廖国进
,
骆红
,
闫绍峰
,
巴德纯
,
闻立时
稀有金属材料与工程
应用中频反应磁控溅射技术制备了Al2O3:CeCl3的非晶薄膜.Ce3+含量和薄膜的化学成分通过X射线散射能谱(EDS)测量.薄膜试样的晶体结构用x射线衍射分析.俄歇电子谱用于对薄膜材料的化学组分进行定性分析.薄膜的光致发光峰是在370 nm到405 nm范围内,它们来自于Ce3+离子的5d1激发态向基态4f1的两个劈裂能级的跃迁.发光强度强烈地依赖于薄膜中的掺杂浓度和沉积时的基片温度.薄膜发光来自于氯化铈分子中的发光中心,而不是其他的掺杂Ce3+离子.随铈含量增加,光致发光峰向低能方向移动,可能与薄膜中存在氯元素有关.
关键词:
光致发光
,
Al2O3
,
薄膜
,
磁控溅射:CeCl3
廖国进
,
骆红
,
闫绍峰
,
朱振华
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2010.02.006
应用中频反应磁控溅射设备制备了Al2O3:Ce3+的非晶薄膜.在溅射时靶电压随氧气分压比的增加而减小,而当氧分压比增大时靶电压沿另一条路径变化,即呈现迟滞回线现象.通过控制氧分压比改变Al2O3:Ce3+薄膜的发光性质.经光致发光检测,薄膜的光致发光谱是在374nm附近的非对称波峰,它来自于Ce3+离子的5d1激发态向基态4f1的两个劈裂能级的跃迁.Ce3+含量和薄膜的化学成分是通过X射线散射能谱(EDS)测量的.当氧分压比增加时薄膜的发光强度增加,在氧分压比为15%是发光强度最大,其后随氧分压比增大发光强度有减小趋势.薄膜的厚度随氧分压比的增加而呈减小的趋势.X射线衍射(XRD)检测表明所制备透明薄膜为非晶态.扫描电镜检测(SEM)显示,随着氧分压的增加非晶薄膜表面趋于致密平滑.发射纯蓝光的Al2O3:Ce3+非晶薄膜在平板显示等领域有着广泛的潜在应用前景.
关键词:
光致发光
,
Al2O3
,
薄膜
,
磁控溅射
,
稀土元素
戴鹏
,
吴明在
,
宫晨利
稀有金属
doi:10.3969/j.issn.0258-7076.2009.06.006
采用不完全相变内耗(IF)测量法, 在Cu-Al-Ni-Mn-Ti合金马氏体相变中获得双内耗峰, 即低温内耗峰和高温内耗峰. 高温内耗峰主要出现在频率小于0.050 Hz的范围, 其位置对应于相对动力学模量的拐点位置; 高温内耗峰峰值在测量频率范围内与振动频率成反比关系, 满足经典的Belko和Delorme模型; 高温内耗峰具有明显的反常应变振幅效应, 其峰值随变温速率的增大而增大, 这些都说明高温内耗峰的形成与相转变量有关.
关键词:
热弹性马氏体
,
内耗
,
高温内耗峰
刘果红
,
张莉
,
丁世英
,
肖玲
低温物理学报
本文对Ag掺杂熔融织构YBCO材料的峰效应进行了研究.磁测量结果表明,Ag掺杂不会影响峰效应的产生,但能显著改变峰效应对温度和磁场的依赖关系;峰效应出现的磁场随Ag掺杂量的增加而增高,且适量的Ag掺杂使得高温下仍能出现峰效应.该研究表明,Ag掺杂可以作为显著提高熔融织构YBCO材料磁场下临界电流密度的有效手段,从而可使其在高场下的性能得以显著改善.
关键词:
YBCO熔融织构
,
Ag掺杂
,
峰效应
张庆礼
,
丁丽华
,
邵淑芳
,
刘文鹏
,
王晓梅
,
孙敦陆
,
殷绍唐
人工晶体学报
给出了Voigt函数的一种计算方法,同时给出了一种用Voigt峰形函数拟合由Kα1、Kα2引起的晶体X射线双峰衍射谱的一种算法,此算法可同时对多个衍射双峰进行拟合和分峰,从而给出较准确的衍射峰宽度,用于计算晶体颗粒尺寸和应力等.用此算法计算了纳米GSGG的颗粒度,结果表明:在低角度,双峰叠加对衍射峰的半高全宽的影响可忽略,而在高角度双峰的衍射间隔加宽,使计算获得的粒度明显偏小.
关键词:
Voigt函数
,
X射线衍射
,
峰形函数
,
GSGG
周启超
,
杨红亮
,
季妮芝
,
陈伟华
宇航材料工艺
doi:10.3969/j.issn.1007-2330.2015.03.003
为了准确描述酚醛树脂热解时相互重叠的反应过程,进行了5种线性升温速率下的酚醛树脂热分析试验,提出一种高斯分峰方法.该方法通过分析酚醛树脂的微分热重(DTG)曲线以及不同温度下热分解产物的种类和含量,将酚醛树脂热解划分为四个反应过程.分峰结果与试验结果吻合较好,对后续准确求解酚醛树脂各个反应过程热分解动力学参数有重要意义.
关键词:
高斯分峰
,
热解气体
,
反应方程
,
酚醛树脂
,
热分解
张树东
,
张明霞
,
王艳
,
朱湘君
,
孔祥和
量子电子学报
doi:10.3969/j.issn.1007-5461.2007.04.008
报道了在用脉冲355 nm的YAG激光对水/甲醇二元团簇的多光子电离飞行时间质谱研究中,发现在电离激光相对于脉冲分子束的不同延时或是同一延时下不同的激光能量下,测得的离子谱峰除强度变化外,峰值发生漂移.离子峰值漂移的大小与信号强度密切相关.信号强度越大,离子的飞行时间越短,峰值漂移越大.分析认为:这种峰值漂移不是因为新质量数谱峰的出现,而是离子在穿越质谱仪的离子引出区和加速区极板时发生部分离子吸附,引起极板间电压的起伏造成的.离子信号越强,意味着极板对离子吸附的量越大,导致离子峰值的漂移越大.离子在电场起伏下的数值模拟结果与实验中观测到的离子峰值漂移规律一致.
关键词:
光谱学
,
质谱漂移
,
激光电离
,
分子团簇
,
离子吸附
