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45号优质圆钢矫直断裂原因分析

物理测试 doi:10.3969/j.issn.1001-0777.2005.05.015

通过对45号优质圆钢(φ95)进行化学成分、金相组织、夹杂物、低倍检验,发现其夹杂物较多,经过对低倍和断口检验发现圆钢存在氢致裂纹(即白点),由于白点与夹杂物的共同作用,使φ95圆钢矫直发生时断裂.

内蒙古锡林郭勒盟东部金属成矿亚带的划分及其意义

黄金 doi:10.11792/hj20160807

内蒙古锡林郭勒盟东部金属成矿带是中国重要的黑色金属、有色金属、贵金属成矿带,成矿带岩浆活动频繁,构造活动强烈,具备有利的成矿条件.通过对2个成矿带(东乌旗成矿带、西乌旗成矿带)的地质背景及成矿条件的研究,将东乌旗成矿带分为4个成矿亚带,西鸟旗成矿带分为2个成矿亚带,为下一步的地质找矿工作提供依据.

关键词: 成矿带 , 成矿亚带 , 地质特征 , 划分 , 锡林郭勒盟东部 , 内蒙古

硅片的直接键合

王敬 , 屠海令 , 刘安生 , 张椿 , 周旗钢 , 朱悟新

稀有金属 doi:10.3969/j.issn.0258-7076.1998.05.013

介绍了硅片的直接键合工艺、键合机理、键合质量评价方法以及键合技术目前的研究和应用状况等.

关键词: 硅片 , 硅片键合 , 直接键合

利用离散变分Xa法计算了单晶Ni_3Al的一个原子簇(Ni_(15)Al_(12)),并据此分析了能级结构、电子态密度,计算了Ni_3Al中原子间的键级及相应的组成。键组成分析证明:Ni-Al键与Ni-Ni键具有较好的相似性,p-d键在两种键的组成中都占有较大比例。Ni_3Al的Ll_2结构,使两种相似的键在空间呈均匀分布,宏观上Ni_3Al表现出较高的强度。单晶体良好的韧性归因于Ni-Al键与Ni-Ni键的相似性,方向性较强的共价键在晶界处受到削弱导致多晶体的本征脆性。

关键词: Ni_3Al , energy level structure , electronic state density , covalent bond , bonding characteristic

郭志猛庄奋强

郭志猛 , 庄奋强 , 林涛 , 吴峰松 , 殷声

金属学报

根据电化学原理, 得到高阻值衬层穿透性裂纹的电沉积电流与时间的关系曲线, 利用计算机数据采集及处理系统, 对高阻值衬层进行分析与检测, 由此可以定量确定裂纹的大小, 再通过观测在裂纹处所沉积的金属（或采用电极扫描技术）来确定裂纹的位置及表面形状, 最终可以实现对高阻值衬层的快速无损探伤.

关键词: 高阻值衬层 , null , null , null

铜线性能及键合参数对键合质量的影响

曹军 , 丁雨田 , 郭廷彪

材料科学与工艺

为了提高铜线性能及其键合质量,采用拉力-剪切力测试仪、扫描电镜等研究了不同力学性能铜线及相应的键合参数对其键合质量的影响,分析了不同伸长率和拉断力、铜线表面缺陷、超声功率和键合压力对铜线键合质量的作用机制.结果表明：伸长率过小和拉断力过大会造成焊点颈部产生微裂纹,从而导致焊点的拉力和球剪切力偏低;表面存在缺陷的铜线其颈部经过反复塑性大变形会造成铜线表面晶粒和污染物脱落而出现短路和球颈部断裂;键合过程中键合压力过大能够引起的焊盘变形,同时较大的接触应力引起铝层溢出;过大的超声功率使键合区域变形严重产生明显的裂纹和引起键合附近区域严重的应力集中,致使器件使用过程中产生微裂纹而降低器件的使用寿命.

关键词: 伸长率 , 拉断力 , 表面 , 超声功率 , 键合压力

SOI键合材料的TEM研究

王敬 , 屠海令 , 刘安生 , 周旗钢 , 朱悟新 , 张椿

稀有金属 doi:10.3969/j.issn.0258-7076.1998.04.008

用横断面透射电子显微术 (TEM) 研究了用键合方法获得的SOI材料的界面结构.绝缘层二氧化硅和硅膜的厚度非常均匀, Si膜/SiO2以及SiO2/Si基体的界面平直且结合紧密,在界面上没有观察到缺陷和孔洞.

关键词: 硅片键合 , SOI , 界面 , 微结构

Cu/Sn等温凝固芯片键合工艺研究

杜茂华 , 蒋玉齐 , 罗乐

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2004.04.015

研究了 Cu/Sn等温凝固芯片键合工艺,对等离子体处理、键合气氛、压力以及 Sn层厚度等因素对焊层的键合强度的影响进行了分析和优化.实验表明,等离子体处理过程的引入是保证键合质量的重要因素,在功率 500W、时间 200s的处理条件下,得到了最大的键合强度;而键合气氛对键合质量有显著的影响,在真空环境下,能得到最佳的键合质量;压力对键合质量的影响较小,施加较小的压力( 0.05MPa)即能得到较大的剪切强度;而 Sn层厚度对键合质量的影响极小,而较薄的厚度能够缩短键合时间.在最优化条件下,得到的键合强度值全部达到了美军标规定的 6.25MPa的强度要求(对于 2mm× 2mm芯片).