景介辉
,
黄玉东
,
刘丽
,
姜再兴
,
阚晋
材料科学与工艺
为了获得准确表征纤维束界面强度的方法,对影响纤维束界面强度的因素进行了研究.通过顶出方法对纤维束界面强度进行表征,利用SEM和Micro-CT研究了纤维束界面层微结构对纤维束界面强度的影响,并通过有限元分析方法对纤维束界面的断裂行为进行分析.结果表明：在纤维束界面层含有不同程度的脱粘和裂纹缺陷结构,影响了纤维束的界面强度,其测试结果具有较高的离散性,但其符合Weibull分布;纤维束界面层破坏过程具有由弱结合区域到强结合区域的渐进性.纤维束界面层微结构的差异性和界面层破坏的渐进性是产生纤维束界面强度测试结果离散的主要原因.
关键词:
碳/碳复合材料
,
纤维束/基体界面
,
Weibull分布函数
,
Micro-CT
孟松鹤
,
韦利明
,
许承海
,
阚晋
复合材料学报
采用扫描电镜、激光共聚焦显微镜观察和力学性能测定的方法, 研究了三维C/C复合材料微观结构形貌, 以及材料X向、Y向和Z向的压缩性能. 结果表明, 材料内部缺陷明显, 纤维束/基体界面结合较弱, 材料Z向压缩强度和破坏应变均大于X向和Y向, 压缩应力-应变曲线开始阶段近似线性, 随着载荷的增加, 曲线表现出明显的非线性特征. 从宏观上考察了材料的压缩破坏机制, 材料X向、Y向和Z向破坏模式均为剪切型破坏, 纤维/基体界面结合强度对破坏模式影响明显.
关键词:
C/C复合材料
,
微观结构
,
压缩性能
,
破坏机制
孟松鹤
,
阚晋
,
许承海
,
韦利明
复合材料学报
通过理论模型和界面顶出实验分析了微观结构对碳/碳复合材料界面性能的影响机制.使用高分辨Micro-CT系统获得C/C复合材料界面的微观结构特征,并对界面的微观结构特征进行统计分析,得到界面微观结构尺度分布的概率密度函数.对C/C复合材料的界面层建立力学分析模型,计算获得C/C复合材料界面力学性能,在计算过程中引入界面微观结构的随机性统计分布,获得C/C复合材料界面力学性能的分布规律.设计纤维束顶出实验,测试分析C/C复合材料的界面力学性能.将力学分析模型的计算结果与界面顶出实验获得的实验结果进行对比分析,表明通过模型计算获得的界面性能的均值和离散度与实验获得的结果具有较好的一致性.
关键词:
碳/碳复合材料
,
概率密度函数
,
界面性能
,
微结构
梁军
,
卢琦
,
阚晋
,
陈海龙
复合材料学报
针对酚醛先驱体C/C复合材料液相浸渍制备工艺各组分相的化学转化特性,基于Arrhenius方程建立了C/C复合材料液相浸渍制备工艺力学模型,详细分析了固化-炭化和石墨化两个重要的工艺阶段各组分相的体积变化规律,得到的气孔体积分数与Micro-CT系统扫描处理的细编穿刺C/C复合材料微结构图像中气孔体积分数相吻合,并结合均匀化方法对制备过程材料基体有效弹性模量进行了预测.结果表明:材料基体的有效弹性模量随着致密化次数的增加而增大,在每一次致密化过程中材料基体的有效弹性模量先增大后减小,石墨化工艺过程中材料基体的有效弹性模量达到某一值后保持平稳.
关键词:
C/C复合材料
,
液相制备工艺
,
均匀化方法
,
有效弹性模量
,
Micro-CT
阚晋
,
孟松鹤
,
王军
硅酸盐通报
C/C复合材料具有复杂的内部微观结构,含有很多孔洞和裂纹,这些孔洞和裂纹对C/C复合材料的宏观性能有重要的影响.本文用高精度Micro-CT对C/C复合材料的内部结构进行了观测,发现使用Micro-CT能够获得无损的原位的C/C复合材料的内部微观结构特征.通过观测发现在C/C复合材料的内部,纤维与基体界面上存在大量的脱层和裂纹,而在基体内部存在大量的空洞,而纤维束内部的裂纹和空洞非常少见.在观测的基础上对C/C复合材料内部的脱层、裂纹和孔洞进行了统计分析,获得了它们尺度大小的概率分布函数,为进一步研究C/C复合材料的性能提供重要的依据.
关键词:
C/C复合材料
,
Micro-CT
,
界面脱层
,
概率分布函数
马慧宇
,
赵林涛
,
刘昕光
,
洪文帅
,
万庆
有色金属工程
doi:10.3969/j.issn.2095-1744.2017.02.014
根据晋蒙地体集宁群上部孔兹岩系和下部麻粒岩系的不整合构造接触,将本区划分为4个构造单元.通过对集宁群岩石学特征的分析及变质原岩的恢复,分析出其沉积环境具有差异.同时依据麻粒岩系形成于晚太古代而孔兹岩系形成于早元古代,对金红石的形成过程进行反演,推断其第一次主成矿期为阜平期,含矿岩层为集宁群下部麻粒岩系,右所堡组含石墨黑云角闪片麻岩.后经吕梁期地层重熔成矿物质迁移,最终在集宁群上部孔兹岩系下白窑组下段富集成矿,矿石岩性为含夕线石榴二长浅粒岩.
关键词:
集宁群
,
原岩,金红石
,
成矿规律
魏星
,
乔忠良
,
薄报学
,
陈静
,
张苗
,
王曦
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2008.05.002
研究了脉冲阳极氧化工艺的特性,并利用脉冲阳极氧化工艺制作出激射波长为776nm的宽条形半导体激光器,器件阚值电流为0.35A,斜率效率为1.12W/A,与常规工艺制作的器件相比阈值电流降低了22%,斜率效率提高了18%.
关键词:
湿法刻蚀
,
脉冲阳极氧化
,
斜率效率
冯向前
,
冯松林
,
张文江
,
樊昌生
,
权奎山
原子核物理评论
doi:10.3969/j.issn.1007-4627.2005.01.043
对江西洪州窑从东汉晚期至晚唐五代8期400个瓷胎样品进行了中子活化分析, 分析结果显示碱金属元素Na和Rb、碱土金属元素Ba及Fe等作为胎的助熔剂元素随年代的变化趋势相似, 都呈现出两头高中间低的U字形变化规律, 其中Fe作为呈色元素, 其含量的高低与瓷胎颜色的深浅是一致的.分析结果还揭示洪州窑的发展与衰落以及窑址的不断变迁可能都与制瓷原料的发现与消耗有关.对分析数据进行主成分分析, 可以将不同时期烧制的瓷胎样品大致分为5组: (1)东汉晚期东吴时期; (2)两晋和南朝时期; (3)隋代; (4)初唐和盛唐时期; (5)晚唐五代时期.
关键词:
核分析技术
,
洪州窑古瓷
,
元素特征
曾云
,
李晓磊
,
张燕
,
张国樑
,
王太宏
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2008.04.018
提出了一种适用于短沟道SOI BJMOSFET阈值电压特性分析的电荷分享物理模型,详细讨论了短沟道SOI BJMOSFET背界面处于积累、反型以及全耗尽三种状态时的阈值电压,并利用Math-ematica软件进行数值模拟得到阚值电压的特性曲线.通过理论分析和计算机模拟,证明短沟道SOI BJMOSFET阈值电压的可控性很强,更适用于现代ULSI低压低功耗的要求.
关键词:
短沟道
,
绝缘衬底上硅
,
双极MOS场效应晶体管
,
阈值电压
