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芯片尺度封装( CSP)技术是近年来发展最为迅速的微电子封装新技术.通过对 WB-SP器件中金线 (Gold Wire)所受应力的有限元模拟 ,发现金线所受应力与塑封材料的膨胀系数、焊点大小、金线粗细、金线拱起高度等因素有关.结果表明 :由于热失配引起的金线应力最大处位于金线根部位置 ,SEQVmax=625.202MPa,在通常情况下 ,这个部位在所承受的应力作用下产生的形变最大 ,最有可能发生断裂 ,引起器件的失效.模拟结果与实际失效情况相一致.此外 ,发现 :当环氧树脂塑封料热膨胀系数为 1.0× 10-/oC时 ,金线最大等效应力出现最小值 ,SEQVmax=113.723MPa,约为原来的 1/6;随着金线半径减小、焊点增大 ,金线所受应力也将减小.模拟结果对于 WB-SP封装设计具有一定的指导意义.

关键词: 芯片尺寸封装 , 失效分析 , 有限元模拟 , 环氧树脂 , 应力分析

热处理方法改善CdZnTe晶体性能研究

闵嘉华 , 桑文斌 , 刘洪涛 , 钱永彪 , 滕建勇 , 樊建荣 , 李万万 , 张斌 , 金玮

稀有金属材料与工程

对电阻率为103～6Ω·cm的In掺杂Cd0.9Zn0.1Te晶片在Te气氛和Cd/Zn平衡蒸汽压下进行了热处理,对电阻率为108～9Ω·cm的非掺杂晶片则在In气氛和Cd/Zn平衡蒸汽压下进行了热处理.结果表明,In掺杂Cd0.9Zn0.1Te晶片经处理后电阻率可提高3个数量级.非掺杂晶片在In气氛中热处理可很容易地改变导电类型,在热处理温度700℃,In分压6.1×10-4 Pa,退火时间达48 h后,电阻率可以提高到2.6×109Ω·cm.

关键词: CdZnTe热处理 , Cd/Zn平衡分压 , In扩散

CdZnTe核辐射探测器表面物理和化学钝化研究

金玮 , 桑文斌 , 李万万 , 葛艳辉 , 闵嘉华 , 张明龙

功能材料

表面漏电流引起的噪声会限制CdZnTe(CZT)探测器的性能,尤其对于共面栅探测器,漏电噪声的大小与器件的电极设计和表面处理工艺密切相关.本文比较了探测器表面的物理和化学钝化工艺:采用H2O2溶液和KOH-KCl溶液对CZT样品进行湿化学钝化处理,采用RFPCVD法在CZT样品表面沉积类金刚石薄膜(DLC)进行物理干法钝化.借助俄歇电子能谱(AES)和显微拉曼光谱以及ZC36微电流测试仪等手段研究了CZT表面组成与器件电学性能之间的关系.AES结果表明KOH-KCl溶液钝化可以改善CZT样品表面的化学组分比,H2O2溶液钝化可以将表面富Te层转化为高阻氧化层,钝化前后的I-V特性曲线表明两种化学钝化方法均可以有效地减小器件表面漏电流,达到满意的钝化效果.CZT样品表面物理钝化通过在样品表面沉积DLC薄膜加以实现,显微拉曼光谱表明CZT表面钝化层是高sp3含量的DLC薄膜,AES深度剖析表明DLC薄膜可以有效阻止CZT内部元素的外扩散,并且DLC薄膜内部C元素向CZT内部的扩散也是比较低的.DLC薄膜钝化后的CZT共面栅探测器表面栅距25μm的栅间电阻可以达到12GΩ,有效地降低了器件的表面漏电流.

关键词: CdZnTe , 核辐射探测器 , 钝化 , 类金刚石薄膜 , 漏电流

金的分离富集

冯月斌 , 张锦柱

黄金 doi:10.3969/j.issn.1001-1277.2003.07.014

综述了金的分离和富集方法,主要包括各种吸附和萃取方法.采用活性炭和泡沫塑料(简称泡塑)吸附分离金是传统的分离富集法,有负载活性炭和有负载泡塑可以提高富集金的能力.近些年,离子交换树脂和离子交换纤维素在分离富集金的应用中,占有相当大的比例.萃取法除了使用传统的MIBK作为萃取剂,又见报道硫醚、亚砜、醇类等作为萃取剂的各种萃取体系.文中引用参考文献107篇.

关键词: 金 , 分离富集 , 吸附 , 萃取

火试金重量法测定载金炭中银

夏珍珠

冶金分析 doi:10.13228/j.boyuan.issn1000-7571.010052

称取一定量的载金炭进行火试金配料,经过熔炼、灰吹得到金银合粒,使用硝酸分金得到金粒,再通过计算得到载金炭中银含量,从而建立了火试金重量法测定载金炭中银含量的方法.经过试验,确定了火试金配料中试样量、氧化铅加入量、灰吹温度等最佳试验条件.根据目前国内载金炭的生产水平,在载金炭国家标准物质加入一定量的共存元素,进行了银量测定的干扰试验,结果表明载金炭中共存元素(Cu、Fe、Pb、Cd、Zn、Bi、Cr、Ca、Mg、As)对银测定无影响.将方法用于3个载金炭国家标准物质中银的测定,测定值与认定值基本吻合,相对标准偏差(RSD,n=11)为0.82%~4.2%.