欢迎登录材料期刊网

材料期刊网

高级检索

  • 论文(2614)
  • 图书()
  • 专利()
  • 新闻()

基底温度对ZnO/Cu/ZnO透明导电膜性能的影响

李爱丽 , , 石亮 , 刘建军

人工晶体学报

采用射频磁控溅射ZnO陶瓷靶、直流磁控溅射Cu靶的方法在不同基底温度下制备了ZnO/Cu/ZnO多层膜.用X射线衍射仪、原子力显微镜、紫外可见分光光度计和四探针测试仪对样品的性能进行了表征.结果表明,随着基底温度的升高,ZnO层c轴择优取向明显,结晶程度变好,Cu层的结晶性先变好后逐渐变差;多层膜表面均方根粗糙度随基底温度的升高而增加;光学透过率随基底温度的升高逐渐增大,基底温度为300 ℃时最大透过率接近90%;面电阻随基底温度的升高逐渐增加,最小面电阻为12.4 Ω/□.

关键词: 透明导电膜 , 多层膜 , 光学性质 , 电学性质

Sr掺杂对WO3陶瓷电学性质及微观结构的影响

杨春秀 , , , 王立志

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2007.03.021

利用传统的陶瓷制备工艺制备了Sr掺杂的WO3陶瓷样品,测量了样品的显微结构和电学性质.结果表明,对于Sr掺杂来说,浓度为2 mol%是一个临界点,在这一点处电学性质和微观结构都将发生显著的变化.掺杂浓度为0.2 mol%的样品表现出较高的非线性系数8.7.实验中发现部分样品表现出电学的不稳定性,我们认为这种不稳定性与相共存以及由此导致的极化有关.

关键词: 三氧化钨 , 电学性质 , 非线性 , 极化

用第一性原理研究Ti掺杂β-Ga2O3的电子结构和光学性能

孟德兰 , , 牛培江

材料科学与工程学报 doi:10.14136/j.cnki.issn.1673-2812.2015.04.004

用GGA+U的方法研究了本征β-Ga2O3和Ti掺杂β-Ga2O3的电子结构和光学性能.晶格常数的计算值与实验值差别小于1%,本征β-Ga2O3的带隙计算值4.915eV,与实验值4.9eV一致.Ti替位Ga(1)位置和Ti替位Ga(2)位置的β-Ga2O3的价带最大值和导带最小值间隙分别为4.992eV和4.955eV,Ti掺杂引入的杂质带起到中间带作用,可以使电子从杂质带跃迁到导带和价带跃迁到杂质带.Ti掺杂β-Ga2O3中间带的存在使其成为潜在的宽光谱吸收太阳能电池材料.

关键词: 第一性原理 , Ti掺杂β-Ga2O3 , 电子结构 , 光学性能

Nb掺杂浓度对SrTiO3的电子结构和光学性能的影响

武松 , , 焦淑娟

材料科学与工程学报 doi:10.14136/j.cnki.issn 1673-2812.2017.02.008

用第一性原理计算不同Nb掺杂浓度的n型Nb掺杂SrTiO3,研究了Nb掺杂浓度对SrTiO3的形成焓、电子结构和光学性能的影响.在Nb掺杂SrTiO3中Nb替位Ti原子,与实验结果一致.Nb掺杂SrTiO3的费米能级进入导带底部,Nb掺杂SrTiO3呈现n型半导体特征.从微观角度分析了Nb掺杂浓度对导电性的影响,1.11at% Nb掺杂SrTiO3在可见光范围有强吸收,是一种有潜在应用的光催化材料;而1.67at%和2.5at%Nb掺杂SrTiO3是潜在的透明导电材料.

关键词: 半导体掺杂 , 电学性能 , 光学性能 , 电子结构

渚文化玉器的稀土元素特征及其考古学意义

程军 , 杨学明 , 杨晓勇 , 王昌燧 , 王巨宽

稀土 doi:10.3969/j.issn.1004-0277.2000.04.001

本文利用ICP-MS对新石器时代渚文化瑶山遗址出土的古玉器进行了稀土元素分析,并与产于新疆和阗玉石矿的软玉进行了对比.结果表明,瑶山古玉器的稀土元素配分型式、特征比值均明显不同于和阗玉,说明渚文化玉器的玉石应选自当地,这与李约瑟[1]教授认为中国古玉器都源于新疆和阗的论点不同.

关键词: 渚玉器 , ICP-MS , 稀土元素(REE) , 产地分析

磁控溅射成膜温度对纯铝薄膜小丘生长以及薄膜晶体管阵列工艺率的影响

刘晓伟 , 郭会斌 , 李梁梁 , 郭总杰 , 郝昭慧

液晶与显示 doi:10.3788/YJYXS20142904.0548

纯铝薄膜被广泛用作TFT LCD的金属电极,但纯铝薄膜在热工艺中容易产生小丘,对TFT的阵列工艺的率有较大影响.本文用磁控溅射的方法在不同温度下沉积纯铝薄膜作为薄膜晶体管的栅极,并通过电学检测、扫描电子显微镜和应力测试等方法对不同温度下沉积的纯铝薄膜的小丘生长情况进行了研究.实验结果表明:纯铝成膜温度提高,薄膜的晶粒尺寸增大,退火后产生小丘的密度和尺寸明显降低,温度应力曲线中屈服点温度也相应提高.量产中适当提高成膜温度,可以有效抑制小丘的发生,提高TFT阵列工艺的量产率.

关键词: 薄膜晶体管阵列工艺 , 磁控溅射 , 纯铝薄膜 , 小丘 , 量产

的分离富集

冯月斌 , 张锦柱

黄金 doi:10.3969/j.issn.1001-1277.2003.07.014

综述了的分离和富集方法,主要包括各种吸附和萃取方法.采用活性炭和泡沫塑料(简称泡塑)吸附分离是传统的分离富集法,有负载活性炭和有负载泡塑可以提高富集的能力.近些年,离子交换树脂和离子交换纤维素在分离富集的应用中,占有相当大的比例.萃取法除了使用传统的MIBK作为萃取剂,又见报道硫醚、亚砜、醇类等作为萃取剂的各种萃取体系.文中引用参考文献107篇.

关键词: , 分离富集 , 吸附 , 萃取

火试重量法测定载炭中银

夏珍珠

冶金分析 doi:10.13228/j.boyuan.issn1000-7571.010052

称取一定量的载炭进行火试配料,经过熔炼、灰吹得到金银合粒,使用硝酸分金得到粒,再通过计算得到载炭中银含量,从而建立了火试重量法测定载炭中银含量的方法.经过试验,确定了火试配料中试样量、氧化铅加入量、灰吹温度等最佳试验条件.根据目前国内载炭的生产水平,在载炭国家标准物质加入一定量的共存元素,进行了银量测定的干扰试验,结果表明载炭中共存元素(Cu、Fe、Pb、Cd、Zn、Bi、Cr、Ca、Mg、As)对银测定无影响.将方法用于3个载炭国家标准物质中银的测定,测定值与认定值基本吻合,相对标准偏差(RSD,n=11)为0.82%~4.2%.

关键词: , , 火试

杂质元素对火试重量法测定粗量影响的探讨

马丽军 , 李正旭 , 钟英楠 , 阚春海 , 肖千鹏 , 赵可迪

黄金 doi:10.11792/hj20170419

研究了杂质元素对火试重量法测定粗量的影响,并通过一系列实验分别确定了粗中铜、铁、锌、镍、铂、钯、硒、碲、锑、铋、钛、钨12种杂质元素适用于该方法的上限量值,及杂质元素超上限量值时所采取的措施,保证了方法的适用性,对指导黄金冶炼企业准确测定粗量具有重要的意义.

关键词: , 火试 , 重量法 , 杂质 , 增量

  • 首页
  • 上一页
  • 1
  • 2
  • 3
  • 4
  • 5
  • 下一页
  • 末页
  • 共262页
  • 跳转 Go

出版年份

刊物分类

相关作者

相关热词