梁日辉
,
都亚
,
牧艺
,
江志荣
,
赵国樑
高分子材料科学与工程
选用2种紫外光源,以二苯甲酮(BP)为光敏剂进行起高分子量聚乙烯(UHMWPE)纤维的表面光交联反应;采用凝胶含量测定、差示扫描量热仪分析及力学性能测试等方法,研究了辐照时间对UHMWPE纤维结构与性能的影响.结果表明,随辐照时间延长,纤维凝胶含量增加,结晶度和常规力学性能略有下降,低压汞灯和高压汞灯分别辐照20 min和10 min后UHMWPE纤维长期抗蠕变性能得到明显改善.其中,低压汞灯辐照20 min时,纤维恒定蠕变速率和强度分别为原纤维的67％和93％,性能优于相同辐照时间的高压汞灯试样.
关键词:
超高分子量聚乙烯纤维
,
紫外光辐照
,
光交联
,
蠕变
武会宾
,
武凤娟
,
杨善武
,
唐荻
金属学报
doi:10.3724/SP.J.1037.2013.00571
通过冷轧变形结合变形后在820～870℃退火,在316L奥氏体不锈钢中实现了微米(3～5 μm为主)和亚微米(300～500nm为主)双峰晶粒尺度分布.在奥氏体冷变形过程中,形变孪生与应变诱导马氏体相变都集中发生于大变形阶段,据此推断奥氏体形变孪生是产生应变诱导马氏体的微观机制.在820～870℃范围内退火时,样品的硬度和晶粒尺寸分布几乎保持恒定.通过对退火过程中变形奥氏体和应变诱导马氏体演化驱动力的比较分析,推断奥氏体双峰尺度晶粒尺寸分布的来源是:微米尺度晶粒来自冷变形时未转变的变形奥氏体的再结晶,而亚微米尺度晶粒主要由应变诱导马氏体逆转变而产生.
关键词:
微米/亚微米
,
双峰晶粒尺寸分布
,
原位拉伸
,
形成机制
张振华
电镀与精饰
doi:10.3969/j.issn.1001-3849.2012.04.007
从实验验证、成本分析两个方面对甲基磺酸亚锡和硫酸亚锡为主盐的镀哑光锡电解液在镀液性能和镀层性能进行比较,验证了甲基磺酸亚锡镀哑光锡在镀层和镀液方面的性能优势,在成本上,对甲基磺酸亚锡镀哑光锡和硫酸亚锡镀哑光锡做对比分析,发现二者成本接近,综合研究结论为:甲基磺酸亚锡为主盐镀哑光锡在未来几年内,有取代硫酸亚锡的趋势.
关键词:
甲基磺酸亚锡
,
硫酸亚锡
,
镀层性能
,
镀液性能
,
成本
韩茹
,
杨银堂
,
贾护军
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2008.04.014
基于器件物理分析的方法,结合沟道电势二维解析模型,分析比较了漏极引致势垒降低效应(DIBL effect)对6H-及4H-SiC MESFET沟道势垒,阈值电压,以及亚阈值电流的影响,并研究了其温度特性.研究表明DIBL效应的存在使SiC MESFET的沟道势垒最小值随栅长及温度发生变化,并带来阈值电压及亚阈值电流的变化.栅长越大,温度越高,亚阚值倾斜因子Ns越小,栅压对沟道电流的控制能力增强,最终造成亚阈值电流随栅压的变化越快.
关键词:
碳化硅MESFET
,
沟道电势
,
漏极引致势垒降低效应
,
阈值电压
李立清
,
曾台彪
,
梁飞
电镀与涂饰
doi:10.3969/j.issn.1004-227X.2007.07.005
介绍了甲基磺酸亚锡的合成原理和实验步骤,分析了产物成分,研究了实验条件对甲基磺酸亚锡产率的影响.结果表明,本工艺合成路线简单,产物为白色固体,产率高,产品纯度高,最佳工艺为温度140 ℃,反应时间5.5 h,最好使用直径为3 mm的锡粒.
关键词:
甲基磺酸亚锡
,
合成原理
,
产率
,
纯度
李世昌
,
敖晓娟
,
王庆
,
苑丽红
,
谭卓华
合成材料老化与应用
抗氧剂2,2′-亚甲基双(6-壬基对甲酚)是新型大分子量液体双酚类抗氧剂,我们以对甲酚为原料,通过酯化反应、Fries重排反应、傅克酰化反应、羰基Clemmensen还原反应和酸介导的甲醛亲和取代反应合成了2,2′-亚甲基双(6-壬基对甲酚),中间体和最终产物都通过NMR、MS表征确证,以大于90%的总收率实现产品的合成。
关键词:
双酚
,
抗氧剂
,
2
,
2′-亚甲基双(6-壬基对甲酚)
李群
,
王清
,
董闯
,
王英敏
,
羌建兵
钛工业进展
获得具有优异性能的亚稳β-Ti合金需要添加多种元素进行合金化，而如何有效进行合金的成分设计是亚稳β-Ti合金合金化的关键。系统总结了多组元亚稳β-Ti合金的设计方法，包括Mo当量法、电子理论法、计算机模拟计算法以及基于“团簇＋连接原子”结构模型的设计方法，其中基于团簇结构模型的设计方法是从局域微观原子结构出发进行合金成分设计，为合金设计开辟了新的设计思想。
关键词:
亚稳β-Ti合金
,
成分设计方法
,
团簇结构模型
壮筱凯
,
李庆忠
硅酸盐通报
雾化施液CMP抛光后的硅片依然存在亚表层损伤,会严重影响硅片的使用性能.首先利用化学腐蚀法和光学显微镜分别观测了亚表层的微裂纹以及不同部位的位错蚀坑形貌和位错密度.然后利用显微共聚焦拉曼光谱仪分析了抛光前后硅片表面残余应力的变化行为以及应力的分布情况.最后利用差动蚀刻速率法测取了亚表层的损伤深度并分析了抛光参数对损伤深度的影响规律.研究表明:随着表层到亚表层深度的增加,微裂纹损伤愈加严重,硅片边沿处的位错密度和形貌要明显好于中心区,位错平均密度为1.2×104/cm2;雾化抛光后的硅片表面被引入残余拉应力,应力沿硅片对角线方向呈对称分布;亚表层的损伤深度大约为0.99 μm,随着雾化器电压的增大呈递减趋势,而抛光垫转速和抛光压力都存在一个最佳的参数使损伤深度达到最小.
关键词:
雾化施液
,
位错
,
微裂纹
,
残余应力
,
亚表层损伤深度
