光谱和SEM进行对比分析,发现退火温度与退火时间的影响是相互关联的,并且出现一系列晶化效果好的极值点.

关键词: PECVD法 , 非晶硅薄膜 , 多晶硅薄膜 , 二次晶化 , 拉曼光谱 , 扫描电镜

在不同时间下退火对非晶硅薄膜晶化的影响

靳瑞敏 , 陈兰莉 , 罗鹏辉 , 郭新峰 , 卢景霄

材料导报

用玻璃作衬底在不同温度下用PECVD法直接沉积非晶硅(a-Si∶H)薄膜,在400℃和500℃分别光退火5min、10min、20min、30min、40min、60min、120min,用拉曼光谱分析前后样品,发现随着晶化时间的延长晶化效果越好,500℃退火的薄膜比400℃的晶化效果好.

关键词: PECVD法 , 非晶硅薄膜 , 光退火晶化 , 拉曼光谱

光退火制备多晶硅薄膜的量子态现象

靳瑞敏 , 罗鹏辉 , 陈兰莉 , 郭新峰 , 卢景霄

人工晶体学报

用PECVD法直接沉积的非晶硅(a-Si:H)薄膜在中温情况下光退火,然后用XRD、Raman光谱和SEM分析,发现晶粒大小随退火温度和退火时间呈现量子态现象.平均晶粒大小为30nm左右.

关键词: PECVD法 , 非晶硅薄膜 , 光退火 , 量子态 , 晶粒大小

内蒙古锡林郭勒盟东部金属成矿亚带的划分及其意义

杜继旭 , 潘成林 , 邱金柱 , 杨云鹏

黄金 doi:10.11792/hj20160807

内蒙古锡林郭勒盟东部金属成矿带是中国重要的黑色金属、有色金属、贵金属成矿带,成矿带岩浆活动频繁,构造活动强烈,具备有利的成矿条件.通过对2个成矿带(东乌旗成矿带、西乌旗成矿带)的地质背景及成矿条件的研究,将东乌旗成矿带分为4个成矿亚带,西鸟旗成矿带分为2个成矿亚带,为下一步的地质找矿工作提供依据.

关键词: 成矿带 , 成矿亚带 , 地质特征 , 划分 , 锡林郭勒盟东部 , 内蒙古

郭志猛 庄奋强

郭志猛 , 庄奋强 , 林涛 , 吴峰松 , 殷声

金属学报

根据电化学原理, 得到高阻值衬层穿透性裂纹的电沉积电流与时间的关系曲线, 利用计算机数据采集及处理系统, 对高阻值衬层进行分析与检测, 由此可以定量确定裂纹的大小, 再通过观测在裂纹处所沉积的金属（或采用电极扫描技术）来确定裂纹的位置及表面形状, 最终可以实现对高阻值衬层的快速无损探伤.

关键词: 高阻值衬层 , null , null , null

中国化学家、材料科学家--中科院院士郭景坤

硅酸盐通报

关键词:

胶东郭城断裂带金矿找矿潜力分析

彭雪峰 , 姜丽萍 , 郝兴春 , 王龙江 , 李明昱

黄金 doi:10.11792/hj20151104

郭城断裂带作为郯庐断裂的次级导矿构造,控制着该地区金矿床的分布和产出,并且金矿床还受胶莱盆地边缘层间滑动构造的控制,金矿成矿的地质背景和构造特殊. 从区域成矿背景和矿床特征入手,分析了郭城断裂带金矿床的找矿潜力及找矿方向. 分析结果表明,郭城断裂带深部存在含矿大岩体,具有很好的金矿成矿条件,找矿潜力巨大,有存在大型金矿床的可能,应该加强该成矿带的找矿工作力度.

关键词: 金矿床 , 找矿潜力 , 郭城断裂带 , 胶东

多孔硅与聚乙烯咔唑复合光电性能研究

赵毅 , 杨德仁 , 周成瑶 , 阙端麟

材料科学与工程学报 doi:10.3969/j.issn.1673-2812.2003.04.010

用旋涂法实现了多孔硅与聚乙烯咔唑(PVK)的复合,研究了多孔硅/PVK复合体系的光学性能和电学性能.PL谱的测试发现,复合体系的PL同时具有多孔硅和PVK的峰.此外,在485nm的位置出现了一个新峰,讨论了这个峰的来源.Ⅰ-Ⅴ特性测试表明,多孔硅/PVK异质结与多孔硅相比,Ⅰ-Ⅴ曲线呈现更好的整流特性,讨论了其原因.

关键词: 多孔硅 , 发光 , Ⅰ-Ⅴ特性 , PVK

退火对Mg离子注入 p-GaN薄膜性能的影响

罗浩俊 , 胡成余 , 姚淑德 , 秦志新

材料研究学报

在用MOCVD方法生长的p--GaN薄膜中注入Mg离子, 然后在N$_{2}$气氛下在850$\sim$1150℃之间快速退火, 研究了Mg$^{+}$离子注入后样品退火前后的结构、光学和电学性质. 结果表明, 离子注入使GaN晶体沿着$a$轴和$c$轴方向同时膨胀. 在离子注入后的p--GaN薄膜的拉曼散射谱中出现波数为300 cm$^{-1}$和360 cm$^{-1}$两个新峰, 其强度随着退火温度而变化. 这两个新峰分别对应于布里渊区边界的最高声学声子支的 振动模式和局域振动模式. 消除这两个损伤引起的峰的临界温度是不同的. 注入剂量1$\times$10$^{14}$cm$^{-2}$是一个临界值, 对于注入剂量高于这个临界值的样品, 高温退火不能使其晶体质量全部恢复.

关键词: 无机非金属材料 , null , null