刘陈
,
徐重阳
,
尹盛
,
钟志有
,
王长安
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2003.02.014
为了研究有机电致发光器件光电性能随工作参数的变化,对 ITO/TPD(50nm)/Alq3(50nm)/Mg/Al的实验数据进行分析,发现该器件在低压时属于注入电流限制,高压时为陷阱电荷限制 (TCLC).另外,采用实验数据验证复合理论 ,发现通过电场数据和电流密度数据( F2/J)能够直接 地反映器件量子效率随电流密度的变化趋势.
关键词:
有机发光器件 (OLED)
,
八羟基喹啉铝 (Alq3)
,
量子效率
,
电荷输运
尹盛
,
刘卫忠
,
刘陈
,
钟志有
,
王长安
液晶与显示
doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2003.03.005
制作了结构为ITO/MEH-PPV/Al的单层聚合物有机发光器件(PLED),在镀铝电极前后分别对器件进行高于MEH-PPV玻璃化温度的退火处理.结果表明,镀铝电极后的退火处理可使器件的效率提高30%左右,器件的寿命增加40%左右;而镀铝电极前的退火处理对器件影响不大.
关键词:
聚合物有机发光器件
,
退火
,
平板显示
,
聚合物
顾锦华
,
汪浩
,
兰椿
,
钟志有
,
孙奉娄
,
杨春勇
,
侯金
人工晶体学报
以不同钛掺杂含量的氧化锌陶瓷靶作为溅射源材料,采用射频磁控溅射工艺在玻璃基片上沉积了Ti掺ZnO(TZO)透明导电薄膜,通过XRD、XPS、分光光度计和霍尔效应测试系统,研究了钛掺杂含量对TZO薄膜微观结构和光电特性的影响.结果表明:所有TZO薄膜均为六角纤锌矿结构,并且具有(002)择优取向,钛掺杂含量对薄膜性能具有明显的影响.当钛掺杂含量为3wt％时,TZO薄膜的结晶质量最好、可见光平均透过率最高、电阻率最低、品质因数最大(748.15 S/cm),具有最佳的光电综合性能.TZO薄膜的光学带隙随钛掺杂含量增加而单调增大.
关键词:
磁控溅射
,
ZnO∶Ti
,
透明导电薄膜
钟志有
,
顾锦华
人工晶体学报
以ZnAl2O4陶瓷靶为靶材,采用射频磁控溅射法制备了掺铝氧化锌(ZAO)透明导电薄膜,通过XRD、SEM、四探针仪和分光光度计等测试,研究了沉积温度对薄膜结构、形貌、力学和光电性能的影响.结果表明:ZAO具有(002)择优取向的六角纤锌矿结构,沉积温度对薄膜性能具有明显影响,当温度位于370～ 400℃区间时,薄膜的结晶质量较好、电阻率较低、可见光波段的平均透射率较高,其品质因数大于1.20×10-2S,具有良好的光电综合性能.同时基于透射光谱计算了ZAO薄膜的光学常数,并用有效单振子理论解释了薄膜的折射率色散关系.
关键词:
掺铝氧化锌薄膜
,
磁控溅射
,
微观结构
,
光电性能
钟志有
,
顾锦华
,
孙奉娄
,
杨春勇
,
侯金
人工晶体学报
采用射频磁控溅射方法在玻璃基片上制备了镓掺杂氧化锌(Ga∶ ZnO)透明导电薄膜,通过XRD、XPS、四探针仪和分光光度计等表征技术,研究了衬底温度对Ga∶ ZnO薄膜结构、组分、光学和电学性质的影响.结果表明:所有样品均为具有(002)择优取向的高质量透明导电薄膜,其晶体结构和光电性能与衬底温度密切相关.当衬底温度为673 K时,所制备的Ga∶ ZnO薄膜具有最大的晶粒尺寸(72.6 nm)、最低的电阻率(1.3×10-3Ω·cm)、较高的可见∶ZnO薄膜的光学能隙,结果显示随着衬底温度的升高,薄膜的光学能隙单调增加.
关键词:
氧化锌薄膜
,
磁控溅射
,
光电性能
季兴桥
,
黎威志
,
钟志有
,
王涛
,
蒋亚东
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2006.02.011
采用ADN作为主体材料, 并且对其使用NPB、BAlq3和TBP等材料进行掺杂,制备了一系列蓝光OLED,研究了掺杂对器件性能的影响.实验结果表明,掺杂NPB的器件由于载流子注入和传输趋向平衡,其光电性能明显优于未掺杂的器件; 掺杂BAlq3的器件则具有最佳的色纯度,CIE坐标为(0.15,0.18); 而掺杂TBP的器件则具有高效的能量传递,其流明效率和电流效率分别达到了1.43 lm/W和3.86 cd/A,发光寿命最长,并具有较窄的发光光谱,其色纯度为(0.18,0.19).这些结果说明掺杂不仅改善了器件的发光亮度和色纯度, 而且提高了器件的发光效率和寿命.
关键词:
电致发光
,
蓝光OLED
,
掺杂
,
能量传递
钟志有
,
龙路
,
陆轴
,
龙浩
材料导报
doi:10.11896/j.issn.1005-023X.2015.16.002
采用磁控溅射方法在玻璃基片上制备了 Ga-Ti 共掺杂 ZnO(GTZO)透明导电薄膜,通过 XRD、四探针仪和分光光度计测试,研究了氩气压强对 GTZO 薄膜光电性能和晶体结构的影响。结果表明：所有 GTZO 薄膜均为(002)择优取向的六角纤锌矿结构,其光电性能和晶体结构与氩气压强密切相关。当氩气压强为0.4 Pa 时,GTZO 薄膜具有最大的晶粒尺寸(85.7 nm)、最小的压应力(-0.231 GPa)、最高的可见光区平均透射率(86.1%)、最低的电阻率(1.56×10-3Ω·cm)和最大的品质因子(4.28×105Ω-1·cm-1),其光电综合性能最佳。另外,采用光学表征方法计算了薄膜的光学能隙和折射率,并利用有效单振子理论对折射率的色散性质进行了分析,获得了 GTZO 薄膜的色散参数。
关键词:
透明导电薄膜
,
掺杂ZnO
,
磁控溅射
,
光电性能
钟志有
,
张腾
,
顾锦华
,
孙奉娄
人工晶体学报
采用直流磁控溅射技术在玻璃衬底上制备了掺锡氧化铟(ITO)透明导电薄膜,通过XRD、XPS、四探针仪和分光光度计等测试方法,研究了沉积速率对ITO薄膜微观结构和光电性能的影响.实验结果表明:ITO样品为具有(222)择优取向的立方锰铁矿结构,其晶体结构和光电性能明显受到沉积速率的影响.当沉积速率为4 nm/min时,所制备的ITO薄膜具有最大的晶粒尺寸(32.5 nm)、最低的电阻率(1.1×10-3Ω·cm)、最高的可见光区平均透过率(86.4％)和最大的优良指数(7.9×102 S·cm-1),其光电综合性能最佳.同时采用Tauc法则计算了ITO薄膜的光学能隙,结果显示沉积速率增大时,ITO薄膜的光学能隙单调减小.
关键词:
透明导电薄膜
,
掺锡氧化铟
,
晶体结构
,
光电学性能
季兴桥
,
黎威志
,
钟志有
,
王涛
,
蒋亚东
量子电子学报
doi:10.3969/j.issn.1007-5461.2006.03.029
采用蓝色发光材料ADN为主体发光材料、BAlq3为掺杂材料,通过改变BAlq3的掺杂浓度制备了结构为ITO/NPB/ADN:BAlq3/Alq3/Mg:Ag的一系列蓝光有机发光器件(OLED).研究了器件各有机层之间的能级匹配和BAlq3的掺杂浓度对载流子注入、传输、复合以及发光色纯度的影响.实验结果表明,空穴阻挡材料BAlq3的掺入显著影响OLED的电流密度、发光亮度、发光效率和发光光谱,当BAlq3的掺杂浓度为25%时,OLED的发光效率为1.0 lm/W,发光光谱的峰值为440 nm,色纯度为(0.18,0.15),未封装器件的半衰期为950小时,器件同时满足了高效率和高色纯度的要求.
关键词:
光电子学
,
蓝光有机电致发光器件
,
掺杂
,
能级匹配
,
载流子
